室温连续工作的山字台型双异质结激光器

本文介绍了室温连续工作的山字台型双异质结激光器的制作工艺及其特性,只要外延片的各层比较平整、均匀,并采用倒装键合工艺,使激光二极管在室温下连续工作是容易实现的。初次制成的一批激光二极管的条宽近40微米,但一些激光器的横模仍是基模,而且相对于电流的变化是稳定的,测量了激光器的光谱特性,主峰的半宽约为2A。     

砷化镓双异质结激光器的退化和寿命问题

砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题,本文试把自1973年以来对DH激光器退化问题的研究及最近所得结果做一综合论述,内容包括三个部份: 一、DH激光器的退化现象和特征, 二、DH激光器的退化形态, 三、获得长寿DH激光器的途径。     

InP/InGaAsP双异质结激光器

本文介绍了InP/InGaAsP双异质结激光器的制作及其特性。在通常的液相外延系统中用两相溶液法生长双异质结构晶片,适当的选择四元系外延层的组分及外延层的掺杂浓度,掌握Zn在外延片中的扩散规律,做好欧姆接触,结果制成了在室温下连续工作的条形激光器。室温最低脉冲阈值电流密度J_(th)=1800A/cm~2,室温直流阈值在200—300mA之间,激射波长1.35μm,主峰半宽5。     

条形注入式半导体双异质结(DH)激光器阈值特性的理论分析

本文对条形注入式半导体DH激光器的阈值特性作了数值计算和理论分析。对PCW结构激光器载流子浓度剖面顶峰趋于平坦或中心下凹的现象作了解释并分析了这种现象所造成的后果。计算结果和实验结果符合较好。文中所提供的方法可适用于通常条形,BH、SBH、PCW、CDH、CSP等各种结构的激光器。     

双异质结GaAs激光器辐射场及其方向性的改善

提出一线微透镜与双异质结GaAs激光器组合的结构,以改善其辐射场的方向性。     

条形注入式半导体双异质结(DH)激光器侧向波导和侧向模式特性的理论分析

本文以PCW结构和平面界面结构的半导体激光器为例,对它们的侧向模式导引机制和模式选择性作了理论分析,对等位相面分布和辐射远场图做出了较为精确的计算。计算结果与国内外报道的有关实验结果符合得很好。     

收缩双异质结构激光器

本文介绍了我们研制的收缩双异质结构激光器(CDH),与氧化物隔离条形激光器相比,该激光器的阈值较低,消除了光功率-电流曲线的扭曲现象(kink)。本文还讨论了这种激光器的电流集中效应和模式导引机制。     

量子阱异质结激光器概述

量子阱异质结(QWH)激光器是七十年代后期发展起来的一种新型半导体激光器,其主要特点是有源区的厚度很小(<500),从而呈现出“量子尺寸效应”。这类激光器的线性(光—电流特性)、阈值电流的稳定性及噪音—动态特性都比典型的双异质结(DH)激光器有所改善。本文就QWH激光器的一些主要特性和性能予以简述。     

Ga As—Al Ga_(1-x) As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散

本文介绍了一种采用三元系源Ga—As—Zn为扩散源的GaAs—AlxGa_(1-x)As双异质结平面条型激光器的掩蔽扩散。其中对三元系源Ga—As—Zn源的选择做着重的讨论,并且对元素Zn源与三元系源做了比较;从中引出了扩散系数D依赖于As_4压力的关系公式和扩散截面的表面浓度的表达式。最后,对工艺结果和存在的问题进行了分析讨论。     

正装连续工作的GaAs/GaAlAs阶梯衬底内条形激光器

本文报道了一种工艺简单、特性优良、可正装连续工作的半导体激光器——阶梯衬底内条形激光器,这种结构激光器由一次液相外延完成电流隔离层和四层双异质结构生长,电流通路在外延过程中自然形成,目前得到了正装室温连续激射,阈值为30～50mA的器件,其线性光输出和基横模工作范围达2倍阈值以上。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置，讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用 “正交设计”的数学方法安排外延试验，找到多层连续均匀生长的条件．使ＧａＡｓ－ Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器阈值电流密度达到 １０００—２０００安培／平方厘米。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的液相外延

介绍我们采用的多次液相外延实验装置,讨论影响薄层液相外延生长的因素。采用“正交设计”的数学方法安排外延试验,找到多层连续均匀生长的条件,使GaAs—Ga_(1-x)A1_xAs双异质结激光器阈值电流密度达到1000—2000安培/平方厘米。     

砷化镓结型激光器研制过程中的观察和测量

一、用红外反射光谱测量砷化镓外延层的自由载流子浓度。 高掺杂GaAs单晶的红外反射率R表现出一反常色散,如图1:     

GaAS-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究ＧａＡｓ的欧姆接触工艺．实验结果表明， ｐ－ＧａＡｓ用 Ａｕ—Ｃｒ 金、ｎ－ＧａＡｓ用 Ａｇ—Ｓｎ合金的欧姆接触工艺．比接触电阻率 Ｒｃ＜１０－４（欧姆）（厘 米）３应用于 ＧａＡｓ—Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ双异质结激光器．得到良好的效果。     

GaAs-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器欧姆接触的研究

我们用正交表研究GaAs的欧姆接触工艺,实验结果表明,p—GaAs甩Au—Cr金、n—GaAs用Ag—Sn合金的欧姆接触工艺,比接触电阻率Rc<10~(-4)(欧姆)(厘米)~3应用于GaAs—Ga_(1-x)Al_xAs双异质结激光器,得到良好的效果。     

Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器的液相外延研究

本文报导了Ga_(1-x)Al_xAs/GaAs双异质结激光器液相外延过程中,有关组份、浓度、生长速率控制的一些实验结果。主要内容是Ga_(1-x)Al_xAs层的组份、平均生长速率随溶液中Al含量的变化和杂质Te在GaAs、Ga_(1-x)Al_xAs层中的掺杂行为等。利用所得结果可方便地控制外延层的组份、厚度和掺杂浓度。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器

本文重点介绍了GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs单异质结激光器的作用原理、制备工艺和基本特性。指出了这种器件在室温脉冲工作状态下,较同质结器件有明显改进。具体表现在(?)值电流密度一般可降至10000安培/厘米~2左右;微分外量子效率可提高到40％左右,好的可达48.6％。同时并运用辩证唯物主义的观点,对实验中的问题进行了分析。     

GaAS-Ga_(1-x)AI_xAs双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量GaAs—GaA1As双异质结激光器阈值电流随温度的变化,表明在室温附近符合指数规律。通过这一测量,可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应测量方法,通过激光器光谱峰位的移动,也可以推祘器件的热阻与串联电阻。     

GaAs-Ga_(1-x)Al_xAS双异质结激光器的热阻及串联电阻的测量

测量ＧａＡｓ—ＧａＡｌＡｓ双异质结激光器阈值电流随温度的变化，表明在室温附近符 合指数规律．通过这一测量，可以得到激光器热阻和串联电阻数值。介绍光谱温度效应 测量方法．通过激光器光谱峰位的移动．也可以推算器件的热阻与串联电阻．     

室温工作的射频放电激励板条CO激光器

研究了在室温工作下射频放电激励板条CO激光器的工作特性.采用81 MHz的射频放电,利用并联谐振技术获得均匀的射频放电.激光器电极大小为86 mm(宽)×700 mm(长),间距为1.7 mm.激光器谐振腔为输出耦合系数为8%的负支共焦谐振腔.研究了激光器的脉冲工作特性,以及不同脉冲情况下脉冲的时间特性.获得了峰值功率约为600 W的激光输出.测量了激光器输出的光谱特性以及输出功率稳定性.