矩阵Hadamard积和Fan积的特征值界的估计

给出非负矩阵A与B的Hadamard积AB的谱半径上界的一个新估计式和非奇异M-矩阵A和B的Fan积A*B的最小特征值下界的一个新估计式,这2估计式只依赖于矩阵A与B的元素,易于计算.例证表明,所得估计式在一定条件下比现有估计式更为精确.     

两个矩阵Fan积和Hadamard积的特征值的界

关于非奇异M-矩阵A与B的Fan积A＊B,给出A＊B的最小特征值τ（A＊B）下界的新估计式,同时也给出非负矩阵A与B的Hadamard积A＊B的谱半径ρ（A＊B）上界的新估计式,这些估计式只与矩阵的元素有关,易于计算．数值算例也说明所得估计式改进了现有的结果．     

三对角矩阵Hadamard积和Fan积的特征值界的新估计式

给出三对角非负矩阵A与B的Hadamard积A(o)B的谱半径的上界的估计式和非奇异三对角M-矩阵A和B的Fan积A*B的最小特征值下界的估计式,这些估计式只依赖于矩阵A与B的元素,因而易于计算.     

非负矩阵Hadamard积的谱半径上界和M-矩阵Fan积的最小特征值下界的新估计

给出了非负矩阵A和B的Hadamard积的谱半径上界,以及M-矩阵A和B的Fan积的最小特征值下界的新估计式.这些估计式都只依赖于矩阵的元素,易于计算.数值例子表明,新估计式在一定条件下改进了现有的一些结果.     

三对角矩阵Hadamard积和Fan积的特征值界的估计

文章给出三对角非负矩阵A与B的Hadamard积A。B的谱半径上界的估计式和非奇异三对角M-矩阵A和B的Fan积A＊B的最小特征值下界的估计式，这些估计式只依赖于矩阵A与B的元素，因而易于计算．     

非奇异M矩阵的Hadamard积的特征值界的进一步研究

利用非奇异M矩阵A的逆矩阵A-1的元素的上界估计式和改进的圆盘定理,给出了M矩阵B与A-1的Hadamard积BoA-1的最小特征值下界的一些新估计式.这些估计式只与矩阵A,B的元素有关,易于计算.     

M-矩阵的Hadamard积最小特征值下界的新估计式

M-矩阵的Hadamard积是矩阵理论及其应用的重要问题之一,文章给出了非奇异M-矩阵B与非奇异M-矩阵A的逆矩阵的Hadamard积的最小特征值下界的一个新估计式;同时得到了M-矩阵与其逆矩阵的Hadamard积的最小特征值的一个新估计式;算例表明,文中所得估计式在某些情况下比现有估计式的估计结果更精确,且它们仅与矩阵A和B的元素有关,计算简单。     

M矩阵的Hadamard积的最小特征值下界的估计

借助非奇异M矩阵A的逆矩阵A-1的元素的一些估计式和组合优化的思想,给出非奇异M矩阵B与A-1的Hadamard积B。A-1的最小特征值下界的一些新估计式。这些估计式比现有的仅依赖于矩阵元素的估计式更加精确。     

非负矩阵Hadamard积谱半径的上界

设矩阵A与B是非负矩阵,给出A与B的Hadamard积A°B谱半径ρ(A°B)上界的新估计式。新估计式只与矩阵的元素有关,易于计算。理论分析和数值算例也说明所得估计式改进了现有的一些结果。     

非负矩阵Hadamard积的谱半径上界

对于两个非负矩阵A和B的Hadamard积的谱半径ρ(A。B)的上界,利用Gerschgorin以及Brauer定理得到上界的两个新估计式.新结果只与矩阵的元素有关且容易计算,比现有的结果更精确.通过数值例子把新估计式与其他估计式进行比较,证明新估计式改进了Horn和Johnson的经典结论,也改进了一些文献中的结果.     

非负矩阵Hadamard积的谱半径上界的估计

利用Cauchy—Schwitz不等式给出两个非负矩阵A和曰的Hadamard积的谱半径上界的一个新估计式,并与前人给出的结果进行比较。数值例子表明,新估计式在一定条件下改进了现有的结果。     

M-矩阵及非负矩阵Hadamard积和Fan积的特征值界的估计

 分别给出了非奇异M-矩阵的逆矩阵和非奇异M-矩阵的Hadamard积与非奇异M-矩阵Fan积的最小特征值下界新的估计式;同时给出了非负矩阵Hadamard积的谱半径上界新的估计式;这些估计式都只依赖于矩阵的元素,易于计算.算例表明,这些估计式在一定条件下改进了现有结果.     

M-矩阵与M-矩阵的逆的Hadamard积的最小特征值下界的估计

给出了非奇异M-矩阵A的逆矩阵与非奇异M-矩阵B的Hadamard积的最小特征值下界的估计式,该估计式只依赖于矩阵A与B的元素,易于计算,算例表明,所得估计式在一定条件下比现有估计式更为精确。     

矩阵的Hadamard积与Fan积的特征值的界

本文利用了Cassini卵形域,给出了非负矩阵Hadamard积的最大特征值的上界、M-矩阵Fan积的最小特征值的下界以及M-矩阵与其逆矩阵Hadamard积最小特征值的下界.理论分析表明本文获得的结果比相应文献中的结果更精确.     

非负矩阵的Hadamard积谱半径上界的估计

非负矩阵是一类特殊矩阵,广泛地应用于数值计算、图论、线性规划、计算机科学、自动控制等领域。两个非负矩阵的Hadamard积的谱半径问题是非负矩阵理论中一个重要问题。关于两个非负矩阵的Hadamard积A°B,我们给出A°B谱半径的新上界,这一上界改进了文献[1]、文献[2]和文献[3]中的结果。     

非负矩阵Hadamard积谱半径的界

利用Cauchy—Schwitz不等式给出两个非负矩阵和Hadamard积的谱半径上界的一个新估计式，并与前人给出的结果进行比较。数值例子表明，新估计式在一定条件下改进了现有的结果。