保形分段2k＋1次多项式插值

讨论了数据点集｛（ｘｉ,ｙｉ）｝ｎｉ＝ ０ 上保形分段２ｋ ＋ １ 次多项式插值,给出构造Ｃｍ （ｍ ≤ｋ） 连续的保形分段２ｋ ＋ １ 次多项式插值的方法,并对有拐子区间上拐点的情况进行了讨论。     

两段广义Clothoid螺线GC^2拼接及优化

讨论两段广义Ｃｌｏｔｈｏｉｄ螺线的ＧＣ＾２拼接，并着考虑其优化问题。     

关于Grunwald插值多项式算子的平均收敛阶

在以第一类Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式Ｔ．（Ｘ）的零点为插值节点的条件下，讨论了Ｇｒｕｎｗａｌｄ插值多项式算子在Ｌ＇空间以为权函数的加权平均收敛阶。     

保形分段2k次多项式插值

本文讨论了数据点集｛（ｘｉ,ｙｉ）｝ｉ＾ｎ＝０上保表分段２ｋ次插值多项式的存在性与连续性,给出了构造保形Ｃ＾ｌ（ｌ＝ｍｉｎ｛２ｋ－ｍ,２ｋ－ｎ｝分段２ｋ次插值多项式的方法。     

一种新的三次λ参数曲线的构造及其性质

利用Ｈｅｒｍｉｔｅ插值给出了三次λ参数曲线的构造，讨论了其性质，给出了凸性定理，并进一步利用三次λ参数曲线构造了Ｃ１连续的样条曲线和插值曲线，给出了插值曲线控制点的一般求法．     

一种新的三次λ参数曲线的构造及其性质

利用Ｈｅｒｍｉｔｅ插值给出了三次λ参数曲线的构造，讨论了其性质，给出了凸性定理，并进一步利用三镒λ参数曲线的构造了Ｃ１连续的样条曲线和插值曲线，给出了插值曲线控制点的一般求法。     

28个顶点的简单MCD图

设Ｓｎ是ｎ个顶点的没有等长圈的简单图的集合．若Ｇ∈Ｓｎ且Ｓｎ中不存在图Ｇ＇使｜Ｅ（Ｇ＇）｜＞｜Ｅ（Ｇ）｜，则称图Ｇ是简单ＭＣＤ图．若简单ＭＣＤ图Ｇ是２连通的，则称Ｇ是２连通简单ＭＣＤ图．本文证明了不存在具有２８个顶点的含有同胚于Ｋ４的子图的２连通简单ＭＣＤ图．于是结合ＤｉｓｃｒｅｔｅＭａｔｈ．１２６（１９９４），我们完全证明了下述定理：存在ｎ个顶点的含有同胚于Ｋ４的子图的２连通简单ＭＣＤ图当且仅当ｎ∈｛１０，１１，１４，１５，１６，２１，２２｝．     

关于缺插值混合对数样条

本文讨论了亏度分别为１和２的混合对数样条的缺插值问题，并给出了问题的解的存在唯一性定理和误差估计。     

磷酸钙法转染哺乳动物非贴壁细胞

对一种哺乳动物的非贴壁细胞———ＢＡＬＢ／Ｃ近交系小鼠肥大细胞瘤细胞株Ｐ８１５进行了Ｇ４１８敏感浓度以及甘油耐受性的测定；并通过磷酸钙法用含ＨＣＶＣ、Ｅ１、Ｅ２基因以及筛选标记基因———ｎｅｏｒ基因的质粒ｐＲｃ／ＣＥ２进行了转染。经Ｇ４１８筛选，获得了Ｇ４１８抗性细胞：Ｐ８１５－ＣＥ２。目前，Ｐ８１５－ＣＥ２细胞在Ｇ４１８选择压力下，已连续筛选８０余天，成功传代１２次，提示转染获得成功。实验表明：被转染细胞是否贴壁，不是决定磷酸钙法转染成功与否的决定因素；为了制备符合转染要求的合适的磷酸钙———ＤＮＡ混合物，所需各试剂的用量应该被优化。     

可调样条曲线插值方法

给出一种可控制的样条插值曲线构造方法－利用插值的自由度，增加或调整某些型值点，以达到控制插值曲线几何性能的目的。该方法适合于解决ＣＡＧＤ，逼近及插值拟合等领域中的插值逼近问题。     

广义二次保凸插值样条的构造

讨论二次插值样条的保凸问题，即：当型值点为数较多，且点点通过型值点的二次保凸插值样条不存在时，如何引入广义二次保凸插值样条，此种样条属于Ｃ＂类曲线。     

关于最长圈交Crotschel猜想的证明

讨论了最长路的交及性质,证明了Ｇｒｏｔｓｃｈｅｌ猜想：Ｃ１和Ｃ２是ｋ－连通图Ｇ的两个最长圈,则│Ｖ（Ｃ１）∩Ｖ（Ｃ２）│≥ｋ,且公共点Ｖ（Ｃ１）∩Ｖ（Ｃ２）形成Ｇ的一个顶点割。     

有理样条函数R111的对称插值问题

讨论了有理样条函数的两种插值问题，它在两边界点处的插值条件是对称的。文中给出了存在唯一性定理，逼近度估计及一些保形性质。，为满足（５°）－（７°）的有理插值样条，则这里Ｃ为绝对常数。证明利用定理３的证明方法，不难证得。因此，当定理１，２中关于系数α，β，γ的条件满足时，下面的保单调性及保凸性定理亦成立：定理５若ｆ∈Ｃ＿２［ａ，ｂ］为严格单调增加函数，则相应的有理插值函数Ｒ（ｘ；ｆ），Ｒ￣＊（ｘ；ｆ）也是严格单调增加的。定理６若ｍ＿ｉ＞ｍ＿（ｉ－１），则Ｒ￣＊＂（ｘ；Ｆ）≥０（ｘ∈［ａ，ｂ］）．参考文献     

关于Hermite-Fejēr插值算子的p方收敛

在以第二类Ｃｈｅｂｙｓｈｅｖ多项式Ｕｎ（ｘ）的零点ｘｋ＝ｃｏｓθｋ＝ｃｏｓｋπｎ＋１，（ｋ＝１，２，…，ｎ）为插值节点的条件下，讨论了Ｈｅｒｍｉｔｅ－Ｆｅｊēｒ插值算子在［－１，１］上以（１－ｘ２）１２为权函数的ｐ方收敛问题，得到的收敛阶为Ｏ（１）ｗ１ｎＰ＋Ｂｎｐ｛｝．     

H^∞的极大理想空间上的一个插值定理

用Ｇ表示所有非平凡Ｇｌｅａｓｏｎ部分的并集，考虑闭包含于Ｇ的序列，给出了这些序列成为插值序列的若干充分必要条件，另外，还构造了一个满足Ｃａｒｌｅｓｏｎ条件的离散序列，但它不是插值序列。     

第二个大根不超过√2的树

１９８２年ＣｖｅｔｋｏｖｉｃＤ提出“求出图的第二大根λ２（Ｇ）≤１的所有图”这一问题，１９９３年，ＨｏｎｇＹ和ＣａｏＤ给出了λ２（Ｇ）≤１／３的所有图，紧接着ＭｉｒｏｓｌａｖＰ给出了λ２（Ｇ）≤√２－１的所有图，但对ＣｖｅｔｋｏｖｉｃＤ的问题的解决还进一步的努力。１９９８年，作者给出了第二个大根不超过１的所有树。     

Sm2Fel7-xGaxCy化合物磁晶各向异性的晶场分析

用单离子模型晶场理论计算了Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物的磁晶各向异性场随温度和Ｇａ、Ｃ含量的变化关系,讨论了不同晶位的Ｇａ原子和间隙位Ｃ原子对磁晶各向异性的贡献。从而解释了Ｇａ原子对Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘ和Ｓｍ２Ｆｅ１７－ｘＧａｘＣｙ化合物磁晶各向异性的影响。     

QDTA/T/EGD/GC在线联用技术 ⅩⅢ.倍半氧化羧乙基锗(Ge-132)在空气气氛中的热氧化分解反应历程

应用ＤＴＡ／Ｔ／ＥＧＤ／ＧＣ在线联用技术，在空气气氛中对Ｇｅ－１３２的热氧化分解反应历程（室温～９２５°Ｃ）进行了研究，应用Ｘ－ｒａｙ仪对Ｇｅ－１３２在不同温度（４５０°Ｃ、６５０°Ｃ、７２０°Ｃ、８００°Ｃ、９２５°Ｃ）下的热氧化分解反应残物作了物相鉴定；测定了Ｇｅ－１３２的ＴＧ／ＤＴＧ曲线（室温～９７０°Ｃ）；在ＤＴＡ／Ｔ／ＧＣ联用曲线的ＧＣ谱图上，检出了各反应温度下的Ｏ２、ＣＯ２和Ｈ２Ｏ及其热氧化分解产物（逸出气）的组成演变规律。从各残物的ＸＲＤ谱图上可观察到，Ｇｅ－１３２的晶相结构破坏到７２０°Ｃ时才析出微量Ｇｅ、ＧｅＯ２，并发现Ｇｅ在８００°Ｃ时被氧化为ＧｅＯ２，至９２５°Ｃ时形成为高纯度ＧｅＯ２。ＴＧＡ定量计算表明，Ｇｅ－１３２在空气气氛中被氧化为ＧｅＯ２的得率与理论计算值相当。综合上述的实验结果与数据分析，对ＤＴＡ曲线上呈现的二个吸热效应和三个放热效应的性质作出了判断和验证，并得出了Ｇｅ－１３２在空气气氛中被氧化为ＧｅＯ２的反应历程。     

临界情况下模糊矩阵对策的性质

本文讨论了临界情况下模糊矩阵对策的性质，对模型问题各种情况给出了临界值Ｃ 的定义。证明了，当ｄ（ｆ１，ｆ２）＜ εＣ 时，模糊矩阵对策模型问题关于价值函数ｆ１ （ｘ），ｆ２（ｘ）具有连续依赖性和可调和性。     

一个泛函极小元的渐近行为

证明Ｅε（ｕ，Ｇ）＝１ｐ∫Ｇ｜ｕ｜ｐ＋１４εｐ∫Ｇ（１－｜ｕ｜２）２在集合Ｗ１，ｐｇ（Ｇ，Ｃ）中存在极小元ｕε，在ε→０时，ｕε在Ｗ１，ｐ下收敛于ｐ调和映射ｕｐ．当ｐ→２时，ｕｐ在Ｃ１，α下收敛于调和映射ｕ２．