脉冲无氰电镀在硅基RF-MEMS滤波器中的应用及优化

针对硅基RF-MEMS带通滤波器制备过程中金层电镀沉积工艺,基于亚硫酸金盐无氰电镀液,并结合脉冲电镀技术,通过对电流密度、占空比、正负脉冲时间比、脉冲频率、温度、搅拌速率等相关工艺参数进行优化组合,实现了所设计的硅基双层自屏蔽式RF-MEMS带通滤波器制备与测试,也为相关RF-MEMS器件制备提供了工艺指导.      

钛电极脉冲电镀铂及镀层性能

给出一种钛电极脉冲电镀铂的整体方案和仪器,讨论了电镀参数的选择,并采用XPS、SEM、电化学等方法研究了Pt-Ti电极的性能。     

硅太阳电池电极系统的分析与制备

文章分析了硅太阳电池电极设计必须考虑到电池的表面状态．表面扩散层的掺杂浓度．金属一半导体接触以及遮光损失等的影响，因而是一个电极系统的设计和制备问题。给出了栅状电极的设计实例，并用于太阳电池的制作获得较满意的输出特性。     

预电镀铁对活性钢热镀锌层的影响

研究了5种含硅钢板（含硅量分别为0．04％，0．09％，0．14％，0．28％和0．36％）预电镀铁后热浸锌时镀层中合金相的形成和生长规律．结果表明：预电镀铁能够显著抑制活性钢镀锌合金层的快速生长．对于Sandelin钢、薄的过Sandelin钢和含硅量较低（约0．28％）的过Sandelin钢，可在其表面预电镀厚度不超过10μm的铁层再热镀锌，以解决其镀层超厚问题．电子探针显微分析（EPMA）结果表明：钢中的硅会在钢基表面富集；随着钢基／镀层界面向钢基方向移动，富硅的α-Fe破碎成粒子或絮状物，以类似克根达尔效应中惰性标记物的方式穿过Г层进入δ层，从而促进δ层向钢基方向生长并吞并附近的Г层，令Г层逐渐消失．含硅钢预电镀铁后延缓并减弱了硅对热镀锌合金相的影响，故能在一定浸锌时间内抑制活性钢热浸镀锌层的快速生长，抑制时间随预电镀铁层厚度的增加而增加。     

稳压电源改制双脉冲电镀电源

设计并实现了一磁由通用直流稳压电泊改制成双脉冲周期反向电镀稳定电源的具体方案，该电路具有简捷实用，功能多，成本低容易实现等特点，为脉冲电镀研究提供了方便。     

多孔硅多晶硅太阳电池研究

多晶硅太阳电池是目前世界光伏产业发展的重点,由于多晶硅不同的晶粒取向的差异,使传统的单晶硅绒面制备技术不能用于多晶硅太阳电池,多孔硅技术是适于多晶硅的廉价表面减反射膜技术,文章研究了多孔硅技术在多晶硅太阳电池中的应用,用化学腐蚀法制备了多孔硅,成功制备了效率达10＝72％多孔硅多晶硅太阳电池。     

激光开槽、埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。     

脉冲电流在选择性电镀中的应用

研究了选择性脉冲电镀中的金属分布规律,以局部酸性镀铜为例讨论了脉冲峰值电流密度和工作比对铜镀层金属分布的影响。最后根据测得的极化曲线从Wagner常数的角度进一步证实了选择性脉冲电镀中的电流分布规律。结论为:在极间距较小情况下,在高脉冲电流密度下施行选择性脉冲电镀,将大大提高镀层的定域性和集中性。     

颗粒导电性对铁-硅复合镀层形貌及硅含量的影响

将硅含量(质量分数)为30%,50%和70%的铁硅合金粉和纯硅粉作为复合电沉积法制备高硅镀层的颗粒,研究颗粒的导电性对镀层形貌及硅含量的影响。研究结果表明:颗粒硅含量越低,其导电性越高;采用水平电极电镀时,颗粒硅含量是影响镀层硅含量的主要因素;而采用竖直电极电镀时,颗粒的电导率是影响镀层硅含量的主要因素,由Fe-30%Si合金颗粒电镀获得的镀层硅含量最高,而且镀层中颗粒形貌由原来不规则状变为圆丘状,而纯硅颗粒形貌没有发生明显变化,说明在电镀的过程中颗粒的导电性能促进其共沉积。     

脉冲无氰电镀

一种适用于各类半导体芯片凸点银电极制备的脉冲无氰电镀新技术在南京航空学院研制成功。该项研究成果使所制成的电极达到国外同类产品水平。多层电极制备及电镀银工艺,即在管芯制造中凸点银电极的制备,国内长期沿用常     

双脉冲电位法制备铜镍层状结构材料

采用旋转圆盘电极，用双脉冲电位法从简单的镀液中电沉积Ｃｕ－Ｎｉ层状材料，研究了镀液中铜含量、添加剂、转速对镀层的组成和结构的影响，并用扫描电镀和Ｘ－射线衍射研究了镀层的形貌和组成。     

激光开槽,埋槽电极硅太阳电池

报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ＾２的条件下，以面积为４５ｃｍ＾２的３６片硅研制的硅太阳的输出参数的平均值为Ｊｓｃ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ＾２，Ｖｏｃ＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了这种高性能硅太阳电池的设计特点。     

周期性脉冲切换电镀电源

介绍一种可用于金属构件电镀的周期脉冲切换电源。通过对电镀阻抗输入频繁切换的正、反向电流，使镀层结合力强，组织细密，均匀性好。     

高效率硅太阳电池

本文从理论上和工艺上论述了高效率硅太阳电池的研制情况,分析了如何提高硅太阳电池的开路电压、填充因子及短路电流密度的措施.文中介绍的硅太阳电池能量转换效率高达18.7％.     

脉冲电镀中阴极电流分布规律

基于简化的扩散模型，以金属分布近似代替电流分布并用Ｗａｇｎｅｒ数作为评定标准，通过在平板电极和旋圆盘电极上脉冲镀铜实验，详细研究了一次、二次和三次电流分布的影响。     

高压脉冲电絮凝法处理电镀废水

在电解槽中将铁板作为电极,探讨了高压脉冲电絮凝技术处理含Cr3+,Cr6+和Zn2+的电镀废水,并与直流电絮凝方法作了对比.实验结果表明,高压脉冲电絮凝法处理的工业电镀废水出水水质较好,在最优条件下,处理后的废水中总铬和Cr6+含量均为~0.1 mg/L,Zn2+含量为~0.6 mg/L,pH=8.3,均达到国家规定的排放标准水平.该法运行方便,处理时间短、与直流电絮凝法相比能量效率高,是较理想的电镀废水治理工艺,具有很好的推广应用价值.     

低效纳米孔晶体硅太阳电池性能研究

晶体硅太阳电池生产中,降低表面反射率能够提高太阳电池短路电流和转换效率.纳米孔硅的表面反射率极低,但报道中所实现的太阳电池输出参数(开路电压、短路电流、填充因子)都低于金字塔结构表面.采用对比法从光学性能、表面微结构和电极接触上对纳米孔硅和金字塔太阳电池进行比较分析,来研究纳米多孔硅太阳电池转换效率的抑制因素.研究表明短时间腐蚀的纳米孔硅太阳电池表面沉积氮化硅钝化膜后的平均反射率提高.长时间腐蚀的纳米孔硅表面沉积氮化硅后在短波段的反射率极低,因此平均反射率小于金字塔结构表面.但是由于纳米孔硅太阳电池的表面复合率高,而孔壁上附着的毛刺不仅会进一步增大表面复合,还会削弱表面钝化效果,因此短波段激发的光生载流子难以被太阳电池利用.所以,光利用和表面复合是抑制纳米孔硅太阳电池开路电压和短路电流的原因,而过大的串联电阻是纳米孔硅太阳电池短路电流和填充因子低的另一个原因.     

镍与金背电极的CdTe太阳电池的性能对比

通过对比实验，研究了用Au和Ni作为背电极对CdTe太阳电池性能的影响和机理．用Ni替代Au作为背电极后的CdTe太阳电池短路电流密度有所增加，最大增幅达到40．31％，导致电池的转换效率增加，最大增幅达到30．57％．分析认为，用Ni替代Au作为背电极后能提高短路电流密度的主要原因在于光生电流密度大大增加．用Ni替代Au作为CdTe太阳电池的背电极，可以将电池的转换效率提高至少一个百分点．     

高频脉冲电镀镍钴合金的内应力

研究了脉冲频率、硫酸钴浓度对高频脉冲电镀Ni-Co复合镀层微观形貌与内应力的影响.高频脉冲电镀获得的沉积层表面比直流电镀致密、均匀、孔隙率低、内应力低.随脉冲频率的升高,Ni.C0镀层的内应力先减小后增加,并在80 kHz取得最小值.随硫酸钴浓度的增加,镀层的内应力先增大后减小,在30g/L取得最大值.     

APCP-150镀银智能监控脉冲电镀电源的研制与应用

国产脉冲电镀电源采用手动调节参数,因此在设定好上述参数之后,只能实现单一参数的脉冲波形进行电镀;某些国外电镀电源虽然实现了程控,但也存在一定的缺陷,如脉宽调节范围较窄,脉冲频率不可调,不能实现监控等。针对上述缺陷,新研制成功的APCP-150智能监控脉冲电镀电源针对如何解决电镀恶劣环境对脉冲电源本身的腐蚀而造成质量隐患,以程控技术和斩波技术为主要手段,以大功率半导体器件为主开关器件,通过PLC输出各种频率脉冲信号进行智能控制,并能进行电流监控和脉宽监控,且针对恶劣的电镀环境,创新设计脉冲电源的防腐蚀装置,在镀银生产实际中提高了镀件的质量,减轻了劳动强度和节省了耗材,创造了良好的经济效益。