基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

结型器件基区少子有效寿命测量

从电荷动力学方程导出P~ NR或N~ PR窄基区和长基区非对称结在小注入电流脉冲结束后开路电压随时间衰减的关系式。此函数关系是窄基区杂质任意分布的普遍解。与以往的测量电路比较,在此工作中改进的测量电路扩展了少子有效寿命测量下限。     

基于少子寿命测量研究晶硅电子态缺陷

基于瞬态微波光电导少子寿命测试仪和MATLAB编程研究了确定硅片的复合中心浓度和陷阱中心浓度的方法。利用瞬态微波光电导少子寿命测试仪,我们测量了硅片的少子寿命及微波光电导瞬态电压信号随时间的变化特性。根据已知的注入水平和相关复合参数,建立少子寿命与复合中心浓度的关系,我们得到硅片中的复合中心浓度。利用瞬态电压信号的时间变化特性与非平衡载流子浓度的时间衰减特性的关系,我们得到非平衡载流子浓度随时间的衰减曲线。结合非平衡载流子时间衰减特性曲线和陷阱模型表达式,利用MATLAB软件进行数值拟合得到了硅片的陷阱中心浓度。     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究

根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入p区的电子复合带来的开路电压与寿命的关系式(Voc(t)),同时也研究了n/p结势垒电容放电对Voc(t)的影响.因此建议使用开路电压随时间的衰减关系式(Voc(t))测量少子寿命的方法.     

晶闸管中少子寿命控制技术的分析研究

本文通过对掺 Au、掺 Pt、电子辐照、γ射线辐照实验样片的 DLTS 测量、分析,确定它们在 N 型硅片中产生的有效复合中心能级分别为 E_(c-0.54ev)E_(v+0.42ev)、E_(c-0.42ev)、E_(v+0.45ev)。根据 Shockley 单能级复合理论的计算及采用四种寿命控制方法制造的快速晶闸管电参数的测量、分析和比较,提出对这四种少子寿命控制技术的适当评价。     

离子注入MOS结构少子产生寿命的确定

本文分析了非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构的电流和电容对线性扫描电压的瞬态响应，采用较精确的产生区模型，提出了瞬态电流和瞬态电容联合技术测量非均匀掺杂衬底ＭＯＳ结构电容少子产生寿命的方法，本方法无需计算图形积分和衬底的杂质分布，因而简单实用。     

未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量

使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎ ＧａＡｓ电池ｎ层少子产生寿命部面图，讨论它对电池性能的影响。     

半导体材料和器件的少子扩散长度随工艺跟踪测量

在同一设备上综合地应用表面光伏谱、结光伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测量．本方法具有设备简单、方法容易、不破坏样品等优点，可作为监测材料质量和器件工艺水平的重要手段．     

Influence of surface passivation on the minority carrier lifetime,Fe-B pair density and recombination center concentration

Three kinds of methods (0.08 mol/L iodine in ethanol, SiNx:H, and 40% HF) are used to passivate solar-grade Czochralski (Cz) silicon wafers. Thereafter, minority carrier lifetime and Fe-B pair density of the wafers are measured using the microwave pho-to-conductance decay (μ-PCD) technique. Based on the measured minority carrier lifetime, it is found that the passivation quality achieved by 0.08 mol/L iodine in ethanol is the best, while that by 40% HF solution is the worst. For the identical wafer, the density distribution of Fe-B pairs is different when different passivation methods are used. When the wafers are passivated by SiNx:H, there exists a close correlation between the distribution of minority carrier lifetime and the concentration distribution of Fe-B pairs. Furthermore, for wafers with high-quality passivation, there is a strong correlation between the recombination center concentration and the Fe-B pair density. All the analyses verify that the surface passivation quality of wafers influences the measurement results of minority carrier lifetime, Fe-B pair density and recombination center concentration.     

硅片不同表面钝化工艺的稳定性研究

研究分析了热氧化钝化,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化以及碘酒钝化三种表面钝化工艺的稳定性,通过WT-2000少子寿命测试仪对采用这三种钝化工艺的单晶硅片,多晶硅片以及物理提纯硅片在暗条件不同储存时间的少子寿命进行测量,分析得到三种表面钝化工艺的效果以及稳定性。研究结果表明:碘酒钝化效果好,用PECVD双面沉积SiNx:H膜钝化和热氧化钝化稳定性好。     

基于铁基载氧体的甲烷化学链燃烧数值模拟

基于Gibbs自由能最小化原理,建立了以Fe2O3为载氧体的甲烷化学链燃烧模型,研究了流化床燃料反应器内反应物摩尔比、温度以及操作压力对反应产物分布和载氧体反应活性的影响,并揭示了其反应机理.结果表明:当Fe2O3与CH4反应物摩尔比保持在12左右,反应器温度控制在850～900℃范围时,出口处CO2的摩尔分数达到最大...     

结构疲劳寿命可靠性的计算机模拟

以计算机模拟了结构疲劳破坏的全过程，并据此计算了疲劳可靠性寿命。在损伤 阶段用实测数据处理得到的 Ｈｕｓｔｏｎ－Ｓｋｏｐｉｎｓｋｉ曲线模拟实测的随机应力，并采用 Ｍｉｎｅｒ线性累积损伤理论模拟真实损伤过程。在裂纹扩展阶段，采用 Ｐａｒｉｓ公式模 拟在随机应力下裂纹扩展。对模拟结果用概率论方法处理得到了结构的疲劳可靠性 寿命。     

利用LBM-DEM方法模拟研究粗颗粒管道水力输送

管道水力输送是运输固体物料的一种重要方式。本文采用Fortran语言在Visual Studio平台建立了一套描述粗颗粒管道水力输送过程的LBM-DEM数值模拟方法,并用该方法对相同体积的双层颗粒群和三层颗粒群在水平管道中的运动进行了模拟,研究了不同颗粒堆积方式下的水力输送特性。结果表明:推移运动是粗颗粒在水平管道中的主要运动形式,部分颗粒在水流的作用下会产生跃移运动;颗粒群前方存在水流低速度区,且管道初始流速越低、颗粒直径越大时,低速度区的存在越明显;颗粒群上层颗粒在运动的过程中会产生坍塌,随着管道初始流速的增大和颗粒直径的减小,上层颗粒由向下层坍塌逐渐转变为向颗粒群前方坍塌;堆积方式对颗粒群在管道中的运动具有重要影响,双层颗粒群和三层颗粒群在低速度区特性、颗粒坍塌方式等方面存在部分差异。该研究可为粗颗粒管道水力输送技术的发展起到一定的指导作用。     

Photoconductive study and carrier dynamics of vertically aligned GaAs nanowires

Single wire devices are generally fabricated to study the electrical and photoelectric behaviors of semiconductor nanowires(NWs);however detriment or contamination can hardly be avoided during manipulation of NWs under focused ion and electron beams.This could not be a trivial factor for III-V NWs which are candidates for high efficiency solar energy harvesting and sensitive photodetection.In this study an alternative way to probe the photoconductive property of individual epitaxial GaAs NWs is presented.For the sample preparation,a uniform spin-coated layer of polymer was selected to be the supporting medium for the vertically aligned NWs structure;then the adequate thinning and polishing of the sample exposed the NW tip and also achieved the required height of NW.An external power adjustable laser was introduced as the excitation source,and the dark and photoconductive currentvoltage properties of individual NW were measured by the conductive atomic force microscopy.The typical Schottky style photoconductive behavior was observed in the vertically aligned GaAs NW,and its photoresponsivity has been found to be much higher than that of the reported for single NW photodetector.Finally,a numerical model based on the experimental setup was established to simulate the photoelectric behavior of individual NW.The minority hole lifetime has been found to dominate the photoconductive current-voltage properties of NW under the positive sample bias,and can be derived from the quantitative fitting of experimental photo-IV curves.     

基于典型相关分析法的顾客生命周期影响因素的实证研究

基于安徽省水泥行业B2B市场顾客的抽样调查数据,运用典型相关分析法实证研究水泥行业顾客生命周期的影响因素.利用SPSS13.0统计分析软件分析实证数据,通过因子分析、典型相关分析等方法研究顾客满意、顾客价值、顾客信任及其子因素与顾客生命周期之间的关系.结果表明,顾客满意、顾客价值和顾客信任是影响顾客生命周期的三大重要因素.     

乙烯裂解炉管中时变应力场和蠕变损伤分数数值模拟

通过对乙烯裂解炉管典型工况分析,建立了炉管在温度、内压、渗碳和蠕变等交互作用下的有限元计算模型,并对HK40奥氏体耐热钢制成的乙烯裂解炉管在1173K下的应力场和蠕变损伤分数进行了模拟;结果表明渗碳是引起炉管失效的主要原因。通过计算得到的炉管失效方式、位置和炉管寿命均与实际运行结果基本吻合。