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相似文献
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1.
快速热氮化改善n-MOSFET栅氧化层的加速击穿   总被引:1,自引:1,他引:1  
研究不同类型、不同沟道长度的n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)在不同栅电压下工作时栅氧化层的击穿特性。结果表明,MOSFET栅氧化层的加速击穿起因于沟道大电流,而栅氧化层进行快速热氮化可极大地改善其栅氧化层的击穿特性。  相似文献   

2.
主要研究了双栅GaAsMESFET增益控制特性,利用双栅GaAsMESFET第二栅的电压来控制管子网络的增益,利用这种特性实现了脉冲对微波振荡器的调制。利用微带电路研制了结构紧凑、低成本、性能高的RF脉冲振荡器。该RF脉冲振荡器可用作小功率脉冲雷达源,特别适用于飞行器上的雷达发射源。  相似文献   

3.
论述了铁电场效应晶体管(FFET)的基本工作原理,给出了其设计方案.采用SOL-GEL法制备了基本的MFS-FET和MFOS-FET,对其电性能进行了测试分析.测试结果表明:MFOS结构的FFET具有极化存储特性.  相似文献   

4.
用一种简单明了的新方法推导了MOSFET热噪声电流功率谱密度的通用计算公式,据此计算得到了光纤通信接收机中MOSFET热噪声电流功率谱密度为SID=4KTagmsat或4KTγgdohm,其中α和γ是由器件衬底掺杂浓度、栅下氧化层民容大小、漏极电压等参数决定的因子。本文证明了对于光接收机中工作在放大状态的MOSFET,取α=2和γ=2/3能较好地符合实际情况,而现有一些光纤通信文献中取α=2/3则  相似文献   

5.
INSITUCOMBINEDTEMPERATUREPROGRAMMEDREDUCTION┐MOSSBAUERSPECTROSCOPICTECHNIQUESTUDYOFTHEINTERMEDIATESFORMEDDURINGTHEREDUCTIONOF...  相似文献   

6.
论述了铁电场效应晶体管的基本工作原理,给出了其设计方案。采用SLO-GEL法制备了基本的MFS-FET和MFOS-FET,对其电性能进行了测试分析。测试结果表明:MFOS结构的FFET具有极化存储特性。  相似文献   

7.
MAGNETICRELAXATIONATEARLYTIMESANDFLUXDIFFUSIONBARRIERV(J,B,T)FORTi-1223DOPEDWITHPbANDBaBYCOMPLEXACSUSCEPTIBILITYMEASUREMENTSD...  相似文献   

8.
QWF-1型汽车尾气分析仪配装自动记录仪的研制DEVELOPMENTONTHEATTACHEDAUTOMATICRECORDDIALOFMODELQWF-1AUTOTAIL-GASANALYSISAPPARATUSLiLiangerChenJianb...  相似文献   

9.
中小型海水养殖育苗厂的设施配套和综合利用FACILITYCOMPLETESETCOMREHENSIVEUTILIZATIONOFSMALL┐MEDIUNSIZEDMARICULTUREFRYRAISINGPLANT谢海妹XieHaimei(舟山水产...  相似文献   

10.
改进型PVDF—MOSFET超声传感器声学和电学特性   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文提出了一种利用绝缘钝化PI膜垫高扩展栅电极的改进型PVDF—MOSFET超声传感器的结构,从而达到减小寄生电容和提高灵敏度的目的.实验测量表明,该传感器工作在λ/4的振动模式下,具有良好的电压传输特性和频响特性,灵敏度比普通POSFET传感器提高了3.8dB。  相似文献   

11.
NETSOFLFSETSINLFSUM─TOPOLOGICALSPACES¥ZhuMingkui;SunQun(TheDepartmentofMathematics)Abstract:Inthispaper,wediscusstherelationo...  相似文献   

12.
用正交法选初值求多元函数的最小值石益祥       (基础课部)SELECTINITINALPOINTBYOTHOGONALOPTIMIZEDTECHNIQUETOEXTRACTMINIMUMOFFUNCTIONOFMANYVARIABLESShiY...  相似文献   

13.
ATECHNIQUEOFTHETELEVISUALMICROSCOPICMEASUREMENTShaZhenshunXuHuipingXiMaiPengZipingFengXiaoning(ModernPhysicsLaboratoryofDept...  相似文献   

14.
功率MOSFET安全工作区的确定   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文研究了功率MOSFET管的安全工作区的计算及绘制方法。在使用功率MOSFET器件时,应根据应用具体条件(如散热器热阻、环境温度、工作电流和电压)重新确定功率MOSFET器件的安全工作区,为正确使用该器件和设计电路参数提供依据。  相似文献   

15.
THEMOTIONPROPERTIESOFTHESTARSCONFINEDTOTHESYMMETRICAXISOFANOSCILLATIONKUZMINDISKFuYanning1,2)SunYisui1)(1)DepartmentofAstron...  相似文献   

16.
随机集条件期望可积选择序列的收敛定理吴伟志(基础课部)THECONVERGENCETHEOREMFORTHESETOFINTEGRABLESELECTIONSOFCONDITIONALEXPECTATIONSOFRANDOMSETSWuWeizhi(...  相似文献   

17.
ULTRASONICFREQUENCYSHIFTOFSTIMULATEDBRILLOUINSCATTERINGSTUDIEDBYANOPTICALHETERODYNEMETHODGaoDuntang1)LeidererP2)(1)Departmen...  相似文献   

18.
APPROXIMATESOLUTIONSOFSOMEBOUNDARYVALUEPROBLEMSFORPARABOLICEQUATIONSANDTHEIRERRORESTIMATESHuMinde(胡敏德);WenGuochun(闻国椿)(Logist...  相似文献   

19.
市场经济下渔业行政执法若干问题初探谢加洪(浙江省水产局渔场渔政站)SEVERALPROBLEMSONTHELAWENFORCEMENTOFFISHERIESADMINISTRATIONUNDERTHEMARKETECONOMYXieJiahong(F...  相似文献   

20.
MONTE┐CARLOCALCULATIONSOFNUCLEONEMISSIONANDENERGYDEPOSITIONOFSPALLATIONNEUTRONSOURCESINDUCEDBYINTERMEDIATEENERGYPROTONSShenQi...  相似文献   

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