Na_5Gd(WO_4)_4晶体的生长及其光谱

1 引言A_5RE(WO_4)_4(A是碱金属元素,RE是稀土元素)是一类高稀土浓度的高效基质发光材料,又很可能成为优良的激光材料。对该系列发光材料的研究,国外已有许多报道。由于该系列材料在晶体生长方面存在许多困难,日前对它的研究多限于粉末材料,国内这方面的研究工作还比较少。我们在Na_5Eu(WO_4)_4晶体生长基础上,对生长工艺进一步完善,又成功地培养出了Na_5Gd(WO_4)_4单晶体,并对它的各项光谱特性进行了初步分析,为今后进一步研究它的激光性能做了准备。     

三元体系Na_2SO_4-(NH_4)_2SO_4-H_2O中的Na_2SO_4·10H_2O-(NH_4)_2SO_4和Na_2SO_4·10H_2O-(NH_4)_2SO_4·Na_2SO_4·4H_2O多温截面图

本文对Na_2SO_4-(NH_4)_2SO_4-H_2O三元体系中的Na_2SO_4·10H_2O_-(NH_4)_2SO_4(Ⅰ)和Na_2SO_4·10H_2O-(NH_4)_2SO_4·Na_2SO_4·4H_2O(Ⅱ)两个多温截面进行了研究.在(Ⅰ)中有三个四相转熔点:P_1,38wt%(NH_4)_2SO_4,58.8℃;P_2,10.9 wt%(NH_4)_2SO_4,26℃;P_3,39.1 wt%(NH_4)_2SO_4,-16℃.在(Ⅱ)中有两个四相转熔点:P_1,100 wt%(NH_4)_2SO_4·Na_2SO_4·4H_2O,59℃;P_2,23.62 wt%(NH_4)_2SO_4·Na_2SO_4·4H_2O,26.1℃,转熔反应热为180 J/g。     

Na_5 Eu(WO_4)_4发光晶体的生长与光谱特性

引言对Na_5Eu(WO_4)_4发光材料的研究近几年来已有不少报道.陈立高、施朝淑等人改进了Na_5Eu(WO_4)_4的发光性能,认为Na_5Eu(WO_4)_4色度纯、亮度高,有可能成为高压汞灯用荧光粉的一个新品种.但是,目前的研究一直限于粉未材料,迄今为止,尚未见到有关Na_5Eu(WO_4)_4晶体方面的研究报道.     

TmxY1—xAl3（BO3）4晶体生长和光谱特性

用Ｋ２Ｍｏ３Ｏ１０－Ｂ２Ｏ３作助熔剂，采用缓慢降温自发成核的方法，生长了稀土四硼酸盐晶体ＴｍｘＹ１－ｘＡｌ３（ＢＯ３）４（简称ＴＹＡＢ），晶体尺寸为８×６×５ｍｍ３．对所获得晶体进行Ｘ射线结构分析，表明ＴＹＡＢ晶体属三方晶系，晶胞参数ａ＝９．２３７，ｃ＝７．１９２．测定了该晶体室温下的红外光谱、反射光谱、激发光谱及荧光光谱，当用２６１ｎｍ波长激发时，可产生３４５ｎｍ（３Ｐ０→３Ｈ４）蓝紫色及４５０ｎｍ（１Ｄ２→３Ｈ４）蓝绿色的荧光发射     

Ni(mpz)_4I_2型化合物的光谱及EPR参量

本文利用d~8(D_4~*)全组态混合EPR理论,对Ni(mpz)。I:型化合物的吸收光谱、基态零场分裂参量D略及顺磁g因子进行了统一的理论计算,理论结果与实验值基本一致。分析表明,Ni(mpz)。12中Ni抖离子的环境配位构型明显偏离D。点群对称。     

Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3(BO_3)_4晶体生长及其光谱特性

采用 Li_2B_4O_7、 K_2M为_3O_(10) 两种助熔剂生长了新型 Er_(1-x)(Gd,y)_xAl_3·(BO_3) _4激光晶体。研究了助熔剂的蒸发特性,测量了它们的蒸发活化能。用x 射线衍射法测量了晶体的结晶温度。详细地测量了该晶体的光谱并给出了Er~(3+)在该晶体中的能级结构图。     

水热法制备Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2微晶及其发光性能

采用水热法制备了Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2系列红色荧光粉.通过荧光分析(FL)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对所得粉体的发光性能、颗粒大小及形貌和物相进行表征分析.XRD分析结果表明,制备的Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2微晶均为白钨矿四方结构.SEM结果表明,Li_(4-3x)Eu_x(WO_4)_2颗粒度为2.0μm×0.2μm~12μm×1.0μm,且随x的增大而增大.荧光分析结果表明,该荧光粉可被近紫外光(395nm)有效激发,最大发射波长位于614nm,即为纯正的红光.随着x的增大,样品中Eu~(3+)的593nm和614nm两个特征发射峰的强度先增大后减小,当x=1.0时达到最大.     

Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15)晶体的介电、热电和热学性质

用差示扫描量热法研究了Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15)(SCNN)晶体的热学性质,测得其铁电-顺电相变的转变热△Q=3.68×10~3J/mol.DSC分析表明,晶体的铁电。铁弹相变不会引起比热反常.介电和热电测量结果证实了SCNN晶体存在低温铁电-铁电相变,其相变温度在85K以上。     

单晶Ni(Pyrazole)_4X_2(X=C1,Br)的光谱研究

本文利用d8（D2h*）全组态强场近似理论，对单晶Ni（pyrazole）4X2（X=C1，Br）型化合物的光谱进行了理论计算，计算结果与实验符合较好。     

钨酸铕钠晶体晶格振动的群论分析和喇曼光谱

本文对新型激光晶体钨酸铕钠[Na_5Eu(WO_4)_4]的晶格振动进行了群论分析.给出了该晶体在(?)点晶体格振动的对称性分类.它们是:18Ag+20Bg+20Eg+20Au+18Bu+20Eu.其中喇曼和红外都是非活性的模为18Bu.声学模为Au+Eu,喇曼活性模为18Ag+20Bg+20Eg,红外活性模为19Au+19Eu.首次测量了该晶体不同几何配置的喇曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论.     

［Ag_2（α－Ph_2PPy）_2］_2（NO_3）_4的合成和晶体结构

ＡｇＮＯ＿３和ａ－ｐｈ＿２ｐｐｙ，（ａ－（Ｃ＿６Ｈ＿５）＿２Ｐ（ＮＣ＿５Ｈ＿５））在加有少量Ｈ＿２Ｏ＿２和ＮａＯＨ的Ｃ＿２Ｈ＿５ＯＨ水溶液中反应生成标题化合物的灰黑色晶体。属四方晶系，空间群Ｐ４＿１，ａ＝１．３００ｎｍ，Ｃ＝４．０７６ｎｍ，ｖ＝６．８８４ｎｍ￣３，Ｚ＝８，Ｄ＿ｃ＝１．６７ｇｃｍ￣（－３），Ｒ＝０．０５９，ｒ＿ω＝０．０７２．每一不对称单元中存在二套独立而结构基本相同的［Ａｇ＿２（ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ）＿２］￣２＋，它的二个Ａｇ原子和二个ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ中－Ｎ－Ｃ－Ｐ－桥的Ｎ，Ｐ原子联接成为一个稳定非共面八员环，而环内Ａｇ，Ａｇ间距分别是０．３１４，０．３ｌ０（ｎｍ），均未成键。不对称单元中的二个八员环通过的Ｏ原子与环上Ａｇ原子的弱成键而具有结构联系。环内还出现了罕见的三配位Ａｇ原子。     

（PPN）2[Fe4S4（SPh）4]的合成及分子结构

（ＰＰＮ）_２［Ｆｅ_４Ｓ_４（ＳＰｈ）_４］的合成及分子结构黄静伟，王金枝，张鸿图，杨如，周明玉，万惠霖（化学系）铁蛋白是固氮酶的一个重要组成部分，它能键合两分子的ＭｇＡＴＰ，并在ＡＴＰ水解的驱动下，把从还原剂（Ｎａ。Ｓ。Ｏ。）输送过来的电子再传递给Ｍ...     

Na_（0．5）Bi_（4．5）Ti_4O_（15）晶体的熔盐法合成及其显微结

本文介绍了熔盐法合成ＮＢＴ晶体的过程以及用电子显微镜对ＮＢＴ晶体颗粒形貌、大小的观察结果．讨论了合成温度、保温时间和熔剂浓度对ＮＢＴ晶体颗粒形貌和大小的影响．     

Tm:Ho:YVO4晶体中能量传递速率的计算

报道了Tm,Ho双掺YVO4晶体中能量传递速率的计算结果。计算结果表明：Tm^3 在805nm激光泵浦下其交叉弛豫速率随掺杂的浓度不同而不同，但对于所研究的样品均具有相当快的速率，使得在^3F4态有显著的粒子数集聚；随后Tm^3 的^3F4向Ho^3 的^5I7的能量转移速率是随掺杂 的浓度不同而不同，但怀前者相比较慢，这有利于Tm^3＋对Ho^3＋的有效的敏化。计算的结果与实验所观测到Ho^3 的约为2μm荧光现象是相符合的。     

Nd_xDy_((1-x))(Fe,M)_(12)及其氮化物的晶体结构

Th Mn1 2 型结构的富铁稀土 -过渡元素金属间化合物及其它们的氮化物是一种新型的永磁材料 .现采用还原扩散法合成了 6种 Ndx Dy(1 - x) (Fe,Mo,V,Co) 1 2 样品 ,并在 5 0 0℃氮化成相应的氮化物 .粉末 X-射线衍射结果表明 ,这类金属间化合物属四方晶系 ,氮化物保持原来的晶型 ,但晶胞体积稍有增加 .衍射结果表明 ,用还原扩散法合成的这类化合物不含有 α- Fe.     

Ag3[（C5H4N）NH2]4NO3的分子与晶体结构

Ag_3[(C_5H_4N)NH_2]_4(NO_3)_3晶体属斜方晶系,空间群p a=0.799 0(2)nm,b=1.675 0(3)nm,c=2.102 0(3)nm,结构精修到R=0.043,z=1.400,该络合物分子中配体氨基吡啶桥连两个银离子,处于二次轴特殊位置的银离子与四个氨基配位呈四面体构型,另一银离子则与吡啶和硝酸根配位呈少见的五配位结构。     

掠入射荧光XAFS研究(Ge_4/Si_4)_5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究 (Ge4/Si4) 5 /Si(0 0 1 )形变超晶格的局域结构 .超晶格中的Ge Ge和Ge Si第一配位键长分别为RGe Ge =0 .2 43nm和RGe Si =0 .2 38nm ,与晶态Ge(RGe Ge =0 .2 45nm)和共价Ge Si键长RGe Si =0 .2 40nm相比 ,其配位键长缩短了 0 .0 0 2nm ,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲 ,Ge Ge配位数为 1 .8和Ge Si配位数为 2 .2显然偏离了理论的配位数Ge Ge为 3和Ge Si配位数为 1 .我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释 (Ge4/Si4) 5 超晶格的界面结构