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将功率为30W、波长为1064nm的YAG激光束(束斑直径0.045mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上有很特殊的网孔状结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,解释孔侧壁网孔状结构的机理.孔侧壁上的网孔状结构有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处.当样品在加工和检查过程中保持脱氧状态时,其样品几乎没有发光,证实了氧在PL发光增强上起着重要作用.我们用量子受限及其纳晶与氧化硅界面态复合的综合模型来解释其光致发光的增强机理 相似文献
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作者结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应。将功率为50W、波长为1064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处。我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性。优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品。 相似文献
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激光诱导荧光强度与被测样品温度的关系 总被引:2,自引:0,他引:2
研究一种应用较广的油的激光诱导荧光强度(LIF)与其本身温度之间的关系。用输出波长为355nm的三倍频Nd:YAG激光器做发光源,用多通道光谱分析仪妆收探测。用JKY-1型控温仪水浴的方法控制没的温度,测量不同温度下油的激光诱导荧光强度,从量物理和荧光产生的机理入手对实验进行理论分析,结果表明,在发射光谱稳定不变的民政部下,荧光强度随温度的升高耐减弱。 相似文献
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将功率为75W、波长为1 064nm的YAG激光的散焦束斑辐照在SiGe合金表面上能够形成多孔硅锗结构,其硅纳晶和锗纳晶的尺寸和形貌有自身的特点.用514nm激光激发,在600nm到900nm波长范围有较强的光致荧光.与化学刻蚀方式生成的多孔硅锗样品相比较,其荧光发光的频谱分布较复杂.当激光辐照到锗纳晶颗粒较多的地方,荧光发光谱分布延伸至红外区域.文中分析了发光的机理,检测出光致荧光的增强与氧化硅表面无关,主要来自硅纳晶和锗纳晶的表面态.指出了激光辐照方式加工样品的优点. 相似文献
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我们结合量子受限效应,提出纳硅晶与氧化硅界面态发光模型来解释激光作用生成的纳米网孔壁结构的强荧光效应.将功率为50W、波长为1 064nm的YAG激光束(束斑直径0.05mm)照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上,有很特殊的网孔形结构,其中的网孔壁厚为纳米尺度,这里有很强的受激荧光发光效应,发光峰中心约在700nm处.我们将激光与硅样品的作用隔离于无氧化的环境里,分别比较了将硅样品浸入酒精、氢氟酸和水中的激光加工结果,其发光情况证实了该发光模型的真实性.优化激光加工的条件,我们获得了较强发光的样品. 相似文献
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方炎 《首都师范大学学报(自然科学版)》1995,16(2):57-59
本文通过观察AgNO3溶液在其光致还原出Ag原子并形成Ag晶体微粒过程中所加入的罗丹明6G分子荧光强度变化的规律,利用吸附分子的荧光在Ag微粒表面会发生淬灭这一效应给出了通过观察分子荧光淬灭的时间效应来监测Ag^+的光致还原过程的新方法,并讨论了其相应的机制。 相似文献
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将功率为实20~30W、波长为1064nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔,在孔内的侧壁上有特殊的网孔状结构。从分析激光与硅材料相互作用的原理来解释孔内侧壁上网孔状结构形成的原理。通过优化激光加工的条件,使我们获得了稳定的低维量子结构的和较强发光的样品。 相似文献
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本文报道He-Ne激光照射罗氏沼虾不同发育时期胚胎对其超弱发光的影响。实验表明激光照射对胚胎超弱发光强度的影响与胚胎所处的发育阶段密切相关。其中,激光照射使早期胚胎超弱发光强度增大,而使中期、后期胚胎发光强度降低。作者认为,这种现象是由罗氏沼虾胚胎发育的特点所造成的,测定胚胎的超弱发光强度可以作为检测激光照射效应的一种指标。 相似文献
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利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ni在p-Si上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ni阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸300~600nm晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。 相似文献
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行波式半导体激光放大器在未来光通讯系统中是极为重要的.研究表明,为实现行波放大,端面剩余反射率需低于1×10~(-3),这就需要在半导体激光器两端面(解理面)镀高效减反射膜,使其转变成激光放大器.而半导体激光器端面积仅10~(12)m~2量级,有源区的有效折射率又是一个不大容易确定的参数,要在这种器件上镀制高性能的 相似文献
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