“二极管伏安特性曲线”实验方案的改进

针对"二极管伏安特性曲线"实验方案的不足,提出了实验的改进方案,用大内阻的数字电压表替代小内阻的指针式电压表,再参考改进的伏安法电路所测数据,使用电压补偿电路进行详细的测量。采用上述方案测试了几种常见二极管的伏安特性曲线。结果显示,改进后的方案能准确的给出二极管的正、反向伏安特性,有助于二极管伏安特性实验总体目标的实现。     

测二极管反向伏安特性实验的改进

用定值电阻代替滑线变阻器，用分压器调节电压，可使二极管反向特性的测量更加方便．     

二极管反向饱和电流的实验研究

利用直流复射式检流计代替电流表测量电流,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路测量电压,对二极管反向饱和电流的测量与二极管反向饱和电流随温度变化之间的关系进行了实验研究。利用直流复射式检流计提高了测量精度,采用分压式二极管反向饱和电流测试电路便于控制电压的变化,可以更细微地观察反向电流的变化,从而较准确测得反向饱和电流值。     

氢化非晶硅多数子驼峰二极管

本文提出了类似单晶硅多数子驼峰二极管的氢化非晶硅多数子驼峰二极管结构。测定了 I-V 特性,二极管的理想因子 n=1.20,驼峰势垒φ_B=0.70ev,从正向电流1.4A/cm~2到稳定反向电流的开关速度150ns.     

砷化镓隧道二极管伏安特性的若干研究

本文报导了砷化镓隧道二极管的峰值电流I_p,谷值电流I_v,峰值电压V_p,谷值电压V_v四参数温度关系的实验结果;(温度取77°K、195°K、296°K、365°K等四个固定点)分析了砷化镓隧道二极管的反向伏安特性,分析表明:反向伏安特性可用Chynoweth等提出的内场发射电流表示式来描写;也初步分析了正向负阻区后较大偏压范围内的伏安特性.     

二极管反向漏电流特性测试仪的设计

设计了一款在0~100℃和反向电压VR为0~1 000 V条件下,能够测试二极管反向漏电流特性的测试仪.它采用桥式输入I、CL7650组成的高精度放大电路、ADC0804和AT89S51完成了高压到低压的转换、信号的放大、采样、量化及显示,通过编程软件对测试结果进行修正,提高系统的测量精确度.对二极管IN4007的测试结果表明:所得反向漏电流分辨率达0.1 nA,准确度达1.79%.     

脉冲功率源系统中隔离硅堆动态特性分析

在脉冲功率源系统中,隔离硅堆起着模块间隔离与保护的作用。分析隔离硅堆的动态特性有助于在硅堆出现故障时推测其原因。结合实验数据,利用软件仿真分析硅堆上电压与电流的曲线;并探究波形变化原因。结果表明,隔离硅堆内部存在电容效应,且结电容会使与后触发电容相连的二极管上出现较大反压,可能影响硅堆的正常使用。结电容值越大,二极管上电压的过渡过程越长,与后触发电容相连的二极管的反向电压过冲越高;对应的反向电流峰值越高,反向恢复时间越短。     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极管,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性．结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化．通过与ＰＳ的电容、电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性．并根据这种二极管的结构和电流输运过程,对其湿敏机理及特性进行了分析     

金铂双掺杂快恢复二极管特性的研究

掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .     

浅谈广州地铁一号线直流电源技术改造

针对广州地铁一号线信号电源柜的60V、24V直流电源系统，由于并联中的一个电源短路故障引起其他电源切断输出，导致整个60V、24V电源系统停止输出的安全隐患的情况，本文利用二极管反向隔离的特性实现对故障电源的隔离，减小故障所产生的影响。     

半导体器件模拟软件ISE—TCAD

本文的研究目的是对半导体模拟软件ISE—TCAD进行详细介绍,旨在介绍软件的模拟方法,并利用仿真软件ISE—TCAD对其在室温下的正向伏安特性与反向伏安特性进行了模拟仿真,并取得了有价值的数据．．从模拟图的结果可知室温（303K）且偏压较低时,电流随着电压呈指数关系增长。W／SiC肖特基势垒二极管的开启电压约为0．2V;偏压较高时,电流增加缓慢,串联电阻效应明显。模拟值表明反向电流数值比正向数值小几个数量级,     

二极管双向限幅电路的实验研究

本文研究了二极管双向限幅电路、二极管双向限幅电路中VD2反向的实验电路、二极管双向限幅电路中VD1反向的实验电路和二极管双向限幅电路中VD1、VD2均反向的实验电路四种电路结构,分析了当输入正弦波电压时,上述四种电路的输出波形,并给出实验实测波形,实验结果验证了理论分析。     

基于级联非线性微腔的全光二极管研究

全光二极管是未来光通信和光计算中的关键器件之一.文中通过仿真实验,利用时域有限差分法研究了一种新型非线性光子晶体全光二极管的非互易光传输特性,提出通过利用两个超短脉冲泵浦对光子晶体直接耦合微腔与侧边耦合微腔分别进行泵浦,以对两个微腔的非线性光学双稳态进行精确调控,从而在较宽的工作带宽内(0.44 nm,是已报道的数十倍)实现信号光的单向高透射率(可达90%),同时可获得较高的正反向传输对比度(超过80).     

基于CMOS电路的温度计的设计

<正>CMOS数字集成电路品种繁多,包括了各种门电路、编译码器、触发器、计数器和存贮器等上百种器件。1.常用特性(1)工作电源电压。常用的CMOS集成电路工作电压范围为3～18V(也有7～15V的,如国产的C000系列),因此使用该种器件时,电源电压灵活方便,甚至未加稳压的电源也可使用。(2)供电引脚。(3)输入阻抗高。CMOS电路的输入端均有保护二极管和串联电阻构成的保护电路,在正常工作范围内,保护二极管均处于反向偏置状态,直流输入     

PS湿敏二极管特性研究

研制了Ｎ型和Ｐ型二种衬底材料构成的ＰＳ湿敏二极和,在不同湿度下,分别测试其Ｉ－Ｖ特性,结果表明,在一定电压下,无论Ｎ型衬底,还是Ｐ型衬底,其ＰＳ二极管的反向电流都随相对湿度的升高而增大,其正向特性却基本保持恒定,即在一定电压下,其正向电流不随湿度发生明显变化。通过与ＰＳ的电容,电阻的湿敏特性进行比较,发现电流的湿敏特性具有较好的稳定性和重复性。     

4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应

以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.     

高效无源三次倍频器研究与设计

为解决目前市面上毫米波倍频器制作工艺与体积之间的矛盾,设计了一款工艺简单、体积小、效率高、成本低的毫米波无源三倍频器.该倍频器在印制电路板上采用砷化镓变容二极管的反向并联电路结构,能有效抑制偶次谐波,改善输入阻抗特性;并在电路中增加空闲电路,大大提高了倍频信号的输出功率;最后通过仿真软件对倍频器进行优化和仿真,结果表明...     

新颖的毫米波频段鳍线O-Ⅱ移相器

作者通过网络反射参数的推导，得出实现移相器的条件。通过反向按装二极管得到带宽大于５ＧＨｚ，插损小于２．５ｄＢ的移相器。     

二极管伏安特性方程的矫正

通过对二极管电流的理论计算值和实验测试值的比较，指出目前教科书中给出的二极管伏安特性方程不能确切描述二极管的伏安特性，进而提出了重新建立这一方程的新见解。     

半导体二极管的特性分析与应用

本文从分析PN结的单向导电性入手,阐述了二极管的伏安特性、击穿特性及主要参数,进一步讲述了二极管的应用。