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相似文献
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1.
采用X射线双晶衍射法对重掺硼、重掺锑样品中的氧沉淀行为进行了研究,分析了热处理条件、掺杂剂种类对重掺硅中氧沉淀的影响.实验结果表明:由于氧沉淀诱发缺陷间的相互作用、氧沉淀的重溶以及氧的外扩散等原因,在长时间高温热处理时,晶片表面完整性得到改善;重掺硼样品中的氧沉淀较重掺锑样品中的氧沉淀明显.实验中还观察到了氧沉淀重溶现象,进一步验证了理论分析结果.  相似文献   

2.
以山东某集团公司硫酸铝废渣为主要原料制备白炭黑,研究了渣粉粒度、煅烧温度、酸浸温度、酸浸时间、酸的用量等因素对产品性能的影响,确定了制备白炭黑的最佳工艺条件。X衍射分析表明所制备的白炭黑为非晶态,产品达到了白炭黑国家标准,可用作橡胶和塑料的补强填充剂等。  相似文献   

3.
选用十二醇作为改性剂对沉淀白炭黑进行表面处理.讨论了改性剂用量、改性时间和改性温度等因素对改性效果的影响,用极差分析及方差分析得出优化工艺条件为:改性剂用量30 mL十二醇/10 g二氧化硅,改性时间70 min,改性温度70℃,在此条件下改性后产品的沉降体积为3.55 mL/g,活化度为92.85%,吸油值为2.53...  相似文献   

4.
以碳化细菌纤维素为模板和碳源,通过气相渗硅法制备碳化硅纳米线。X射线衍射和扫描电镜(SEM)研究了碳化硅样品的结构与形貌,结果表明所得碳化硅都是纯立方相结构,并且粒度随温度的升高而增大。碳化硅纳米线表面光滑,长度达到微米级。  相似文献   

5.
在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片.测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致.  相似文献   

6.
以多晶硅副产物四氯化硅为原料,氨水为中和剂,十二烷基苯磺酸钠等为表面活性剂,在醇-水体系中制备沉淀白炭黑,研究了醇水比、氨水用量、表面活性剂的种类、SiCl4滴加速率、搅拌速率、干燥温度等因素对沉淀白炭黑分散性及粒径的影响。实验结果表明:沉淀白炭黑的最佳制备工艺条件为:醇-水总体积50 mL,醇水比1∶1,氨水用量10 mL,加入十二烷基苯磺酸钠,SiCl4滴加速率1 mL/min,搅拌速率200 r/min,干燥温度100℃;IR、XRD、SEM等表征表明:产品为无定形二氧化硅,粒径较小,分散较好。  相似文献   

7.
该文研究了以沉淀白炭黑为原料,采用减压蒸馏法直接合成六配位体有机硅化合物的新方法。通过实验确定了最佳合成条件。用红外光谱和X-Ray衍射分析合成产物的结构。结果表明:以碱土金属氧化物为介质时,合成产物为六配位体有机硅化合物;在最佳合成条件下,钡盐的转化率达90%以上,钙盐的转化率在60%以上。  相似文献   

8.
碳化硅(SiC)是碳硅元素以共价健结合形成的具有金刚石结构的一种晶体物质,硬度高、耐高温、耐腐蚀、热导率高、宽带隙以及电子迁移率高,广泛应用于磨料、冶金和高温承载件。本文重点介绍碳化硅在陶瓷行业的制备及应用。  相似文献   

9.
将无铬化学转化新工艺与射频等离子化学气相沉积(PECVD)技术相结合,先在镁合金表面生成一层多孔结构、附着力高的化学转化膜作为过渡层,再采用PECVD技术低温沉积一层硅掺杂类金刚石(Si-DLC)薄膜复合涂层。扫描电子显微镜和拉曼光谱图分析证实,获得的薄膜由sp2和sp3键杂化的碳硅氢化合物呈层状堆积而成,薄膜均匀、平整致密;制备的薄膜为典型的类金刚石结构。原子力显微镜直观地观察到,掺杂硅的类金刚石薄膜比未掺杂的平整致密。当硅含量达到20%时,得到的DLC薄膜最为平整致密,无铬化学转化膜层均被含硅的DLC薄膜覆盖。性能测试实验表明,将化学转化膜作为中间过渡层并采用PECVD沉积含硅的DLC薄膜明显提高了镁合金基体与其的结合强度,同时也大幅度提高了镁合金的耐磨、耐高温和耐蚀性。  相似文献   

10.
用电化学方法对多孔硅薄膜进行了金属掺杂.用荧光分光光度计分析了样品的光致发光特性,结果表明,适量的金属掺杂增强了多孔硅的红光发射,氧化性金属掺杂还增强了多孔硅的蓝光发射,还原性金属掺杂却无此现象.红外吸收谱表明,金属掺杂多孔硅后Si—O—Si键振动增强.XRD谱表明,氧化性金属掺杂后多孔硅的无定形程度增强.对分析结果的解释为:红光增强是金属掺杂引入新的缺陷和硅、氧、金属间新的键态Si—Metal,Metal—O,Metal—Metal所致,而蓝光增强是无定形程度增强,应力增大和进一步氧化所致.  相似文献   

11.
以稻壳为硅源,通过溶胶-凝胶法和常压干燥工艺制备了块状Si O_2气凝胶。设计三因素三水平的正交实验,研究p H值、无水乙醇置换次数及表面改性次数对Si O_2气凝胶成块性、密度、比表面积等物理性能的影响。研究表明:p H值为5.5,乙醇溶剂置换次数为4次,改性次数为3次可以制备性能良好的Si O_2气凝胶块体,完整性好,收缩小,密度低至0.078 9 g/cm~3,比表面积高达902.56 m~2/g,平均孔径39.18 nm,疏水角146°。  相似文献   

12.
作为重要的化工添加剂,白炭黑在现代工业中需求巨大,且需求量逐年递增。本文对当前白炭黑制备方法及其优缺点进行对比分析。针对当前白炭黑研究现状,指出进一步降低气相法白炭黑生产成本,提高传统的沉淀法白炭黑产品质量是未来白炭黑生产的重要发展方向;非金属矿是丰富而廉价的Si原料来源,禾本科植物矿物杂质含量少,生产工艺简单,利用非金属矿与禾本科植物制备白炭黑产品的生产方法,原料廉价,生产成本低,未来具有极大的市场潜力。  相似文献   

13.
通过高温热解聚合物前驱体方法制备Si掺杂BN纳米管. 采用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品的结构与形貌进行表征, 结果表明, 样品属于一端开口的竹节状BN纳米管, 通过变温光致发光谱及喇曼光谱研究了Si掺杂BN纳米管的光学性质.   相似文献   

14.
干燥方式对沉淀白炭黑性能的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
以水玻璃和硫酸为原料,文章采用化学沉淀法制备了白炭黑料浆,然后通过烘箱干燥、微波干燥和喷雾干燥3种不同的干燥方式获得白炭黑颗粒.采用X射线衍射、扫描电子显微镜、比表面积(BET)分析、吸油值(DBP)分析等对3种不同颗粒的结构、形貌及性能进行了表征.结果表明:喷雾干燥得到的颗粒较适中,为30~50 μm;微波干燥的颗粒...  相似文献   

15.
为了实现对豌豆荚的高效利用,文中以豌豆荚为碳源,以乙二胺为氮源,使用绿色水热法制备了氮掺杂的碳点(NCDs).通过X射线衍射法(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱法(FTIR)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度法(UV-Vis)以及荧光分光光度法(FL)分别对制得的NCDs进行了结...  相似文献   

16.
17.
不同硅源中的SiO_2 在实验条件下的还原都未达到平衡。焦炭、焦炭灰、硅石中的SiO_2 比炉渣中的容易还原得多。炉渣和焦炭都是生铁的重要硅源。如使用硅石使生铁增硅,改善它与还原剂的接触条件是提高硅还原率的重要因素。实验还证实了高炉内硅还原的途径是:SiO_2→SiO→〔Si〕。  相似文献   

18.
以吉林橄榄石为原料,采用酸溶-沉淀法制备白炭黑,探索以橄榄石为原料制备自碳黑的生产过程及方法.白炭黑的扫描电镜(SEM)分析显示形成了团聚状的无定型白炭黑;傅立叶转换红外光谱(FT-IR)显示了1065 cm-1的O-Si-O键的非对称伸缩振动峰;N2吸附实验表明白炭黑比表面积为127 m2/g.白炭黑样品符合国标GB...  相似文献   

19.
分别采用高纯石墨和Fe-Ni合金为阳极,在960℃的冰晶石熔盐中电解SiO2制备低硼磷铝硅合金,研究电流密度和SiO2添加量对电流效率、阴极产物成分和B,P杂质含量的影响规律,并利用XRD和SEM表征阴极产物的物相组成和微观形貌.结果表明,以石墨为阳极时,当电流密度从0.5A/cm2增大到0.9A/cm2时,阴极产物中w[Si]从0.75%增大到15.17%,电流效率从2.58%增大到38.06%;B和P的最低质量分数分别为3×10-6和7×10-6.以Fe-Ni合金为阳极时,当SiO2添加量从2%增大到6%时,阴极产物中w[Si]从3.19%增大到19.86%,电流效率从12.43%增大到70.48%;B和P的最低质量分数分别为6×10-6和11×10-6;阴极产物的物相组成为铝、硅和铝硅合金.  相似文献   

20.
SiO2气凝胶在凝胶老化和干燥过程中极易产生凝胶的开裂.以多聚硅氧烷(PEDS)为硅源,通过在交联凝胶的制备及凝胶老化过程中,控制水的用量,制备出具有无裂痕的SiO2凝胶.结果表明:低水用量获得湿凝胶的抗压模量明显低于高水用量所制备湿凝胶的抗压模量,因此孔结构具有一定的柔性,从而有利于释放凝胶收缩产生的内应力.当H2O与PEDS中Si原子的摩尔比值为0.5时,所得凝胶在H2O体积分数为20%的乙醇老化液中老化后,可以获得完整的无裂痕气凝胶.高分辨透射电镜(HRTEM)和场发射扫描电子显微镜(FESEM)观察表明:所制备的气凝胶是由5~8 nm颗粒串联形成的线状结构体构成.经差示扫描量热-质量损失仪(DSC-TG)分析表明:乙醇超临界干燥所制备的气凝胶,除了表面吸附少量的乙醇分子,还含有Si-OC2H5基团和Si-OH基团.所制备的气凝胶,室温下的导热系数在0.028 1~0.038 1 W/(m·K).  相似文献   

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