金属酞菁LB膜的制备及结构表征

研究了金属酞菁化合物四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁铜和四（２，４－二甲基苯氧基）酞菁镍在汽－液界面上的成膜特性，制备了相应的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜。利用紫外可见吸收及偏振紫外可见吸收谱，表征了ＬＢ膜中的酞菁分子主要以二聚体的形式相对于基片水平排列。以酞菁ＬＢ膜为取向层制成液晶盒，取向向列型液晶Ｅ＿７。通过偏光显微镜及锥光干涉系统，确定液晶分子在ＬＢ膜上的排列情况，并进行了电光测试，讨论了导致不同取向效果的机理。     

聚酰胺酸盐LB膜的亚胺化研究

用付里叶红外光谱法研究了聚酰胺酸Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜的热亚胺化过程，与聚成胺酸及聚酰胺酸盐的涂膜进行比较，发现聚酰胺酸盐的ＬＢ膜的热亚胺化过程完全可以在比聚酰胺酸亚胺化低的温度下进行．计算了各反应的活化能，并讨论了影响反应规律、反应程度的因素．     

两亲配合物Cd（HQ）2LB膜的结构及其电致发光器件…

制备了两亲配合物二「Ｎ一十六烷基－８－羟基－２－喹啉甲酰胺」合镉「Ｃｄ（ＨＱ）２」的ＬＢ膜材料，采用π－Ａ等温线，紫外可见吸收光禚昨荧光光谱等方法研究了ＬＢ膜的结构，结果表明：ＬＢ膜分子排列是二维有序的超晶结构，Ｃｄ（ＨＱ）２分子的两个长链烷基生趣于亚相平面，两个亲水头基（８－羟喹啉）相对于法线以一定的角度倾斜：Ｃｄ（ＨＱ）２的单分子占有面积为０．７３ｎｍ＾３，单层高度２．５２ｎｍ，其ＬＢ膜的高荧     

苯乙烯吡啶盐染料分子的拉曼光谱

测定了三种用来制备Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（Ｌ－Ｂ）膜的苯乙烯吡啶盐染料分子的拉曼光谱。实验发现，在光照射下，碳碳双键的拉曼峰强度逐渐变小，由此证实了这类有机染料分子在光照射下碳碳双键发生断键，这可能是引起Ｌ－Ｂ膜光学二次谐波信号随时间减小的主要原因。     

荧光黄／酞菁超薄薄膜的电致发光特性

用荧光黄作发光层，以酞菁铜作空穴传输层，构成了三种结构类型的电致发光器件：ＩＴＯ（铟－锡氧化物）／荧光黄／铝，ＩＴＯ／酞菁酮（蒸涂膜）／荧光黄／铝及ＩＴＯ／酞菁酮（ＬＢ膜）荧光黄／铝。比较了酞菁铜蒸涂膜及其Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜的电传输特点，并对器件的电光特性进行了讨论。     

两亲配合物Cd(HQ)_2LB膜的结构及其电致发光器件研究

制备了两亲配合物二［Ｎ一十六烷基－８－羟基－２－喹啉甲酰胺］合镉［Ｃｄ（ＨＱ）２］的ＬＢ膜材料．采用π－Ａ等温线、紫外可见吸收光谱和荧光光谱等方法研究了ＬＢ膜的结构．结果表明：ＬＢ膜分子排列是二维有序的超晶结构，Ｃｄ（ＨＱ）２分子的两个长链烷基垂直于亚相平面，两个亲水头基（８－羟基喹啉）相对于法线以一定的角度倾斜；Ｃｄ（ＨＱ）２的单分子占有面积为０．７３ｎｍ２，单层高度２．５２ｎｍ．其ＬＢ膜的高荧光性质可作为电致发光器件的发光材料，器件的驱动电压为７Ｖ，最大亮度为１２００ｃｄ／ｍ２．     

动态混合高结合力超厚TiN膜

在新型的ＭＢＭＩ多束混合注入设备中、高真空条件下，在Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ基底上采用化学配比态的强流Ｎ＾＋离子束，动态混合真空弧Ｔｉ等离子体束的沉积膜，得到高结合力（Ｌｃ：１００Ｎ）超厚（１０－３０μｍ）的ＴｉＮ膜。     

二十二碳烯酸LB膜热稳定性的研究

有机材料ＬＢ膜在热释电成像器件方面应用具有较大的潜力，但性较差是其缺点，该文了二十二碳烯酸（２２－ＴＡ）粉末样品及其ＬＢ膜退火前后的Ｘ光电子能谱，研究了基分子结构的热稳定性；采用Ｘ光小角衍射测量了２２－ＴＡＬＢ膜的晶状主其常温下随时间的变化，分析了这种热诱导变化的产生原因。所得结果对设计制作性能稳定的热释电有机ＬＢ有一定的帮助。     

应用原子力显微镜研究混合表面活性剂不溶膜的结构

利用ＬＢ技术和原子力显微镜研究表面活性剂混合不溶膜的结构。结果表明Ｃ１８Ｈ３７ＳＯ３Ｎａ－Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＨ混合凝聚膜发生机分离,Ｃ１８Ｈ３７ＳＯ３Ｎａ形成六方微畴分布在连续的Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＨ相中;Ｃ１２Ｈ２３ＳＯ４Ｎａ－Ｃ１８Ｈ３７Ｎ（ＣＨ３）３Ｂｒ形成了相当 均匀完整的混合膜;Ｃ１８Ｈ３７Ｎ（ＣＨ３）３Ｂｒ－Ｃ８Ｆ１７ＣＯＯＨ所成膜呈微不均匀状态。结果说明混合不溶膜表面状况由极性头相互作用与     

复合型纳滤膜的制备及表征

在聚砜基膜上用界面聚合法制备了两种复合型纳滤膜ＰＡ０１和ＰＡ０２。在０．３ＭＰａ下,ＰＡ０１膜对ＭｇＳＯ４溶液和ＦｅＣｌ３溶液的脱直 ９６．０％和７８．０％,水通量分别为８．５（Ｌ．ｍ＾－２．ｈ＾－１）和７．９（Ｌ．ｍ＾－２．ｈ＾－１）;ＰＡ０２膜对ＭｇＳＯ４ｉｐｗｋｉｙｗ （２．０ｇ．Ｌ＾－１）和ＣａＣｌ溶液（０．５ｇ．Ｌ＾－１）的脱盐率分别为９８．０％和８８．８％,水通量分别为１．０（Ｌ。ｍ＾     

SIMOX材料薄膜厚度的测量和分析

讨论了由国产LC－14型强流氧离子注入机制备的SIMOX（sepqration by implanted oxygen）材料薄膜厚度的测量和分析。采用红外吸收光谱测量SIMOX绝缘埋层的厚度，这是一种快速非破坏性测量方法。根据离子注入原理估算表面硅层的厚度，并分析了影响估算精度的各种因素。     

BaTiO_3与PVDF热释电复合膜的研究

采用在成膜过程中加直流电场和不加电场两种方法制备了ＢａＴｉＯ３＋ＰＶＤＦＩ合薄膜，在１０ｋＶ／ｃｍ电场下制备的复合膜热探测优值ｐ／ε达到１．５×１０－７Ｃ／ｍ２·Ｋ，而无电场制备的复合膜只有１．２×１０－８Ｃ／ｍ２·Ｋ．实验表明在成膜过程中施加强直流电场，可以使铁电颗粒的ｃ轴转向，平行子电场的方向．ＢａＴｉＯ３颗粒的择优取向使复合膜易于极化，从而提高了复合膜的热释电性，并改善了老化性能．     

聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜和复合膜的制备与结构研究

采用溶胶-凝胶法和二氧化硅粒子掺杂共混法分别制备了聚酰亚胺/SiO2杂化膜和纳米复合膜.采用红外分光光度计(FTIR)、热重分析仪(TGA)和透射电镜(TEM)表征了所制备膜的结构微观形态和热性能并进行分析对比,结果表明在杂化膜中SiO2在聚酰亚胺基体中可以形成分子级分散,复合膜表现出较强的吸湿性使其热分解温度较低.研究认为,采用溶胶-凝胶法制备聚酰亚胺/SiO2介电材料更为合理.     

水基热分解法制备钛酸铅系薄膜

采用水基热分解法在ＳｉＯ２／Ｓｉ基底上制备了钛酸铅和掺镧钛酸铅铁电薄膜。详细研究了以水为溶剂，将铅盐和钛醇盐等直接加入到溶剂中制成先体溶液，测量溶液的ＤＴＡ－ＴＧＡ曲线和透光率曲线；对薄膜作ＸＲＤ和ＳＥＭ分析，并对其结果进行了简要讨论了测量了室温下薄膜介电性能和铁电性能。     

转光农膜的光谱特性分析

测试分析了转光农膜的透光值、辐射强度、量子流密度等光谱特性,并给出了北京地区自然光和转光膜透过光的光谱分布。分析表明:转光剂的引入使透光值提高1.39％～1.75％,透过光中紫外光和绿光减少,红光辐射强度提高可达4.69％;提出农膜转光值表征方式,得到620nm处的红光转光值为2.0％～6.9％,340nm的紫外光为—0.5％～—2.7％。北京地区自然光及试验膜透过光辐射分布呈不均匀状态,600～660nm橙红光较为充足,在可见光中占29.16％,绿光占23.11％,而紫外光含量仅占300～1100nm日光辐射的0.27％。     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

Nb超导薄膜的射频磁控溅射和阳极化的研究

本文报道了在国产JS—450A装置上,用射频磁控溅射制作高质量Nb膜的方法,所得Nb膜的Tc可达9.2K。在CS—308闭合循环制冷机上对于用这种Nb膜制成的超导微桥进行了低温测试,得到了Ic～T的变化关系和在微波辐照下的交流I—V特性。比外,本文还介绍了Nb膜阳极化研究的实验结果,以及Nb桥弱化处理方面的工作。     

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２，矫顽场强为８０ｋＶ／ｃｍ     

交、直流铝阳极氧化多孔膜的组成及结构比较

对硫酸溶液中交、直流氧化铝多孔膜的组成及结构进行了研究．交、直流氧化铝多孔膜均由(Al2O3)2·H2O、Al(OH3)和Al2(SO4)3组成,此外,交流氧化膜形成过程交流负半周的存在,使得其成分中还含有一定量的S单质和硫化物．直流氧化膜的孔形较交流氧化膜更规则．交流氧化膜的表面被显著粗化．