用阴极附加电流在极板和镀槽底面上同时制得非晶薄膜的机理研究

近年来,用电沉积法制取非晶合金镀层的工作已经引起了人们的注意。但是,已有的直流电镀、特殊波型电源电镀、化学镀中阴极电流效率低和镀层内应力大等问题一直未能解决。本文从探讨解决前一问题的机理出发,设计了一个不甚复杂的装置,让一个适当频率的交变电流通过直流电镀的阴极板,以造成阴离子放电沉积的无序性。实验表明,这不仅有效地提高了阴极电流效率,而且特别值得注意的是,在镀槽底面上获得了比阴极沉     

在Ti阴极上还原草酸制乙醛酸的探讨

本文研究以Ti代替pb作为还原草酸制乙醛酸的阴极材料。实验结果证明:机械强度、电导率、抗腐蚀能力,Ti均优于pb。在相同槽电压下,Ti阴极的电流密度远高于pb,可获较高电流效率,并可在不添加任何助剂情况下,直接电解纯草酸液,产品分离可简化。     

阴极弧电流对TiN及(TiTa)N薄膜结构和性能影响

利用电弧离子镀技术在高速钢基体上制备了TiN和（TiTa)N薄膜，采用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）对薄膜的微观组织结构进行了系统分析，研究结果显示：随着阴极弧电流的增加，沉积温度线性上升，薄膜由（111）织构向无择优取向转化，阴极弧电流对TiN薄膜的显微硬度影响较大，而对（TiTa）N薄膜的显微硬度无显著影响，此外，讨论了阴极弧电流对TiN和（TiTa)N薄膜的微观组织和性能的影响机制。     

在钛阴极上电还原草酸制乙醛酸的电解工艺

本文报道在钛阴极上草酸还原制乙醛酸的电解工艺.测试结果表明:增加电解液中H~ 浓度,有助于乙醛酸的生成,主要表现为电能效率的提高;电解过程具有一适当电解周期;求得的乙醛酸理论分解电压E_d接近为一常数(-1.00v)。同时也探讨了乙醛酸分离的可行性。     

用射频CVD法在石英玻璃上生长微晶金刚石薄膜

利用射频等离子体化学气相沉积法（ｒ，ｆ．ｐｃｖＤ），在石英玻璃上生长出透明均匀的薄膜，经过电子衍射，激光喇曼散射，可见光透过率等测试，证明是金刚石薄膜，通过透射电子显微镜看不到颗粒。     

金属氧化物薄膜 在电子和能源上的基础和应用

无论从科学研究的角度还是技术应用前景角度,金属氧化物都是一类非常重要的材料。由于金属氧化物薄膜在各个设备上的广泛应用,并且具有可控微观结构的特性而广泛受到关注。因为其组分的复杂性（不同种类离子的存在）,金属氧化物薄膜呈现出多种性质,在一些实例中,其复杂的内部结构和动态电子性质相耦合,     

在不同衬底上用纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜

采用光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶 Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用引晶处与抛光 Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,在光滑的 Si3N4 和 Mo衬底上实现金刚石薄膜的高选择性生长 .     

云层间闪电在电缆上产生的电流和电压

文章在传输线理论的基础上，推导出了云层间闪电时在架空电缆上产生的电流和电压计算公式。对钢屏蔽护套电缆中产生的雷电流和雷电压进行了计算和分析，并提出了有效的防护措施。     

用PLD法在MgO(100)衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性

用脉冲激光沉积法在MgO(100)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为400℃、550℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明,在400℃和550℃下生长的ZnO薄膜具有高度c-轴择优取向,但是当衬底温度升高到700℃时,薄膜由单一的择优取向变为有两个较强的择优取向.通过光致发光谱可以发现,在550℃下生长的ZnO薄膜具有强的紫外发射和窄的FWHM,并且紫外发光峰的强度与ZnO薄膜的结晶质量密切相关.     

用U形切槽梁同时测定准脆性材料的拉伸强度和断裂韧度:实验分析

在U形切槽梁双参数测试法理论推导基础上,试验了21个大理岩U形切槽梁试样,用双参数法确定其拉伸强度和断裂韧度.为了保证测试结果的有效性,在断裂后的半截U形切槽梁上钻取了8个巴西圆盘试样和7个人字形切槽巴西圆盘试样,分别单独测试其拉伸强度和断裂韧度.不同方法测试结果比较表明:由U形切槽梁双参数测试法得到的拉伸强度和断裂韧度分别与用巴西圆盘试样测得的拉伸强度和用人字形切槽巴西圆盘试样测得的断裂韧度接近.用Gómez有关文献中PMMA材料的U形切槽梁实验数据进行分析,再次证实了U形切槽梁双参数测试法的有效性.     

细胞分裂素在mRNA和蛋白质水平上同时促进rbcS基因的表达

将紫萍半叶状体首先在不含细胞分裂素的培养液上于黑暗条件下培养10d，然后转移到长日照条件下、分别在含有或不含6—苄基嘌呤的新鲜培养液上培养．对半叶状体在培养过程中干重、叶绿素和可溶性蛋白含量方面的变化进行了分析，并且用Northern　blot的方法拉测了rbcS mRNA水平的变化，用SDS—PAGE分离和考马氏亮蓝染色的方法检测了其编码蛋白(1，5—二磷酸核酮糖羧化酶／加氧酶的小亚基，SSU)水平的变化．结果表明，6—苄基嘌吟显著地促进了半叶状体干重、叶绿素和可溶性蛋白含量、rbcS基因mRNA及其编码蛋白SSU水平的增加．由于在没有外源细胞分裂素的情况下，rbcS基因mRNA水平的增加并不能引起SSU水平的增加，所以认为细胞分裂素对该基因表达的促进作用同时发生在mRNA和蛋白质水平上．     

用X射线荧光光谱法测定玻璃基材上C TiO2薄膜的组分和厚度

在X射线荧光（XRF）分析中应用基于基本参数法的FP—Multi软件,采用C固定道和Ti、Al、Si扫描道,以99．999％石墨及纯Al、Ti、SiO2四个块样做标样,对玻璃基材上含有C元素的TiO2薄膜厚度及成分进行了测试分析。薄膜厚度的测定结果还与用nkd干涉仪、扫描电镜断面分析等方法的测试结果做对比。证明X射线荧光光谱法测定玻璃基材上C＋TiO2薄膜厚度及成分是可行的。     

SnO2和TiO2薄膜在钙钛矿材料上的原子层沉积工艺

金属电极与卤素之间的扩散反应是造成钙钛矿太阳电池(PSC)衰退的重要因素,而利用原子层沉积(ALD)技术在金属电极和钙钛矿活性层之间沉积致密且电学性能良好的缓冲层,是解决上述问题的优选方案之一.本文主要研究了利用ALD技术在金属有机卤化物钙钛矿材料上沉积SnO₂和TiO₂薄膜的工艺兼容性问题.通过X线衍射和紫外-可见吸收光谱等技术,表征了分别作为钛源和锡源的四(二甲氨基)钛(TDMATi)和四(二甲氨基)锡(TDMASn)脉冲以及不同温度下水脉冲对钙钛矿薄膜结构的影响,分析了不同前驱体源的脉冲及吹扫时间对薄膜沉积模式的影响,获得了与钙钛矿材料相兼容的SnO₂和TiO₂薄膜的优化ALD工艺.将优化后的SnO₂和TiO₂薄膜ALD工艺应用于倒置PSC制备,对电池的J-V曲线和大气环境下的稳定性测试结果表明,基于ALD技术沉积的SnO₂和TiO₂缓冲层的引入,使得PSC的稳定性明显改善,而且其功率转换效率也有所提高.     

沉积在Si衬底上Co_2MnSi薄膜的结构和磁性能分析

将不同厚度的Co_2Mn Si(CMS)薄膜沉积在Si衬底上,并在不同的退火温度下退火,以探究其微观结构以及磁性能的变化规律.保持CMS薄膜退火温度为600℃,随着薄膜厚度增加至100 nm,由于B2结构取向增大,其Ms随之相应增大到923 emu/cc;保持CMS薄膜厚度为50 nm,随着退火温度升高到700℃,可以观察到B2结构取向减小,而且Hc值异常增加到134 Oe,这可能是由于CMS层与Ta层存在相互扩散的现象所导致.     

在固体碱上用甲醇和CO_2直接合成碳酸二甲酯

探讨了压力、冷却速度、固体碱预处理等因素对于CO2 与甲醇在固体碱上直接合成碳酸二甲酯(DMC)反应的影响 ;微波法所制碱性多孔材料样品在该反应中的活性高于浸渍法所制样品     

在不同机型上用PASCAL建立UNIT和MODULE的分析

本文讨论和分析在PC系列机、VAX8350、MC68000系统上用PASCAL程序设计语言编制UNIT和MODULE的问题,分析和讨论它们共同点和不同之处。重点分析在PC系列机上用TURBO PASCAL5.0建立UNIT和共享问题。     

在Si（111）上外延生长硅化钴薄膜的SEM和XPS研究

利用质量分离低能离子束外延法,在Ｓｉ（１１１）上生长出了硅化钴薄膜,表面微结构及表面组分,化学价态的分析测试表明,此生长工艺已获得了无针孔的高品质单晶硅化钴薄膜。通过反应外延后做后退火和不做后退火样品的对比测试的结果,对这一薄膜生长的机理进行了探讨分析。