量子阱超晶格和量子阱线超晶格中的极化激元

量子阱超晶格和方形截面量子阱线超晶格中极化激元的色散关系被详细讨论．在量子阱超晶格和量子阱线超晶格中，我们得到了四支（不是两支）极化激元模．     

层间耦合与界面自旋波的存在条件

研究了磁场中层间为铁磁性和反铁磁性耦合的两个半无限铁磁自旋链中的界面自旋波及其存在条件。结果表明：在给定链的参数后，对于铁磁性耦合，最多可存在光学－光学型和光学－声学型两种界面自旋波，而对于反铁磁性耦合，则最多可存在光学－声学型和声学－声学型两种。     

各向异性铁磁超晶格中自旋波局域模与界面模

研究了内部各向异性的Ａ－Ｂ结构的一维铁磁性超晶格自旋链，利用界面重参数化方法，给出了自旋波低能量子严格解。结果表明，超晶格自旋波分为非局域模，局域模和界面模三种类型，对各种模的性质与特点，以及自旋波的色散关系和能量范围做了讨论。     

起始冲击波和抑制器抑制效率的比较实验研究

发动机燃气射流产生的起始冲击波对于承载体具有破坏作用，必须采取抑制措施减弱其影响。多孔抑制器就是采用抑制措施之一。该文对具有不同开孔率的超始冲击波抑制器的抑制效率进行了对比实验研究。实验中采用了实验发动机，并且测量了燃气射流所产生的起始冲击波在弧面刚性斜板上的反射压力。通过于子波的分析方法，对压力数据进行了分析，获得了基于子波系数的频带能量谱和冲击波强度指数。提出了评估抑制器抑制效率的2抑制效率，即峰值抑制效率和强度指数抑制效率。研究结果表明，抑制器对火箭导弹发射的起始冲击波有抑制作用，开孔率较小时在近场有较好的抑制效果。     

静压下GaN/AlN应变超晶格的晶格动力学研究

利用弹性理论计算出静压下应变超品格两种组分材料的纵向晶格常数的改变，并用来修正应变存在时的面间力常数．在此基础上研究了应变对GaN／A1N超晶格的L-声子的色散关系和振动模式的影响．结果表明，应变可以在一定程度上破坏GaN和A1N中L-声子的准限制模式．另外静压对L-声子的色散关系影响显著，而对原子的振动模式影响较小．     

三峡库区工业固废调查及清理处置探讨

三峡库区将于2003年6月进行二期蓄水，库区内目前堆存有大量的工业固废，在水库蓄水前必须进行清理。通过调查分析，得知三峡库区工业固废近200万t，而且工业固废种类多、数量大、成分复杂，清理处置困难。根据安全、可靠、经济、实用的原则，提出三峡库区库底工业固废处置对策：经鉴别后一般无毒害的工业固废就地处置；超标的工业固废进行搬迁后填埋处置；危险废物全部搬迁后处置或贮存清理处置。     

Polar Optical Vibration Modes in Semiconductor Superlattices

ＰｏｌａｒＯｐｔｉｃａｌＶｉｂｒａｔｉｏｎＭｏｄｅｓｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｓＫｕｎＨｕａｎｇ,Ｂａｎｇ－ｆｅｎＺｈｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓＰ．...     

下凹型内孤立波沿台阶地形演化特征试验

通过大型分层流水槽中下凹型内孤立波沿台阶地形演化的试验模拟,认识我国南海东北部内孤立波沿海底突变地形传播的规律。利用分层染色标识法显示内孤立波与台阶地形作用过程中的特征变化,采用多点组合探头阵技术对其结构进行定量测量。研究表明:突变地形作用导致内孤立波波幅在台阶附近显著增加,使内孤立波波形变陡并出现尾部波列和极性转换等现象。     

Ga／As／Al／As超晶格低温光伏特性

在18～300K温度之内,测量了GaAs/AlA_3超晶格在不同温度下的光伏谱,采用Kronig-Penney模型的新形式计算了势阱中导带子带和价带子带的位置,对观测到的本征激子跃迁峰进行辨认,低温下的光伏谱反映了超晶格台阶式的二维状态密度分布。     

δ掺杂超晶格中的极化激元

本文采用转移矩阵的方法,研究了δ型掺杂超晶格中的极化激元模。结果得到其色散曲线分为两支,两支之间存在一带隙,带隙宽度随k_x增加而增加,计入推迟效应后,我们得出了在k_xω极限情形下的色散关系。     

涡流对反铁磁性超晶格推迟模式的影响

在等效介质理论近似下,涡流对层间有反铁磁交换相互作用存在的侧向磁性超晶格的推迟模式的问题。与以往有关推迟模式的研究有所区别的是,由于涡流的存在,必须考察传导电流对色散关系的影响。应用等效介质理论进行求解,色散曲线揭示了阻尼对推迟模式的影响。所得结果考虑了非磁性层厚度相等、外磁场沿z轴方向、波在y-z平面内传播的情况。     

A—B—A三链系统层间耦合与界面自旋波存在条件

研究磁场中具有单轴各向异性的Ａ－Ｂ－Ａ结构自旋链中的界面自旋波及其存在条件。详细讨论了外场等物理因素对存在条件的影响。     

纤锌矿GaN和AIN声子态的面间力常数模型在六角GaN/AIN超晶格中的应用

用面间力常数模型计算了(0001)方向纤锌矿结构GaN与AIN的纵向振动特性.并利用该模型对(0001)方向生长的六角结构的GaN/AIN超品格的纵向声子态进行了研究.着重讨论了超品格声子的限制效应.     

Plasmonic Bloch oscillations and resonant Zener tunneling in subwavelength metal-dielectric-air waveguide superlattices

In this paper,we study the propagation properties of surface plasmon polaritons in plasmonic single-cavity superlattices and two-cavity superlattices which are composed of two kinds of alternately stacked subwavelength metal-dielectric-air waveguides with large dispersion.Theoretical predictions of plasmonic time-resolved Bloch oscillations existing in single-cavity superlat-tices and resonant Zener tunneling(ZT) occurring in two-cavity superlattices by the transfer matrix method(TMM) are well dem-onstrated by the numerical simulations on the propagation of SPPs pulse in the two kinds of superlattices by the finite-difference time-domain(FDTD) method.The two proposed superlattices can be conveniently fabricated by present nanotechnology,and the study may promote the realization of plasmonic BO and resonant ZT in nanoscale devices experimentally.     

Structure and mechanism of the chromatin remodelling factor ISW1a

Site-specific recognition of DNA in eukaryotic organisms depends on the arrangement of nucleosomes in chromatin. In the yeast Saccharomyces cerevisiae, ISW1a and related chromatin remodelling factors are implicated in establishing the nucleosome repeat during replication and altering nucleosome position to affect gene activity. Here we have solved the crystal structures of S. cerevisiae ISW1a lacking its ATPase domain both alone and with DNA bound at resolutions of 3.25?? and 3.60??, respectively, and we have visualized two different nucleosome-containing remodelling complexes using cryo-electron microscopy. The composite X-ray and electron microscopy structures combined with site-directed photocrosslinking analyses of these complexes suggest that ISW1a uses a dinucleosome substrate for chromatin remodelling. Results from a remodelling assay corroborate the dinucleosome model. We show how a chromatin remodelling factor could set the spacing between two adjacent nucleosomes acting as a 'protein ruler'.     

Growth of nanowire superlattice structures for nanoscale photonics and electronics

The assembly of semiconductor nanowires and carbon nanotubes into nanoscale devices and circuits could enable diverse applications in nanoelectronics and photonics. Individual semiconducting nanowires have already been configured as field-effect transistors, photodetectors and bio/chemical sensors. More sophisticated light-emitting diodes (LEDs) and complementary and diode logic devices have been realized using both n- and p-type semiconducting nanowires or nanotubes. The n- and p-type materials have been incorporated in these latter devices either by crossing p- and n-type nanowires or by lithographically defining distinct p- and n-type regions in nanotubes, although both strategies limit device complexity. In the planar semiconductor industry, intricate n- and p-type and more generally compositionally modulated (that is, superlattice) structures are used to enable versatile electronic and photonic functions. Here we demonstrate the synthesis of semiconductor nanowire superlattices from group III-V and group IV materials. (The superlattices are created within the nanowires by repeated modulation of the vapour-phase semiconductor reactants during growth of the wires.) Compositionally modulated superlattices consisting of 2 to 21 layers of GaAs and GaP have been prepared. Furthermore, n-Si/p-Si and n-InP/p-InP modulation doped nanowires have been synthesized. Single-nanowire photoluminescence, electrical transport and electroluminescence measurements show the unique photonic and electronic properties of these nanowire superlattices, and suggest potential applications ranging from nano-barcodes to polarized nanoscale LEDs.     

应变层超晶格（ZnSe）n／（ZnS）m的亚带结构

本文讨论了应变对越晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ在Ｔ点带边结构的影响，计算了带偏移：并在双量子阱近似下，用有效质量近似方法计算了应变层超晶格（ＺｎＳｅ）＿ｎ／（ＺｎＳ）＿ｍ的亚带结构。     

低维量子系统等离激元介电函数表象变换理论

推导低维量子系统中等离激元介电函数的矩阵表达式，建立了矩阵表达式、张量表达式和傅立叶表达式之间的变换关系.根据有限子带模型,在不同表象下计算量子阱结构和半导体超晶格中等离激元模式的色散关系,并通过数值计算证实了在这3种表象下等离激元介电函数表达式是彼此等价的.     

超晶格中单极电场畴形成和输运过程的数值模拟

对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格,采用分立漂移模型。数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畸形的动态行为和物理机制,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象。     

Fe/Cu一维准周期磁性金属超晶格的结构

用磁控溅射法制备了Ｆｅ／Ｃｕ一维准周期磁性金属超晶格样品，并借助Ｘ射线衍射技术进行了结构研究，然后，仿照周期金属超晶格的研究方法，引入准周期调制函数，对实验结果进行理论处理，标定了各衍射主峰和卫星峰的指数，并计算了相应的衍射矢量值，对择优生长晶面间距的变化进行了计算，计算结果与实验结果相符．