快中子发生器屏蔽的Monte－Carlo估计

本文介绍的是一个在微机上实现的计算快中子屏蔽的Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ程序．采用历次飞行法对结果进行统计估计，对中子发生器周围的屏蔽作了简单模拟，结果表明采用的物理模型是正确的．该程序改进后也可用于多次散射的计算，或模拟其他中子源的屏蔽，故有一定的实用价值．     

MCNP与DORT耦合计算方法研究

 基于蒙特卡罗方法的MCNP程序和离散纵标法的DORT程序, 在解决辐射屏蔽设计过程中确定屏蔽方案时, 单独使用MCNP或DORT计算屏蔽效果的两个粒子输运程序各自存在某方面缺陷的问题.通过研究MCNP与DORT两个程序的功能与特点, 编写接口程序, 实现了MCNP与DORT的耦合计算, 弥补各自运算中的缺陷, 扩展了程序的适用范围.通过验证, 表明自主开发的接口程序能够完成两个程序输入输出文件的相互转化, 耦合计算精度满足要求, 且对各类问题有较好的处理能力, 该耦合接口程序已初步应用于工程计算.     

同步辐射锯齿屏蔽墙的Monte-Carlo模拟

同步辐射锯齿屏蔽墙是整个同步辐射装置防护的主要部分.以储存环内3.5 GeV能量和300 mA电子束流的同步辐射装置为例, 用Monte-Carlo程序包EGSnrc对锯齿屏蔽墙进行了分析和计算,并对计算结果进行讨论.     

邮件辐照系统屏蔽的Monte Carlo计算

为评价电子束邮件辐照系统的屏蔽设计,采用Monte Carlo程序包EGSWIN系统以及MCNP4C,对屏蔽计算的方法进行了研究。针对深穿透问题,提出了等效算法。利用EGSWIN对电子束打铝板所产生韧致辐射的能谱、方向和强度进行计算,给出等效光子源。引入指数变换和权重窗的减方差技术,用MCNP4C对屏蔽结构进行了模拟,在较短的时间内以较高的精度得出结果。通过与经验公式计算以及实验结果的比较,验证了所采用方法的正确性。     

14 MeV中子照相中CCD芯片的屏蔽计算

快中子照相实验中,电荷耦合装置(CCD)是重要的成像器件。快中子辐射不仅会减少CCD的使用寿命,而且会对快中子图像带来影响,因此必须对CCD芯片进行有效的屏蔽,减少快中子辐射对芯片的损伤。该文利用MCNP/4B程序计算了14MeV中子照相中不同屏蔽材料组合条件下CCD芯片的吸收剂量。计算结果表明,在对CCD进行有效的屏蔽后,芯片的吸收剂量是屏蔽前的3%,按源中子数归一后仅为1.29 aGy,已经达到屏蔽要求。计算结果还表明,环境散射中子辐射对芯片吸收剂量贡献较小,可以忽略。     

BⅠ等电子序列离子基组态能量的相对论屏蔽理论计算

作者以相对论多体微扰理论为基础，提出了一种相对论屏蔽理论计算等电子序列离子基组态能量的方法．用该方法和作者设计的FORTRAN程序，对BⅠ(Z=5～60)等电子序列离子的基组态能量进行了理论计算研究，计算结果与已有的实验结果十分接近，表明该计算方法是可行的。     

核反应堆本体屏蔽设计计算程序系统

本文是利用多群分出扩散理论来计算反应堆本体屏蔽区中子通量分布,在此基础上,又计算了γ光子通量、剂量率分布,以及中子和γ光子产生的发热率分布,从而解决了堆内构件辐照损伤和屏蔽区外表面辐射泄漏问题. 计算结果与三群法计算结果相比,本程序可靠,且计算简便,适用于核反应堆本体屏蔽设计的计算要求.     

减缩时域有限差分法在电磁干扰预测中的应用

对减缩时域有限差分(R-FDTD)法进行了改进，采用传统时域有限差分(FDTD)法计算导体和源网格处的电场，其余网格处的电场采用R-FDTD法计算．细导线附近网格上的磁场也采用传统FDTD法计算，这样可以消除直接利用R-FDTD法计算时长时间迭代后出现的不稳定性．用这种改进的R-FDTD方法分别对一个在导体壁上开有水平和垂直缝隙的矩形屏蔽外壳的电磁干扰进行了预测，得到了屏蔽外壳激励源的输出功率曲线和屏蔽外壳的泄漏功率曲线，所得的计算结果与文献报道的实验数据吻合．     

辐射屏蔽衰减量的一种数值解析法

提出一种新的bound box法计算γ线穿透各种形状屏蔽物体的衰减量。采用空间坐标变换的方法，建立了各种基本形状屏蔽物体的bound box的数学模型。该方法用6个平面代替了复杂的屏蔽物体，可快速计算从放射线源到评价点的视线所穿透屏蔽物体的距离，并由屏蔽领域的距离可快速预潮辐射屏蔽的衰减率。     

蒙特卡罗方法在修正中子俘获反应截面测量中的应用

作者采用MCNP4B程序,对中子俘获截面测量中,由于多次散射、自屏蔽效应等引起的数据歧离修正方法进行了研究.针对在北京大学4.5MeV静电加速器上进行的152Sm(n,γ)153Sm在22~1019keV能区中子俘获截面的测量,对其多次散射及自屏蔽效应修正因子进行了计算.     

光子空气散射基准问题的Monte Carlo模拟

用并行化的MCNP(Monte Carlo N-particle)程序模拟了美国堪萨斯州立大学1977的光子散射实验基准问题。针对不加顶盖屏蔽层的情况,对问题的几何和材料进行了详细的描述,模拟了地面、水泥柱壳屏蔽体和小车的散射。由于问题并不是完全轴对称的,因而采用的是点探测器估计,用100个处理器模拟了1亿个样本,给出了计算结果和实验值的对比,模拟结果和试验结果存在一些差别,但趋势相同。同时,用指向概率法的MCCO程序与MCNP进行了比较。模拟中还考虑了加重要性和不加重要性对计算效率的影响。     

金属网屏蔽笼屏蔽效能的计算模型及方法

为了研究金属网状屏蔽体屏蔽雷电冲击磁场的屏蔽效能,考虑到雷电波在波头部分的波长远大于一般屏蔽体的尺寸,可用电路方法求解,因此采用回路电流法计算金属网屏蔽体的屏蔽效能。根据场源的对称性,提出将立方形网状屏蔽体简化为圆柱形同轴圆环的计算方法。此算法实现了在微机上对密网孔大体积的屏蔽体的暂态屏蔽效能进行计算。其计算结果与实测值是吻合的。     

用MCNP程序计算水平辐照孔道屏蔽

研究堆中水平辐照孔道用以从堆芯附近引出高能中子流。由于水平辐照孔道的几何形状比较复杂 ,采用两维输运计算模型将会引入较大的误差 ;同时 ,在计算过程中由于粒子穿行的距离比较长 ,所需的计算时间也是很大的。讨论了如何用 Monte Carlo方法的 MCNP程序进行水平孔道的屏蔽计算 ,引入了分段 -衔接计算方法 ,着重介绍了与 MC-NP的接口和表面源的设置问题。计算结果表明 ,分段 -衔接的 MCNP方法能够大大的改善 Monte Carlo方法的抽样 ,很好地解决水平辐照孔道的屏蔽计算问题     

任意形状腔体电磁屏蔽问题的研究

本文首先提出了一种足以满足工程需要的简化电磁屏蔽理论,导出了任意形状腔体电磁屏蔽问题的积分方程;然后以任意形状截面柱体为例,用矩量法求解积分方程,得到电磁屏蔽效果;最后用FORTRAN语言编写了通用程序,对工程上常用的几种形状截面柱体进行了计算。提出了无屏蔽频率和最佳屏蔽频率特性的概念。     

基于GPU的通用计算模型

基于计算核和图形接口能够支持GPU 通用计算的特点,给出了一个规范的四层编程模型.本文主要研究了在系统抽象层中对计算核和图形接口层的图形操作抽象成通用计算的过程,其目的是屏蔽图形操作的痕迹,使在应用层执行屏蔽图形绘制程序,图形接口能够被抽象成GPU进行通用计算操作,提高面向GPGPU绘制语言的可描述性和规范化,并通过检测模块的设置检测运行环境,以提高效率.     

导电织物电磁屏蔽特性的数值计算

采用绝对稳定的时域有限差分法，结合完全匹配层(PML)吸收边界条件，计算了由直径为微米量级导电纤维构成的织物对TEM波的屏蔽．考察了织物的几何参数、纤维的电磁参数和入射场极化方向与屏蔽效能(SE)之间的关系．在此基础上，对薄膜和织物的电磁屏蔽特性进行了对比分析．用我们研制的新型导电纤维编织的织物样品进行了测量，结果和数值计算符合较好。     

蒙特卡罗方法用于研究堆的屏蔽计算

为解决研究堆的屏蔽计算问题 ,讨论了应用 MonteCarlo方法的 MCNP程序进行反应堆的屏蔽计算 ,引入了结合抽样技术的 MCNP分步计算的方法。该方法特别适用于计算物理模型比较大 ,屏蔽层比较厚 ,粒子的穿透距离比较长的问题。在这一类的问题中 ,单步计算根本无法计算出结果 ,利用分步计算和抽样技术则能在较短的时间内以较高的精度 (统计误差小于 10 % )得出结果。结合抽样技术的MCNP分步计算方法能够很好地解决深穿透问题     

新疆某公司工业X射线探伤室辐射防护评何

本文通过对某公司的工业X射线探伤室屏蔽厚度进行计算，依据屏蔽厚度计算数值进行放射防护建设，并进行了屏蔽能力分析，为探伤室放射防护工作提供科学依据，从根本上保障放射工作人员和周围公众的健康与生命安全。     

钨和铅作为γ射线屏蔽材料的性能对比研究

首先通过对钨和铅的物理特性、价格、环保等方面特性进行了对比.当光子的能量为0.1、0.2、0.51、和1.25 MeV时,通过理论计算得出钨镍合金和铅在γ射线衰减10倍的情况下,分别所需两种物质的厚度,并作出对比图,其中钨镍合金是一种含钨量超过90%的钨基高比重合金,它是钨在工程应用中的主要存在形式.最后基于MCNP程序建立了常用的屏蔽模型,模拟计算结果显示理论计算的厚度都能够实现有效屏蔽.结果表明:钨作为新型的屏蔽材料具有很多的优势,对γ射线的屏蔽能力远高于铅.     

超导MRI房间屏蔽后的谐波分析

采用最小二乘拟合法，对超地ＭＲＩ房间屏蔽后的谐波磁场进行了分析计算，为设计补偿线圈提供了依据。