Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结中的界面极化子

采用准二维模型计及Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ半导体异质结界面附近的能带弯曲效应,讨论了异质结界面极化子的基态能量,能效质量随电子面密度以及Ｃｄ组份的变化关系。     

Zn1-xCdxSe/ZnSe异质结系统的施主能级

对单异质结界面系统,引入三角近似异质结势,利用变分法讨论在界面附近束缚于施主杂质的单电子基态能量。对Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ系统的杂质态结合能做了数值计算,给出结合能随杂质位置、电子面密度和Ｃｄ组分的变化关系。     

化合物半导体体材料和特性

化合物半导体体材料是除元素半导体材料Si、Ge外的另一类重要的半导体材料。它作为基础材料，在电子学和光学方面的应用变得日益重要。在对Ⅲ—Ⅴ、Ⅱ—Ⅵ、Ⅳ—Ⅵ族、GaN和SiC等半导体材料所进行的大量研究和应用中，高质量的GaP、GaAs、S-I、GaAs和InP等化合物单晶体材料都是必不可少的。     

Matlab在计算半导体费米能级和载流子浓度中的应用

介绍了一种新的利用Matlab软件绘图功能的图解法计算米能级以及载流子浓度的,过处方法舍弃了传统的繁锁的数值教育处及计算机编程,具有简单、方便、直观等特点。     

Te掺杂ZnSe／[（CdSe）1（ZnSe）3]m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅ束缚激子的复合寿命为０．５－１０ｎｓ。揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律。     

PbTe,ZnSe材料的低温特性

利用由傅里叶变换光谱仪、变温杜瓦瓶、真空系统、微型计算机组成的薄膜材料变温光学特性测试系统，研究了在不同基板温度制备的ＰｂＴｅ、ＺｎＳｅ单层薄膜的变温光学特性。得到了薄膜状态下这两种薄膜材料的折射率及其温度系数。观察了基板温度对薄膜折射率温度系数和短波吸收限的影响，给出了沉积这两种材料的最佳基板温度。     

Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究

用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－Ｂｉ－Ｓｅ化合物多晶陶瓷半导体材料,用法测得热导率为１０ｍＷ／ｃｍ．Ｋ,用四探针法测得材料电导率为９００－１０００Ω＾－１ｃｍ＾－１;热电法测得材料的温差电动热率达到１８８－２００μＶ／Ｋ,优质系数Ｚｐ,Ｚｎ达到３．５＊１０＾－３／Ｋ。     

自洽法计算非晶硅的带隙态密度

本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10~(16)cm~(-3)·eV~(-1)。     

n维简谐势阱中粒子的态密度

应用半经典近似法计算任意维数非相对论性理想体系处于简谐外势中的量子态密度，得出解析的表达式，并进行讨论．揭示了简谐外势对系统性质的影响．特别是对于二维系统，使之从准长程序转变为长程序，对于一维系统，使之从无序转变为准长程序     

关于密度算符两种表式等价性的一点讨论

本文讨论了密度算符两种表式等价时两表式中态几率之间所存在的关系，并由此关系证明了密度算符的某些性质。     

压力下半导体GaAs的电子表面态

使用插值拟合近似获得晶格常数、带隙随压力的解析表示，采用变分法研究了流体静力学压力对半导体GaAs电子本征表面态的影响，数值结果表明，随压力增加电子表面态能级明显向上移动，且电子趋近表面。     

La2—xSrxCuO4的局域电子态密度

本文用紧束缚近似计算了La_2-_xSr_xCuO_4(x=0, 0.15)的局域电子态密度.计算结果与能带论和实验符合,但比能带的结果更为细致.本文讨论了掺杂Sr以后的效果.与YBa_2Cu_3O_(7-x)材料相比较,可以认为这两种材料主要的超导机理是相同的.     

准周期光子晶体的态密度

本文研究了准晶光子晶体的局域态密度和全态密度.结果表明,准晶光子晶体的局域态密度分布具有和准晶光子晶体完全相同的对称性,带隙内光子晶体中的态密度很小,不同的准晶光子晶体的局域态密度随介电材料的占空比的变化是不同的,这对构造准晶光子晶体是非常重要的.准晶光子晶体的全态密度所显示的带隙和透过率显示的带隙的一致性表明准晶光子晶体在某种程度上是各向同性的.     

一种计算半导体合金能带的LMTO-ASA-VCA方法

本文依据全电子LMTO-ASA能带计算方法的特点,提出LMTO-ASA-VCA合金能带结构计算的虚晶近似方案,用于Ga_(1-x)AlxAs的计算,所得各组分下的能带结构、态密度及弯曲参数等均显示虚晶近似的特征,合金的价电子能量总和及ASA球中包含的价电子电荷数随组分的变化都接近于线性,表明本计算方案是合理可行的.     

面心立方结构光子晶体中方向性局域态密度快速计算研究

基于点群变换方法推导出局域态密度的平均可积函数,研究了面心立方结构的方向性局域态密度. 提出一种点群操作法,简化在第一布里渊区的计算量,在相同计算精度下,计算速度提高将近360倍.     

碳纳米管在轴向磁场中的电子态密度

研究了纳米碳管在接近轴向磁场中的Aharonov-Bohm效应，计算结果表明纳米碳管的电子态密度会被磁场剧烈地改变，所有的纳米碳管都会出现一个随穿过的磁通量周期化的能隙，周期为h/e，因此纳米碳管的导电性也随磁通周期地改变；但对不同类型（金属型和半导体型）的纳米碳管，这种变化的图样有不同的特征。