一种单电子晶体管的模拟新方法

基于主方程法,把单电子晶体管的稳定状态数简化为3个状态,得到了一个简捷模拟新方法,通过仿真与分析,这种新模拟方法模拟单电子晶体管I-V特性,具有合理的精确度,可用来分析SET—CMOS混合电路,这对数字逻辑电路的构造分析具有十分重要的意义。     

非对称性隧穿电容单电子器件模型与模拟

在基于单电子晶体管的半经典理论和主方程模型的基础上,提出了一种采用非对称隧穿电容设计的单电子晶体管,并用计算机模拟了对称结构的单电子晶体管和非对称隧穿电容(电阻)结构单电子晶体管的特性.模拟结果表明,用主方程法模拟非对称隧穿电容(电阻)结构设计的晶体管,其伏安特性曲线除仍保留对称结构具有的周期性以外,还具有正弦态、电阻态、方波态、截止态四种形态.其性能也有差异.     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管/场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的特性工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管/常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性.提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和单电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联隧道结数来抑制各种噪声.模拟结果表明,新结构的系统性能,特别是抗噪声性能有一定提高     

基于压控单元的单电子晶体管宏模型

在对纳米遂穿结(SETJ)及单电子晶体管(SET)的特性进行分析的基础上,笔者采用等效电路的方法,提出了基于压控单元的SET宏模型,仿真得到单电子晶体管的特性曲线.通过器件仿真的输出特性曲线与理想特性曲线的对比,得出曲线的走势与理想曲线基本一致,偏差不大.并且通过计算表明,数值的精度在合理范围内,验证了模型的合理性.     

单电子晶体管/场效应管混合存储单元数值分析

基于背景电荷不敏感单电子晶体管／场效应晶体管混合存储单元利用单电子晶体管源漏电流随栅电压周期振荡的牲工作,以半经典的单电子正统理论为基础,采用计算机数值模拟的方法,分析了背景电荷不敏感单电子晶体管／常规场效应晶体管混合存储单元的工作原理和基本特性,提出了存储单元中分别以三结电容耦合单电子晶体管和电子旋转栅替代双结单电子晶体管的新结构,其主要思想是通过增加单电子器件中的串联随道结数来抑制各种噪声。模     

基于SET/MOS混合结构的奇偶校验码产生电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑振荡效应和多栅输入特性,利用SET和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS管)的互补特性,设计了基于SET/MOS混合电路的奇偶校验码产生电路.利用HSPICE对所设计电路进行仿真验证,结果表明,该电路能够实现产生奇偶校验码的功能.该SET/MOS混合电路的实现只需要1个PMOS管、1个N...     

一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计

基于单电子晶体管(SET)的I-U特性和CMOS数字电路设计思想,提出了一类互补型SET逻辑门.在对由SET反相器构成的双稳态电路进行分析的基础上,提出了3种R-S触发器,最终得出了D触发器.通过选取1组SET参数,使触发器输入和输出高低电平接近于0.02 V和0,解决了电平匹配问题.SET的SPICE宏模型验证了设计的正确性.     

基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器

基于单电子晶体管(SET)和PMOS管串联产生的负微分电阻(NDR)特性,提出了一种新型的SET/CMOS反相器.该反相器利用NDR特性与NMOS负载管的电流-电压特性构成两个单稳态点,实现反相功能.应用HSPICE仿真器,采用精准的单电子晶体管的子电路模型及22nm CMOS预测技术模型对该反相器进行仿真,结果表明:该反相器的功能正确,具有比传统CMOS反相器更低的功耗;与其它单电子反相器相比,该反相器可在室温下实现输出电压全摆幅,且具有较低的传输延迟.     

基于SET/MOS混合结构的表决器电路的设计

基于单电子晶体管(SET)的库仑阻塞和库仑振荡效应,利用SET和MOS管的互补特性,提出了一种基于SET/MOS混合电路的新型表决器电路.利用HSPICE对所设计的表决器电路进行仿真验证,仿真结果表明SET/MOS混合电路能够实现表决器的功能.与传统CMOS电路相比,该SET/MOS混合电路使用的管子数目大大减少,功耗...     

一种基于SET/CMOS电路的二阶低通滤波器

在研究单电子晶体管(single electron transistor，SET)I-V特性的基础上，依据分区处理法，设计了一个SET、积分器电路，并采用级联方法实现了一个SET／CMOS二阶低通滤波器。仿真结果表明，该滤波器的幅频特性增益比采用其它方法描述SET I-V特性所构成的滤波器的幅频特性增益高出1倍多。     

一种单电子晶体管的Spice模型

基于单电子晶体管数学分析模型，提出了它的Spice模型。该模型由一个电压控制电流源、一个电压控制电压源和一个电压源构成。与半分析模型相比较，该模型准确地表现了单电子晶体管的I-V特性。利用该模型，分析了单电子反相器和改进了二叉判别图基本单元。     

单电子晶体管(SET)及其应用

当电子器件的尺寸接近纳米尺度时，量子效应对器件工作的影响变得格外重要，就需要采用具有新机理的晶体管结构，单电子晶体管（SET）就是其中一个典型的结构，文中对比传统晶体管（MOSFET）的工作原理，分析了单电子晶体管SET的工作机理，简要概述了SET的一些应用。     

Amplifying quantum signals with the single-electron transistor

Transistors have continuously reduced in size and increased in switching speed since their invention in 1947. The exponential pace of transistor evolution has led to a revolution in information acquisition, processing and communication technologies. And reigning over most digital applications is a single device structure--the field-effect transistor (FET). But as device dimensions approach the nanometre scale, quantum effects become increasingly important for device operation, and conceptually new transistor structures may need to be adopted. A notable example of such a structure is the single-electron transistor, or SET. Although it is unlikely that SETs will replace FETs in conventional electronics, they should prove useful in ultra-low-noise analog applications. Moreover, because it is not affected by the same technological limitations as the FET, the SET can approach closely the quantum limit of sensitivity. It might also be a useful read-out device for a solid-state quantum computer.     

电阻耦合单电子晶体管电学性能分析

基于单电子系统半径经典模型，分析了电阻耦合单电子晶体管的电学特性，得到其电学性能不随背景电荷分布变化的特点，通过时域特性分析，指出了时延参数τ＝C∑Rg，并用Monte-Carlo法对其构成的反相器进行了模拟验证。     

硅单电子晶体管制备及特性

采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流，电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单子隧穿效应，该器件的工作温度可达到77K。     

一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.     

中国借记卡安全电子支付的模型和协议研究

为使中国借记卡支持安全电子交易协议（SET），分析了中国借记卡的支付特点，提出了中国借记卡进行SET支付的模型和协议，该模型和协议基于SET协议，并且优化了SET协议，较好地解决了支付卡进行了电子商务支付的问题，并提出了中国借记卡进行SET支付的关键问题和解放办法：一是进行系统优化以提高性能；三是加强持卡者的身份认证。