fcc（γ）→hcp（ε）马氏体相变

列出热弹性马氏体相变的判据。据此，将Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ基合金中的ｆｃｃ（γ）→ｈｃｐ（ε）马氏体相变归属半热弹性相变，和铁基合金中ｆｃｃγ→ｂｃｔ（ｂｃｃ）α‘，βＣｕ基合金中的热弹性马氏体相变以及含ＺｒＯ２的陶瓷中ｔ→ｍ不同，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ的γ→ε中，母相的强化和晶粒大小不显著影响Ｍｓ，以及马氏体相变的内耗峰并不对应母相弹性模量的急剧下降，显示其可能层错直接形核而不强烈需求软模。比较了热诱发和     

Fe—Mn—C合金中的C—Mn偏聚及其对相变和形变的影响

采用价电子结构理论计算，微观成分的实验测定和ＴＥＭ原位动态拉伸变形试验，研究了Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金中的Ｃ－Ｍｎ偏聚及其对相变和形变的影响。结果表明，Ｆｅ－８Ｍｎ－１．２Ｃ合金奥氏体中含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎＡ值是不含Ｃ晶胞的３．９８倍，是含Ｃ晶胞的１．４０倍；含Ｃ－Ｍｎ晶胞的ｎ＾ＤＣ值是含Ｃ晶胞的２．２１倍，在Ｆｅ－Ｍｎ－Ｃ合金奥氏体中存在Ｃ－Ｍｎ原子的微观偏聚，并形成由－Ｃ－Ｍｎ－Ｃ－Ｍｎ－强键络相联结     

Fe—Mn—Si形状记忆合金fcc（γ）→hcp（ε）马氏体相变的？…

应用周国治提出的溶液模型计算所得的Ｆｅ－Ｍｎ－Ｓｉ中γ和ε相的Ｇｉｂｂｓ自由能,并考虑了Ｓｉ的影响,重新导出了γ和ε相随温度变化的热力学 。     

贝氏体相变单元及长大机制的TEM研究

利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）观察了Ｆｅ－Ｎｉ－Ｍｎ和Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金贝氏体形貌和亚结构。证实贝氏体相变单元的存在。贝氏体通过相变单元的应力应变诱发形核伸长，通过沿缺陷面方向的扩展实现增厚。贝氏体相变单元的横向尺寸差和贝氏体沿缺陷面的滑移，错动形成了贝氏体／奥氏体相界面台阶，台阶阶面与缺陷面对应，难以进行侧向迁移。     

Fe-Mn-Si合金γ→ε马氏体相变 Ms的热力学预测

借助于3种成分Fe-Mn-Si合金层错几率的X射线测量,计算了层错几率与合金成分的关系,得到Fe-Mn-Si三元系的层错几率的倒数1／P     

金属Al的电子结构和物理性质

依据ＯＡ理论,确定了自然态ｆｃｃ－Ａｌ的电子结构为：「Ｎｅ」（３ｓｃ）＾１．８７９０３ｐｃ）＾０．４９８２（３ｓｆ＋３ｐｆ）＾０．６２２８,计算了它的势能曲线,晶格常数,结合能,弹性,热膨胀系数随温度的变化。     

NiAl合金原子间互作用势的拟合及点缺陷的计算

采用－ＦＳ多体势形式，拟合了Ｂ２型有序金属间化合物高温合金ＮｉＡｌ的势参数。并利用Ｒｏｓｅ等提出的经验Ｐ－Ｖ关系，对势函数进行了进一步修正。作为对势函数的验证和应用，运用分子动力学方法，计算了ＮｉＡｌ合金中点缺陷的性质。     

论奥氏体和马氏体中的Fe原子杂化状态的确定

以余（瑞璜）氏计算电子结构的理论为基础，应用程（开甲）氏提出“各原子相接触的表面上电子密度必须连接”的电子边界条件，确定了奥氏体含碳结构单元中的Ｆｅ＾ｃ，Ｆｅ＾ｆ原子的杂化状态及马氏体含碳结构单元中的Ｆｅ１，ＦｅＩＩ，ＦｅⅢ原子的杂化状态，其结果为，奥氏体中Ｆｅ＾ｃ，Ｆｅ＾ｆ原子的杂化状态分别为１３和１４阶，马氏体中Ｆｅ１，ＦｅⅡ、ＦｅⅢ原子的杂化状态分别为１２，１０和９阶，低碳时１１，１０，９阶     

金属Co的电子结构和物理性质

依据ＯＡ理论确定ｈｃｐ结构α－Ｃｏ的电子结构为［Ａｒ］（３ｄｎ）＾０．４６（３ｄｍ）＾１．８６（３ｄｃ）＾５．４５（４Ｓｃ）＾０．０３（４Ｓｆ）＾１．２０，计算了它的势能曲线、晶格常数、结合能、原子磁矩、弹性以及比热和热膨胀系数随温度的变化。     

CaO—SiO2熔渣键合结构的分子动力学研究

应用分子动力学计算机模拟方法研究了ＣａＯ－ＳｉＯ２溶渣中的键合结构，模拟结果表明偏径向分布函数ｇｉｊ（ｒ）的特征与Ｘ射线衍射的结果相一致，ＳｉＯｎ四面体中Ｑｎ随组分变化的规律与Ｒａｍａｎ光谱测得结果相吻合。分子动力学计算的振动态密度在６３６￣７３７ｃｍ＾－１和８００￣１２００ｃｍ＾－１处出现峰值，与Ｒａｍａｎ光谱的结果相一致。     

Fe/Cu纳米多层材料的电导行为

提出了描述纳米多层材料电导率同层间距及层厚比关系的数学模型，利用电子束物理气相沉积方法（ＥＢ－ＰＶＤ）制备了Ｆｅ／Ｃｕ纳米多层材料并测量了电导率同层间距离及层厚比之间的关系，测量结果表明，当层间距小于３０ｎｍ时，电导率随层间距的减小而急剧降低，层间距固定时，电导率随层厚比的增加而线性减小。通过对固定层厚比、不同层间距的Ｆｅ／Ｃｕ纳米多层材料的实测电导率进行拟合计算，获得了模型内的各参数值。利用获得     

fcc结构晶体层错的自身能及其交互作用能的嵌入原子法计算

采用嵌入原子法计算了不同价电子Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉ和Ａｌ５种金属的层错能，结果表明，层错能主要受金属键能和点阵常数的影响，因而单价ｆｃｃ结构的不同金属不应具有相同的层错能，这与Ａｕｒｅｅ的预测不同，间隔为一层（１１１）面的两个层错的交互作用能其计算值约为层错自身能的１／４０￣１／２５０，当层错间隔两上或以上的密排层面时，其交互作用能为零，不考虑孪晶形成后的各松弛，孪晶能正好为单个内层错能的一半     

Al2O3／Si（001）衬底上GaN外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Ａｌ２Ｏ３／Ｓｉ（００１）衬底上制备出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜。厚度为１．１μｍ的ＧａＮ薄膜的（０００２）Ｘ射线衍射峰半高宽是７２ａｒｃｍｉｎ,薄膜的玛赛克（ｍｏｓａｉｃ）结构是Ｘ射线衍射峰展宽的主要原因,室温下ＧａＮ光致发光谱的带边峰位于３６５ｎｍ。     

Ag—Cu合金的原子能量及Gibbs能函数

阐明了特征晶体模型的合理性，建立了ＣＣ理论的９个Ｇｉｂｂｓ能函数。规则溶液模型相应于ＣＣ模型中的最简单情况。ＣＣ理论中的任何一个Ｇ－函数都可用来描述Ａｇ－Ｃｕ系中的液相和ｆｃｃ相。Ａｇ－Ｃｕ合金的特征晶体的晶格稳定性参数可以采用ＳＧＴＥ科学组提出的形式。     

球磨诱导6H-SiC→3C-SiC的多型转变

Ｘ射线衍射与高分辨电子显微术证实了在球磨条件下可发生α－ＳｉＣ向β－ＳｉＣ的转变。高分辨电子显微术证实α－ＳｉＣ中的６Ｈ－ＳｉＣ向β（３Ｃ）－ＳｉＣ的转变是通过磨球和粉末碰撞时在相邻密排面上引入不全位错实现的。其基本过程是不全位错的运动使６Ｈ的一个（３，３）堆垛向（４，２），（５，１）至（６，０）堆垛序过渡，形成６层３Ｃ－ＳｉＣ的｛１１１｝堆垛，相继进行这一过程即可完成６Ｈ－ＳｉＣ向３Ｃ－ＳｉＣ的     

（Cr,Fe）7C3中面缺陷的研究

揭示出１种钢和２种铸造合金的（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３面缺陷特征，将电子衍射－矩阵分析同面缺陷迹线分析相结合，并利用基体胞和２个旋转胞所构成的复合倒空间，全面地确定了（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３中（０１１）和（０１３）面缺陷，建立了（Ｃｒ，Ｆｅ）７Ｃ３的晶体学模型。     

Si过渡层Co／Cu／Co三明治膜巨磁电阻效应的影响

用高真空电子束蒸发方法制备了以半导体材料Ｓｉ为过渡层的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治膜，研究了不同厚度的Ｓｉ过渡层对三明治膜巨磁电阻效应的影响，发现三明治膜巨磁电阻在过渡层厚度达到０．９ｎｍ时表现出明显的各向异性，而过渡层工小于０．９ｎｍ时基本上呈各向同性，巨磁电阻的各向异性可由三明治膜的平面内磁各向异性解释，在Ｓｉ过渡层和金属Ｃｏ层的界面处相互扩散形成具有（３０１）择优取向的Ｃｏ２Ｓｉ诱导了三明治膜的这     

序列递推关系与一类代数几何码的有效译码

对于一类代数几何码，在其错误向量的伴随式序列上引进了一种递推关系，运用广义Ｂｅｒｌｅｋａｍｐ－Ｍａｓｓｅｙ算法，结合大数表决方案，给出了一类代数几何码的一个达到 Ｆｅｎｇ－Ｒａｏ界的有效译码算法，这个算法的复杂度为Ｏ（ｒｏ１ｎ＾２），对于不同的代数曲线，可通过适当选取基函数来降低算法的复杂度。     

Fe-Mn-Si 形状记忆合金fcc(γ)→hcp(ε)马氏体相变的临界驱动力

应用周国治提出的新溶液模型计算所得的Fe Mn Si中γ和ε相的Gibbs自由能 ,并考虑了Si的影响 ,重新导出了γ和ε相随温度变化的热力学参量 .用最小均方根方法将实验值拟合得到合金γ相的Neel温度与组分浓度 (摩尔分数 )的关系式 :TγN=6 7xFe 5 40xMn xFexMn[76 1 6 89(xFe-xMn) ]- 85 0xSi.计算得到不同组分Fe Mn Si合金马氏体相变的临界驱动力ΔGγ→εc ,即合金在Ms 温度γ和ε相的自由能差 ,例如 ,Fe 2 7.0Mn 6 .0Si合金的ΔGγ→εc =- 1 0 0 .99J/mol,Fe 2 6 .9Mn 3.37Si的ΔGγ→εc =- 1 2 2 .1 1J/mol.ΔGγ→εc 与组分的依赖关系符合低层错能合金中fcc(γ)→hcp(ε)马氏体相变的临界驱动力表达式 ,即ΔGγ→εC =A·γ B ,其中γ是层错能 (SFE) ,A和B为与材料相关的常数 .     

铊系超导体中铁掺杂诱导的氧缺陷研究

利用Ｈａｌｌ系数测量、热重分析和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱等多种实验手段并结合有效价键模型计算，研究了（Ｔｌ０．５Ｐｂ０．５）（Ｓｒ０．８Ｂａ０．２）２Ｃａ２（Ｃｕ１－ｘＦｅｘ）３Ｏ９＋ｙ超导体中由于铁掺杂所诱导的额外氧缺陷对载流子浓度和微结构的影响，在低浓度掺杂水平（ｘ＝０￣０．０５）上，铁掺杂样品的超导转变温度与载流子浓度有非常明显的对应关系，零电阻温度Ｔ∞随铁掺杂量线性降低，Ｈａｌｌ系数测量结果也