2(1/2)D磁芯存贮器中驱动电流的工作范围

在磁芯存贮器中,影响其可靠工作的因素很多。在存取方案和所采用器件确定之后,影响其可靠工作的主要因素是: 1.元件和部件的可靠工作范围; 2.驱动电流的稳定性; 3.读出放大器的鉴别能力; 4.工艺结构质量和环境温度的控制。然而,存贮器的驱动电流可靠工作范围能够集中地反映出它的可靠性来。显然,在最佳工作点附近的工作范围越大,存贮器工作越可靠。在设计过程中,应该根据工作范围来     

浅谈利用页式虚存实现微机的内存扩充

内存贮器是计算机系统的重要资源,内存容量总是有限的,为了满足大作业的存贮和运行的需要,充分发挥系统的效率,一般的微机系统都要通过软件方法将内存空间扩充成比实际容量更大的逻辑存储空间。虚拟存贮器是广泛采用且有效的内存扩充技术,常用的虚存管理方法有动态页式、动态段式、段页式。本详细讲述请求分页管理虚存实现微机的内存扩充的技术。     

浅谈利用页式虚存实现微机的内存扩充

内存贮器是计算机系统的重要资源,内存容量总是有限的,为了满足大作业的存贮和运行的需要,充分发挥系统的效率,一般的微机系统都要通过软件方法将内存空间扩充成比实际容量更大的逻辑存储空间。虚拟存贮器是广泛采用且有效的内存扩充技术,常用的虚存管理方法有动态页式、动态段式、段页式。本文详细讲述请求分页管理虚存实现微机的内存扩充的技术。     

弱光测试用选频放大器

本文描述了为测弱光用的选频放大器,当f_0=85Hz,Δf=2Hz时,噪音2×10~(-7)伏,在室温条件下用此放大器可以测到10~(-12)流明的弱光。“弱光测试”要求一台噪音低、放大倍数高、通频带窄、稳定性和线性好的选频放大器。本文简述装调“弱光测试用选频放大器”的过程中所碰到的主要问题的分析及其解决的方法和措施。弱光测试用选频放大器的性能指标:放大倍数为2.17×10~5、噪音电平为2.0×10~(-7)伏、通频带宽为2周/秒、中心频率为85.6周/秒。     

天然方解石中~(55)Mn~(2+)离子的各向异性顺磁共振谱

我们研究了天然方解石中~(55)Mn~(2+)离子在微波频率约为9400兆赫频段的顺磁共振谱的精细结构和超精细结构。并对θ=0°及90°之下由实验确定的谱线位置与计算值作了对比,求出了~(55)Mn~(2+)在方解石中的自旋哈密顿参数。结果证明g因子和谱的超精细结构参数有微弱的各向异性。所得到的参数分别为: g_‖=2.0025±0.00012,g_⊥=2.0023±0.00012, D′=(37.97±0.065)×10~(-4)(cm~(-1)), d′=(5.00±0.06)×10~(-7)(cm~(-1)), A=94.0±0.26(Gs),B=93.4±0.26(Gs)。     

化学发光法测定天然水中正磷酸盐

本文报道一种测定天然水中正磷酸盐的化学发光方法,原理是基于磷酸根对钼酸铵氧化Ⅰ~-生成Ⅰ_2的催化作用.检测限达4ng/mLPO_4~(3-),线性范围是1×10(-7)—1×10~(-5)M,对2×10~(-7)M PO_4~(3-)测定(n=11)的相对标准偏差小于±2%.     

单片机大容量存贮器扩展探讨

在8位单片机系统中,数据存贮器的存贮空间最多只有64k×8bit,作者采用硬件与软件相结合的方法,可以将存贮器空间扩展8倍(512k×8bit),从而充分利用了8位单片机资源,解决了大数据量处理时存贮空间不够的问题.     

一种基于相变存储器的高速读出电路设计

通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(R_(GST)=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.     

湍流时动能校正系数α的计算

<正> 湍流时动能校正系数α可以用下式计算:α=(n+1)~3(n+2)~3/[4(3n+1)(3n+2)]运用此式可以很方便地求出不同n值时(或不同Re值时)α的数值。例如:当4×10~43.3×10~6时,n=1/10,α=1.031。     

{MoOS3Cu3 （PPh3）3Cl}的合成及晶体结构

本文合成并测定了{MoOS_3Cu_3(PPh_3)C1}的晶体结构,簇合物属正交晶系,空间群为P_(212121)晶胞参数:a=12.833(5)×10~(-10)m,b=17.552(5)×10~(-10)m,c=22.778(7)×10~(-10)m;Z=4。结构用直接法解出,经最小二乘法修正,偏离因子R=0.069.     

一种新超导材料(Y-Ba-Cu-O)的x射线衍射分析

报道用x射线衍射方法测试超导材料(Y-Ba-Cu-O)结构的实验结果,结果表明,Y-Ba-Cu-O是斜方晶系,晶格常数为a_1=3.886×10~(-8)cm,a_2=3.818×10~(-8)cm,a_3=11.704×10~(-8)cm。     

带衬底温度补偿的微测辐射热计读出电路

非致冷微测辐射热计具有较大不均匀性,并且输出响应受衬底温度影响很大.提出的读出电路在读出信号的同时能够扩大探测阵列的允许衬底温度.电路采用多列像素共享容式跨阻放大器(CTIA)和DAC,用补偿暗像元扣除静态电流,校正数据经DAC转换送至MOS管的栅极以控制偏置电流达到温度补偿目的.该电路灵敏度高、动态范围大,对于128×128面阵可以达到30Hz以上的帧频,通过PSPICE仿真验证了该读出电路的可行性.     

碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉镉配合物的合成与稳定常数的测定

合成了一种新的水溶性碘化四-(4-三甲胺苯基)卟啉镉配合物.用元素分析、红外光谱和紫外可见光谱表征了配合物的组成与结构.用改进的三波长Sanchez法测得了该配合物在pH=13.0,μ=0.2(NaNO_3调节)和25℃(±1℃)条件下的稳定常数K=6.05×10~7,组成比为1:1.     

高精度半导体激光器恒温仪的研制及控温特性

采用PID校正网络研制了温度可调节的高精度半导体激光器恒温仪,测试结果表明,稳定度可达±2.0×10~(-3)C,并讨论了其控温特性。     

石龙子rADVR突触结构的定量分析

用实物及计算机投影系统对石龙子前背侧室嵴嘴外侧区突触的电镜图像进行放大处理和统计分析,测量结果:突触前膜平均厚度为70.3×10-10m,后膜平均厚度为117.7×10-10m,突触间隙平均宽度为147×10-10m,突触界面曲率为:平均值±标准差=(1.123±0.389)×10-10m,突触活性带长度为:平均值±标准差=(3 514.93±982.75)×10-10m,空心小泡直径为:平均值±标准差=(477.3±38.45)×10-10m(n=58),实心小泡直径为:平均值±标准差=(892±55.83)×10-10m(n=28).     

管内沸腾临界热负荷的实验研究

文中簡述了管內沸騰临界热負荷的研究現狀,介紹了作者采用的試驗裝置和方法,列出除气蒸餾水向上流过垂直不銹鋼管时的沸騰临界热負荷的試驗数据,提出經驗关系式,分析主要因素的影响,并与其他作者的数据进行比較。試驗在以下参数范圍內进行: 实驗段出口压力:1.2～1.5工程大气压实驗段出口欠热度:5～35℃流速:0.25～8米/秒热負荷:1.0×10~6～8.5×10~6大卡/米~2的实驗段材料:1X18 H9T不銹鋼管管径:(內径×厚度)4×1;6×1;9×1.5毫米管長:105毫米管长/管内径=l/d内:26.2,17.5,11.7(都大于10)在上述条件下整理成經驗关系式: gKP=0.65×10~6(1+w)~(09)(1+Δt_H)~(0.23) (1) 实驗点与經驗关系式最大偏差小于±18％,其中93％点最大偏差≤±10％。     

仲壬基苯氧基乙酸基本常数的测定

利用两相滴定法在(25±0 5)℃下测定了仲壬基苯氧基乙酸(CA-100)在水中的溶解度S,离解常数Ka,以及庚烷中的二聚常数K2和水-庚烷两相间的分配常数Kd.实验测得S=1 30×10-4mol/L,Ka=2 94×10-4,K2=3 29×102,Kd=4 15×102.     

工业纯铁中氢扩散及捕获行为研究：Ⅰ.完全退火工业纯铁中氢的扩散系数

用Devanathan双电解池氢渗透技术测量了20—80℃工业纯铁中氢的扩散系数,D=10.7×10~(-4)exp(-Q/RT),其中扩散激活能Q=7710±150J/mol.本文还讨论了运用电化学法测量氢的扩散系数、制备薄片渗透试样应注意的几个问题.     

氧瓶燃烧-孔雀绿-磷钼酸铵-PEG光度法测定蒙诺

为寻找测定福辛普利钠的简便而实用的方法,建立了经氧瓶燃烧后,用孔雀绿-磷钼酸铵-聚乙二醇显色光度法测定蒙诺片剂中福辛普利钠含量的方法.测定线性范围为含磷量在1×1-0 6~5×1-0 6g/50mL,相关系数R=0.999 8.测定片剂中福辛普利钠的含量与标示量比较,相对误差≤±0.8%,相对标准偏差RSD=0.44%(n=7).     

邻香兰素与乙二胺双希夫碱的晶体结构

邻香兰素与乙二胺双希夫碱的晶体属单斜晶系,空间群Pc,a=9.418(2)×10~(-1)nm,b=6.278(1)×10~(-1)nm,c=14.495(4)×10~(-1)nm,β=93.35(2)°,V=856(0)×(10~(-1)nm)~2,Z=2。最后的一致性因子R=0.063,R_w=0.061。