改性聚苯醚层压式高频覆铜板的研制

为了实现高频信号传输高速化,进行了低介电常数层压式高频覆铜板基材的研制.通过选择低介电常数的树脂材料和低ε的纤维作为增强材料,优化了基材的配方和成型工艺,解决了高性能低介电高频高速层压式覆铜板制备的技术关键,采用这一工艺研制的改性聚苯醚层压式高频覆铜板介电性能较理想.     

共混改性聚四氟乙烯覆铜板的制备

利用聚全氟乙丙烯(FEP)共混改性聚四氟乙烯(PTFE),制备了高性能聚四氟乙烯覆铜板.采用DSC和SEM分析了上述两种树脂的相容性,研究了偶联剂种类、树脂含量和玻璃纤维布含量等对覆铜板主要性能的影响,并用SEM观察了改性前后覆铜板冲击断面的微观结构.结果表明,聚四氟乙烯与聚全氟乙丙烯相容性能好,共混改性后覆铜板剥离强度从1.8 kN/m提高到2.26 kN/m,抗弯强度从100MPa提高到134MPa,而介质损耗因数从8×10-4降到7×10-4.     

栅介质材料及尺寸对薄膜晶体管性能影响研究

系统地对基于高介电常数材料HfO_2和传统的介质材料SiO_2这两种不同栅介质层材料的硅薄膜晶体管进行建模并对不同尺寸和温度条件下的薄膜晶体管的工作特性进行了研究.获得了不同沟道长度和沟道宽度,不同栅介质层厚度和不同温度条件下的薄膜晶体管的工作特性曲线.通过对比发现,薄膜晶体管的饱和电流与沟道长度和栅介质层厚度成反比,与沟道宽度成正比,与理论计算一致.随着温度的升高,薄膜晶体管的载流子迁移率和阐值电压都在逐渐减小,因而饱和电流值逐渐减小;在相同栅介质层尺寸和温度条件下,基于HfO_2的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更高的电流开关比,更低的阈值电压和更小的泄漏电流.因此,基于高介电常数栅介质材料的薄膜晶体管相对于基于SiO_2的薄膜晶体管具有更好的性能.     

介质材料对大气压沿面介质阻挡放电等离子体激励器产生的最大离子风速的影响

对两种不同介质材料的介质阻挡放电等离子体激励器在不同峰峰值电压下所诱导的最大离子风速分别进行了测量.实验结果表明,当峰值电压较低时,介质板介电常数较低的激励器所诱导的最大风速要小于介质板介电常数较高的激励器诱导的最大风速,但随着峰值电压的继续增大,具有低介电常数的激励器所诱导的最大风速较大.这主要是因为低介电常数能够显著提高最大可施加电压而不会导致流光放电的产生.     

盐雾环境下浸银覆铜板的腐蚀行为

 采用交流阻抗(EIS)法研究浸银覆铜板在中性盐雾环境的腐蚀行为,并结合SEM/EDS表面分析手段,分析了腐蚀产物形貌和组成特点.研究表明,在盐雾环境中,覆铜板的浸银层起到了保护作用,在盐雾实验初始阶段,试样表面没有发生明显的腐蚀,具有较大的阻抗值.但由于氯离子对浸银层破坏作用,导致浸银层发生局部破损,阻抗随着实验时间降低.当长时间盐雾实验后,浸银层逐渐丧失保护作用,生成的铜锈层不断增厚,阻抗值增大,铜锈层对外部的腐蚀介质的传输起到主要的阻碍作用.     

复相陶瓷介质性能的有限元法模拟

作者通过运用有限元法(FEM)结合蒙特卡洛模拟(MC),对复相陶瓷的宏观介质性能(如介电常数、损耗等)进行了计算.作者考虑的参数有体积百分含量,两相的介电常数比.两相的随机分布是通过蒙特卡洛法产生的.对计算的结果(介电常数,相的电能填充因子)进行了数值拟合,得出了新的介电常数预测公式.为了验证新的介电常数预测公式的有效性,制备了(1-x)MgTi O3-xCaTi O3(x=0,0.05,0.25,0.333,0.5,0.667,0.75,1)陶瓷,将微波频率下测得的介电常数值与公式的预测结果进行了比较,发现两者在所有的成分点都非常地吻合.此外,将单相陶瓷晶粒的内部和晶界视为两种不同的相,并用上述的方法对其介质性能进行了模拟.     

基于MC9S12XS128手写绘图板研究

本设计是根据2013年全国电子竞赛中的F题(手写绘图板)的设计要求做的一个PCB覆铜板定位系统,本系统是以飞思卡尔单片机MC9S12XS128为控制核心,系统采用电桥法测量覆铜板的电阻,因其阻值是在mΩ级的变化,所以系统对信号采用了两级放大,经过单片机的12位A/D转换后对信号进行运算处理,最后单片机将运算处理过后的坐标等相关信息显示在OLED上。实验结果表明,系统的各项性能均达到了题目的设计要求。     

生益科技:引领TRIZ创新方法推广的一面旗帜

正【公司简介】广东生益科技股份有限公司(简称生益科技)创建于1985年,是全球四大覆铜板企业之一、国内覆铜板行业唯一一家上市企业,拥有中国最大的覆铜板专业生产基地;同时还是国家印制电路标准化技术委员会基材工作组组长单位、全国知识产权试点单位。生益科技倡导自主研发,重视技术创新,公司50多种产品中,仅有1种为国外引进技术,其余均为自     

用 H_(oll)~o 模谐振腔微扰技术测量介质的复介电常数

利用磁耦合的 H_(011)~0模高 Q 值圆柱形谐振腔微扰技术,可以减小样品放置位置的附加效应,故在一般条件下可提高测量介质复介电常数的精度,所用测量仪器较少,操作简便.在微波频率下,介质的介电常数变为复数,即(?)(1)根据谐振腔的微扰理论及 H_(011)~0模的场结构,并考虑到介质的磁导率 μ≈μ_0及腔的 Q     

一种新型SISL分支线3 dB定向耦合器

为了构造高性能的定向耦合器,提出一种新型介质集成悬置线(SISL)分支线3 dB定向耦合器.该耦合器在SISL空气腔的中心放置由覆铜板和金属化通孔包围的介质基板,提高了SISL结构的稳定性.馈电方式采用同轴接头直接馈电,在SISL与接头连接处增加了接地金属化过孔,减小了插入损耗,改善了电路的电性能.测试结果表明:耦合器...     

介质阻挡放电中的表面电荷

在介质阻挡放电中,计算不同的放电间隙,气压,介电常数和介质厚度等放电条件下的表面电荷量,在VD和SD两种情况下分别进行测量,比较实验和计算结果,并讨论其机理。     

微波耿氏边际振荡器在测量介质介电常数等的应用

本文讨论了ESR波谱仪中耿氏边际振荡器的工作原理和在测量介质介电常数方面的应用。还讨论了插入振荡器腔体介质所产生频偏值的近似计算方法,用的矩形腔体工作于H_(106)、H_(107)、H_(108)等高次模式时,用腔体微扰法得到的计算值与实验值基本相符,相对偏差一般不超过10％。实验值的不重复性误差是在所用波长计的精度(±1MH_Z)之内。实验表明,由于此种振荡器能自动调谐,用它来测量介质介电常数时将特别方便。     

一种介质集成悬置线结构的介电常数测量装置

为进一步提高介质复介电常数测量精度和范围,本文提出了一种工作于C波段的基于介质集成悬置线(SISL)结构的复介电常数测量装置。该装置具有小巧精致、成本低、精度高和适用范围广等特点,探头由部分镂空的5层介质板黏合而成的谐振腔、测量加载缝和馈电耦合3部分构成,工作的基本原理是通过上盖板面缝隙引入待测样品带来的腔内电磁场分布扰动,从而得到频率和品质因数(Q值)的变化,并使用仿真数据训练过的人工神经网络(ANN)对上述变化量进行反演,得到待测介质节点常数数值。在水–乙醇二元混合溶液的实验中,结果与理论数值实部误差3.75%,虚部误差1.75%,具有较高的测量精度。     

生益科技:实现从追赶者到引领者的跨越发展

坚持自主创新道路 深耕覆铜板细分行业 广东生益科技股份有限公司创建于1985年,1998年在上海主板上市交易,总部位于广东省东莞市,在陕西咸阳、江苏苏州和常熟、江西九江等地均设有生产基地.生益科技主要研发、生产、销售覆铜板和粘结片,2020年销量约占全球的12％,是覆铜板(CCL)产销量全球第二、中国境内第一的生产厂商...     

基于微带谐振法的介电常数无损伤测量

为了能够简便且无损伤地测量介质的介电常数,介绍了一种基于微带谐振法的介电常数无损伤测量方法,测量装置采用四分之一波长型阶跃阻抗谐振器(stepped impedance resonator,SIR)以及背面缝隙耦合的馈电结构,使得测量装置不仅尺寸小巧而且易于贴近待测介质表面进行非破坏性测量.待测介质的介电常数由待测介质的厚度和测量前后谐振频率的变化决定,三者的函数关系式由三维电磁仿真以及三维数据拟合获得.此外,设计并制作了一款谐振频率在2 GHz频段的实物装置,实测了6种样品的介电常数,测量结果与安捷伦E4991A测试仪的测量值进行比较.根据实测比对,该测量装置的相对测量精度在±6％.最后,仿真研究了接触面缝隙带来的测量误差,并给出了相应的参考曲线.     

多模毁伤元形成与侵彻效应的数值模拟

研究改变起爆方式使Octol炸药和球缺紫铜药型罩的柱锥型战斗部形成爆炸成型弹丸和杆式侵彻体两种毁伤元,采用AUTODYN-2D软件对点起爆和环形起爆方式下毁伤元形成与侵彻装甲钢靶进行数值模拟,分析起爆位置对毁伤元成形和侵彻能力的影响. 数值模拟结果表明,相同战斗部结构在5Dk(Dk为装药直径)炸高下,理想环形起爆半径条件下形成的杆式侵彻体对装甲钢的侵彻深度约为爆炸成型弹丸侵彻深度的2倍.     

Nd、Ce掺杂BaTiO3基陶瓷的研制及介电性能研究

本文采用固相法,分别用CeO2和Nd2O3掺杂钛酸钡基陶瓷,对其实验前后进行对比和物相分析,探讨了掺杂比例对其介电性能影响的规律.当w(CeO2)为0.4%时相对介电常数最大(79899),当w(CeO2)为1%时介质损耗最小(0.0223);当Nd摩尔含量为3‰时相对介电常数最大(31309),当Nd摩尔含量为1.5‰时介质损耗最小(0.0457).同时用X衍射法分析了粉体预烧前后的晶相变化和最佳掺杂比例时粉体的晶相变化.在适当条件预烧处理有助于介温谱的变化,介温特性得到改善.本文对所用的掺杂方法的可行性进行了分析.     

覆盖高介电常数薄层介质波导传输常数的计算

本文介绍一种用有效介电常数(EDC)法计算介质波导传输常数时的修正方法,具体计算了覆盖高介电常数介质薄层的介质镜像波导和陷波镜像波导的传输常数。实验测量了覆盖高介电常数介质薄层的陷波镜像波导的导波长,数值计算得到的导波长和实验测量结果相当符合。     

采用等效介电常数时域差分法分析二维介质型光子晶体色散特性

针对差分法中难以近似处理不同介质分界面处单元差分网格中沿x,y,z轴各方向等效介电常数值的问题,提出了将"电容串并联"的电路概念引入于各方向等效介电常数的近似计算中,并导出几种非匀质单元网格中等效介电常数的计算式.采用等效介电常数的时域有限差分法计算二维介质型光子晶体的色散特性可灵活地剖分网格,既能获得很高的计算精度,又可节省计算时间和计算内存.此等效介电常数公式也可用于其他电磁问题的差分法分析,以提高计算效率.     

低k介质对CMOS芯片动态功耗的影响

利用CMOS电路动态功耗模型,对采用不同介电常数绝缘介质的CMOS集成电路进行模拟,研究了不同特征尺寸集成电路中低介电常数绝缘介质薄膜对电路动态功耗的影响.发现集成电路特征尺寸越小,电路功耗-延迟积与金属互连长度的线性关系越好.并且随绝缘介质介电常数降低,电路动态功耗的两个部分:状态翻转功耗与直通短路功耗,都有明显的降低.因此在ULSI中采用低介电常数绝缘介质是降低电路功耗的一种十分有效的途径.