汽相生长的碲锡铅单晶的质量评价

碲锡铅(Pb_1-xSn_xTe)是一种禁带宽度可调的三元化合物半导体,用它不仅可制备814μm的高灵敏度的红外探测器,而且可以制备长波红外可调谐激光器.     

Te溶液生长半磁半导体Cd1-xMnxTe的光学和电学性质研究

测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd_1-xMn_xTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd_1-xMn_xTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn²⁺3d (⁴T₁)能级出现在Cd_1-xMn_xTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。     

用Mie散射研究Hg1-xCdxTe中沉淀物的消光光谱

用经典的理论计算了Te,HgTe和Hg_1-xCd_xTe的复折射率.采用气溶胶模型处理Hg_1-xCd_xTe中的Te和HgTe微沉淀物的消光作用,用Mie散射理论算出了各种大小的这些沉淀物在100K和300K时的消光光谱.     

In1-xGaxAsyP1-y-InP异质结界面组分过渡层的俄歇电子能谱研究

用俄歇电子能谱研究了由两相过冷溶液法液相外延生长的In_1-xGa_xAs_yP_1-y-InP单异质结.四元层初始生长温度在631℃至641℃范围内变化;降温速率在0.7/~1.2℃/分之间变化.层厚小于0.5μm的薄四元层内各组分的原子百分浓度不随深度而变,即不存在组分梯度.异质结界面组分过渡层内P组分的原子百分浓度C_p(Z)随深度Z的变化,可用一双曲正切函数的经验公式表达.     

Nd-Fe-B合金定量相分析的穆斯堡尔效应研究

用穆斯堡尔效应对Nd₁₅Fe_85-xB_x(x=0,2,4,8,11)合金的物相进行了定量计算,并讨论了硼在决定合金的相组成进而影响合金磁性能方面的作用.实验结果表明,随B含量的增加,合金中四方相的量逐渐增加.在x=8处达到极大值.根据四方相的量及磁矩取向度计算了合金的剩磁,计算值与实验值很好地吻合.     

InSb1-xBix的液相外延

本文采用液相外延方法在InSb衬底上生长InSb_1-xBi_x外延层,初步得出了外延生长条件包括温度,生长速率,熔池组分及衬底取向等与外延层x值的关系.此外,为了使x值达到所希望的适当范围,进行了InSb_1-xBi_x电外延的初步试验.     

In1-xAlxAs/GaAs一维超点阵结构的X射线衍射和Raman散射研究

用同步辐射和CuKα X射线衍射方法对In_1-xAl_xAs/GaAs一维超点阵结构进行对比式研究.从低角衍射数据求得超点阵的周期Λ,由GaAs(002)附近衍射数据求得各结构参数.对两种光源的衍射结果进行了分析和比较.解释了该超点阵的Raman散射谱,发现在Ga_1-xAl_xAs混晶谱中不存在的275cm^-1峰.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

(ZnGeP2)1-x(GaP)2x体系相结构及其特性研究

研究了(ZnGeP₂)_1-x(GaP)_2x体系的相结构,测量了因Ga取代部分Zn和Ge所引起的该体系的电学、光学、机械性能等的变化,并对这些变化的可能原因作了初步的探讨.     

固体粒子对浓悬浮液流变性能的影响

以高氯酸铵和铝粉为分散相,端羟聚醚二醇为连续相,考察了总固体粒子的体积分数φ,粒度比R,以及小粒子占固体总量的体积分数φ_s对浓悬浮液流变性能的影响.对双峰分布分散系,浓悬浮液的粘度在φ_s=0.30时达到最小,并随R的减小而下降.固体细粒子对浓悬浮液的假塑性程度关系极大.当悬浮液中细粒固体增加或粒度比减小时,体系假塑性程度增大;有非球形粒子的悬浮液中,φ和φ_s的影响更大,但宽分布球形粒子构成的二元系,φ对假塑性的影响比窄分布体系小.     

磷砷化镓中氮和氧引起的深能级

用离子注入技术对磷砷化镓进行了掺氮,给出了组分在0.175 ≤ x ≤ <0.8间氮能级随组分变化的方程式.     

Na-Hg二元系低钠组分的熔体模型

按照化学平衡熔体模型可以解释Na-Hg二元系低钠组分的活度随组成和温室的变化.计算获得的平衡反应.     

光截止法中透光因子的解析式及其与碲镉汞组分的关系

本文导出光截止法中透光因子的解析式,它们分别适用于短波和长波.这些表式被用于实验测量并证明对改善精度和测量速度是很有用的.根据这些表式,获得精度为10^-5的3000个数值的表,进而得到碲镉汞组分x和透光因子F的一个有用的精确到2×10^-4的解析式.     

In-Sb薄膜的相变和电学性质研究

本文研究了In_xSb_1-x(x=0.27~0.45)的溅射薄膜从非晶态到晶态的相变动态过程,及该系统薄膜在相变过程中电性质的变化,还讨论了非晶态In-Sb薄膜的结构变化与电性质的关系.