退火对CdS多晶薄膜电学性质的影响

对不同温度下退火的ＣｄＳ多晶薄膜测量了暗电导率σｄ和暗电导－温度关系,发现未退火ＣｄＳ的暗电导率为１０－５Ω－１ｃｍ－１,经退火后σｄ增加,在２００℃退火σｄ有极大值．退火后电导激活能Ｅａ减小     

PEO—Ca^2＋—H2O溶液中电导率与粘度关系的研究

用乌氏粘度计和电导率仪测定了ＰＥＯ－Ｃａ２＋－Ｈ２Ｏ溶液的粘度和电导率研究了在Ｃａ２＋存在下聚乙二醇（ＰＥＯ）水溶液的电导率和粘度等特性随Ｃａ２＋浓度变化的情况,得出了粘度和电导率的关系式：κηｓｐ·ｆｎ＝ｍ,其中ｍ、ｎ为常数。     

用MTGA法研究非晶合金的纳米晶化过程

用ＭＴＧＡ测量ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ非晶样品的表观失重与温度关系σ－Ｔ和ｄσ／ｄＴ－Ｔ,发现非晶合金晶化过程可区分为５个不同阶段．研究经７５３～８８３℃等温退火１ｈ的样品发现,Ｔａ升高,析出的磁纳米晶体αＦｅＳｉ量增多,剩余非晶相的居里温度也升高．ＴＣ＝０．５２Ｔａ＋３６４．８,相关系数ｒ＝０．９８．用ＭＴＧＡ法测量αＦｅＳｉ或剩余非晶相的体积百分数随退火温度的变化     

不同酸掺杂对聚苯胺导电性能的影响

采用元素分析、Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）以及直流电导率σｄｃ（Ｔ）与温度关系等方法对三种聚苯胺ＰＡＮＩ－ＨＣｌ,ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４和ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４进行了研究．在Ｃｌ（２ｐ）谱中,可以分辨四个二重态的自旋轨道裂分偶极子Ｃｌ（２ｐ１／２）和Ｃｌ（２ｐ３／２）．Ｓ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱显示了二重态自旋轨道的裂分偶极子Ｓ（２ｐ１／２）和Ｓ（２ｐ３／２）,而Ｐ（２ｐ）－ｃｏｒｅ－ｌｅｖｅｌ谱仅在结合能为１３４．０３ｅＶ时显示单一的峰值．室温时ＰＡＮＩ－ＨＣｌ和ＰＡＮＩ－Ｈ２ＳＯ４的σｄｃ比ＰＡＮＩ－Ｈ３ＰＯ４的σｄｃ高数倍．ＰＡＮＩ样品的导电性与温度的关系表明它们是半导体,而且符合准一维的变程跳跃（Ｑ１Ｄ－ＶＲＨ）模型     

冻结水溶液中Gd~（3＋）离子ESR线宽的温度效应

分别以ＬａＣｌ３、ＮｄＣｌ３水溶液为基质，在１００～２７０Ｋ温度范围内，对冻结水溶液中Ｇｄ３＋离子的ＥＳＲ线宽进行了研究．德拜温度上下，线宽的温度效应不同．两种基质中，Ｇｄ３＋离子的ＥＳＲ线宽的温度效应有较大差异．     

Ca^2＋对罗非鱼EOG影响及其解毒可行性探讨

将四种浓度的Ｃａ２＋溶液和含４ｍｍｏｌ／Ｌ简Ｃａ２＋的不同浓度的Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋及其混合液，分别灌注鱼的嗅囊，研究它们对罗非鱼嗅电图（下简ＥＯＧ）的影响，并初步探讨Ｃａ２＋作为解毒剂的可行性及机制．结果表明：１）在一定浓度Ｃａ２＋范围内，ＥＯＧ振幅随Ｃａ２＋浓度的增加而增大，超此范围，则随浓度的增加而减小；２）Ｃａ２＋能使Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋中毒鱼的ＥＯＧ反应振幅接近正常值，反映其具一定解毒作用，效果顺序为Ｃｕ２＋＞Ｚｎ２＋；３）Ｃａ２＋对Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋混合液也具一定解毒作用．     

溶液体系中钆（Ⅲ）ESR谱基本性质的研究

分别以ＬａＣｌ３、ＮｄＣｌ３、ＳｍＣｌ３溶液为基质，在１００Ｋ低温下进行了Ｇｄ３＋的ＥＳＲ研究，得到了溶液中Ｇｄ３＋离子电子自旋共振谱的一些基本性质，测定了Ｇｄ３＋离子ＥＳＲ谱峰相对强度与基质浓度、Ｇｄ３＋离子浓度的关系．     

CaCl2法质粒转化最佳条件的探讨

ＣａＣｌ２法质粒转化中的一些关键性步骤的实验条件进行了探讨结果表明，ＣａＣｌ２处理对制备感受志受体菌是至关重要的，ＣａＣｌ２处理后的受体菌在４℃放置１６～２４ｈ是必要的．ＣａＣｌ２处理浓度以０．０７５ｍｏｌ·Ｌ－１最佳．为了得到足够的转化菌落，质粒加入量不应低于０．２μｇ．     

尿素－金属氯化物熔体的电导特性

测定了尿素—ＬｉＣｌ、尿素—ＮａＣｌ、尿素—ｋＣｌ、尿素—ＣｕＣｌ＿２、尿素—ＮｉＣｌ＿２、尿素—ＮａＣｌ—ＣｕＣｌ＿２、尿素—ＮａＣｌ—ＮｉＣｌ＿２熔体的电导率，研究了温度、浓度、碱金属离子大小对电导的影响。在所研究的温度范围内（１００～１３６℃），上述体系的电导率与温度成直线关系，尿素一碱金属氯化物熔体的电导率随阳离子半径增大而减少，且与阳离子半径平方的倒数成线性关系。尿素—ＣｕＣｌ＿２（０．１～１．０ｍｏｌ·ｄｍ￣（－３））的电导率在０．８ｍｏｌ·ｄｍ￣（－３）附近出现最高点，在０．７４ｍｏｌ·ｄｍ￣（－３）氯化物浓度附近，摩尔电导的顺序是ＬｉＣｌ＞ＮａＣｌ＞ＫＣｌ＞。     

聚乙二醇和月桂酸钠的相互作用

用粘度、电导率、核磁共振的方法探讨了聚乙二醇（ＰＥＧ）与月桂酸钠（Ｒ１１ＣＯＯＮａ）的相互作用．结果表明，ＰＥＧ与Ｒ１１ＣＯＯＮａ在水溶液中发生相互作用形成了复合物，混合溶液的粘度表现出聚电解质的粘度行为，电导率曲线出现两个临界浓度：Ｔ１（ＣＡＣ），Ｔ２（吸附达饱和的浓度）；体系中ＰＥＧ浓度越高，Ｒ１１ＣＯＯＮａ的解离度越大；核磁共振研究表明，ＰＥＧ分子链的一部分穿过Ｒ１１ＣＯＯＮａ的胶束，形成项链状结构，另一部分深入到溶液内部．     

CdCl2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对CdS薄膜用不同浓度的CdCl     

CdS多晶薄膜的异常电导现象研究

对化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备的ＣｄＳ多晶薄膜的电导率测试,发现电导率－温度关系的异常现象,在室温附近,电导率随温度增加的变化逐渐变慢,出现异常;温度继续升高则恢复正常．本文就此异常现象和测试结果对ＣｄＳ多晶薄膜性能的影响进行了讨论．     

退火对CdS薄膜和CdS纳米晶的电学与光学性质的影响

通过喷雾热解获得CdS薄膜,水热法合成CdS纳米晶,在氮气中做了退火处理,发现CdS膜的吸收边随退火温度升高而移动;经暗电阻与温度关系测试,发现CdS薄膜和纳米晶的激活能存在极小值,用载流子衰减时间的变化很好地解释了其缘由;室温喇曼谱中观察到CdS的两个特征峰.     

掺杂a-Si∶H薄膜的非平衡热缺陷研究

通过直流暗电导率温度依赖关糸σ(T)和光吸收谱的测量,研究了退火降温速率对掺杂a—Si∶H薄膜中热缺陷的影响.     

二步法硫化镉薄膜的制备及性能研究

基于化学水浴法,采用氯化镉、氯化铵、氨水和硫脲溶液体系,通过二步法在导电玻璃上制备了CdS薄膜。系统地研究了二步法生长的膜厚比对CdS薄膜厚度、形貌、结构和光学性能的影响。结果表明,制得CdS薄膜为立方闪锌矿结构,随着85℃与75℃生长时间比的优化,表面粗糙度减少,表面结构致密,结晶性能显著提高,可见光波段透过率明显提高。     

ITO退火膜的光学和电学特性

对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理,并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明,N2气氛下退火可以改善ITO薄膜的结晶性,同时使ITO薄膜质量得到优化,并显著提高ITO薄膜的透明性和电导性．     

退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.     

退火温度对Li掺杂ZnO薄膜光电特性的影响

采用溶胶凝胶法旋涂制备了摩尔分数为3%的Li掺杂ZnO薄膜,在450~650℃下退火后测试其微结构、表面形貌和光电特性.结果表明薄膜为六方纤锌矿多晶结构且n型导电,退火温度的升高改善了结晶度、表面形貌、透过率和导电性.退火温度超过550℃后电阻率增大,样品由肖特基导电转变为欧姆导电;伏安特性模拟结果表明,替位Li逐渐增多、薄膜功函数增大,有利于制备p型薄膜.退火温度达600℃后,由于薄膜再蒸发等使光电特性变差.550℃是最佳退火温度,适于制备高质量的透明导电薄膜,此时薄膜透过率达95%,薄膜电阻率为2.49×103Ω.cm.     

树枝状CdS纳米结构的合成及光学性质

分别以丙烯基硫脲和五水氯化镉为硫源及镉源,利用水热法合成了树枝状CdS复杂纳米结构,利用X射线衍射谱、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨电子显微镜和电子衍射等对产物的形貌和结构进行表征.利用室温荧光光谱和紫外-可见光吸收谱对产物的光学性质进行研究.结果表明,所得产物是六方晶系的CdS,并且树枝状CdS是单晶.研究了不同硫源和镉源对产物形貌的影响,同时对树枝状CdS复杂纳米结构的形成机制进行了探讨.     

One-pot hydrothermal synthesis and fabrication of kesterite Cu2ZnSn(S,Se)4 thin films

Kesterite Cu_2Zn Sn(S,Se)_4(CZTSSe)powder was synthesized by a hydrothermal process.The thin films were fabricated by physical vapor deposition of CZTSSe powder followed by a thermal annealing process.The kesterite microstructure was identified by the X-ray diffraction and Raman spectroscopy.The morphology and elemental composition of CZTSSe thin films were also investigated.The dependence of resistance on the temperature of CZTSSe film was measured and the thermal activation energy of conductivity was estimated to be 0.33 eV based on Arrhenius plot of resistance versus temperature.A high absorption coefficient(10~4cm~(-1))of CZTSSe was found in the visible and NIR regions of the spectrum.A direct band gap structure with band gap energy of 1.46 eV was also estimated for CZTSSe films.The photoconductivity was measured under both AM 1.5G and NIR illumination and a stable and fully recoverable photoconductivity was observed for both asdeposited and annealed CZTSSe films.The annealed films show a higher photoconductivity than the as-deposited films under both AM 1.5G and NIR lights.