未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究

本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明，本方法是简单准确的。     

MOS表面反型层少子时变效应研究

为深入研究半导体表面过程，主要针对Ｚerbst方程，用数值拟合法，给出脉冲电压作用下ＭＯＳ器件半导体表面耗尽层宽度随时间变化近似解析解，进而得出与实验结果符合较好的表面少子时变关系解析式；分子表面少子时变过程，为表面电荷转移器件的模拟分析提供了有力的工具。     

异质面GaAs太阳电池n层少子产生寿命的测量

使用简单的微分电流和微分电容技术，从反向偏置的Ｉ－Ｖ和Ｃ－Ｖ数据计算异质面ｐｐｎ ＧａＡｓ电池ｎ层少子产生寿命部面图，讨论它对电池性能的影响。     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体（metal insulator semiconductor,MIS）结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

晶闸管中少子寿命控制技术的分析研究

本文通过对掺 Au、掺 Pt、电子辐照、γ射线辐照实验样片的 DLTS 测量、分析,确定它们在 N 型硅片中产生的有效复合中心能级分别为 E_(c-0.54ev)E_(v+0.42ev)、E_(c-0.42ev)、E_(v+0.45ev)。根据 Shockley 单能级复合理论的计算及采用四种寿命控制方法制造的快速晶闸管电参数的测量、分析和比较,提出对这四种少子寿命控制技术的适当评价。     

确定小剂量离子注入均匀性的新方法

提出一种测量小剂量离子注入样品均匀性的新方法——多探针Ｃ－Ｖ法．研制了相关的硬件和软件．此方法基于以下２个新颖的思想：１）采用多根探针测量，由微机通过开关矩阵进行控制，自动轮流切换，大大提高了速度、效率和可靠性．２）采用深浅不同的彩色地图（ＭＡＰ）来表示大硅片上各测量点的注入剂量，从而形象直观地显示出离子注入的均匀性，既容易理解，又容易记忆．通过对双注入ＭＯＳ样品上的８×８测试点阵列进行的测量分析证明：此系统及此新方法可用于离子注入工艺的在线监测     

基于ZERBST方法的少子寿命测量的数值仿真验证

针对半导体器件及其工艺制造中所需要测量的载流子寿命进行研究,利用MEDICI二维器件仿真软件对测量少子寿命的金属绝缘层半导体(metal insulator semiconductor,MIS)结构的恢复特性进行了仿真,并通过ZERBST法得出了器件的少子寿命,其结果与预设的参数相差不大,达到了验证的预定目的。该仿真验证对半导体器件制造中实际的少子寿命的测量具有一定的实践指导作用。     

用于非均匀掺杂MOS器件开启电压计算的改进方法

提出一种改进了的计算衬底非均匀掺杂ＭＯＳ器件开启电压的算法。这种算法对增强 （Ｅ－）和耗尽（Ｄ－）型 ＭＯＳ器件都适用，且避免了对泊松方程的严格数值求解。所需 计算时间短，而精度足以满足计算机工艺模拟的一需要。本算法巳在ＳＵＰＲＥＭ－Ⅲ中实 现，取代了原程序中不正确的部分。模拟和测试结果相比较得到的一致性证实了该算法 是有效的。本文还对算法的理论基础进行了讨论。     

确定小剂量离子注入均匀性的新方法——多探针C—V法

提出了一种测量小剂量离子注入样品均匀性的新方法－－多探针Ｃ－Ｖ法，研制了相关的硬件和软件，此方法基于以下２个新颖的思想：１）采用多 探针测量，由微机通过开关矩阵进行控制，自动轮流切换，大大提高了速度、效率和可靠性。２）采用深浅不同的彩色地图（ＭＡＰ）来表示大硅片上各测量点的注入剂量，从而形象直观地显示出离子注入的均匀性，既容易理解，又容易记忆，通过对双注入ＭＯＳ样品上的８×８测试点阵列进行的测量分     

用开路电压衰减法测量p-n结太阳电池少子寿命的若干问题

本文根据p-n结电容放电理论为采用开路电压衰减法测量太阳电池异常少子寿命提出修正计算公式,分析指出,电池光致注入与电致注入少于寿命不同是由于p-n结基区少于寿命中的有效分量不同造成的。此外,还讨论了电致注入少子寿命测量技术。     

用单纯形法确定DH激光器载流子寿命

从DH激光器的激射延迟时间与注入脉冲电流的关系,可得到的激光器的载流子寿命。本文从实验数据出发,在数学上采用最优化法中的单纯形法,对实验数据进行拟合处理,从中求得DH激光器的载流子寿命,修正了理论公式,并对修正后的结果进行了讨论。     

用开路电压法测晶体硅太阳电池少子寿命的研究

根据太阳电池的工作原理,详细论述了用脉冲光源照射n/p结太阳电池瞬间时,由于光电压,即开路电压的建立,将有电子从n区通过n/p结向p区边界注入,这些注入p区的过剩电子(少子)在运动中复合所需的时间,我们定义为少子寿命.理论上给出了注入p区的电子复合带来的开路电压与寿命的关系式(Voc(t)),同时也研究了n/p结势垒电容放电对Voc(t)的影响.因此建议使用开路电压随时间的衰减关系式(Voc(t))测量少子寿命的方法.     

聚氯乙烯抽纱台布热分解及耐热寿命研究

该文应用热重法（ＴＧ）和微分热重法（ＤＴＧ）研究了聚氯乙烯（ＰＶＣ）抽纱加香台布热分解反应。ＴＧ曲线表明热分解过程分三步完成。表观活化能计算结果分别为Ｅ１＝８４．３０ｋＪ·ｍｏｌ（－１）；Ｅ２＝１３９．５６ｋＪ·ｍｏｌ（－１）；Ｅ３＝３０５．２０ｋＪ·ｍｏｌ（－１）。热寿命议程为。用热分析技术求解高分子材料动力学参数甚为方便，可在短时间内取得有价值的资料，是研究高聚物热稳定性的有效实验手段．     

退火温度对Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金磁后效和正电子寿命的影响

测量了制备态和经不同温度（ｔａ ＝ ４５０ ～７５０ ℃） 退火的Ｆｅ７３－５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３－５Ｂ９ 合金的室温磁后效和正电子寿命·发现在６００ ℃以下退火,随着退火温度升高,磁后效和正电子寿命都单调下降;在６５０ ℃以上退火,磁后效基本被抑制,正电子寿命出现两个值,它们分别对应自由体积和空位聚集体,且后者显着增大·实验结果表明,磁后效主要由材料中的非晶相所贡献,这是由于非晶相中存在大量自由体积的缘故·     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应的对穿通击穿电压的改进,经比较,理论结果与测量数据有较好的一致性。