霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应理论发展过程的研究

以霍尔效应的发展过程为线索,从不同种载流子的经典霍尔效应的出发,系统阐述了霍尔效应的原理、反常霍尔效应、整数量子霍尔效应、分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应理论的发展过程,同时介绍了我国在这方面研究的最新进展.     

霍尔效应

量子反常霍尔效应是我国科学家从该实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.这是在美国物理学家霍尔于1880年发现霍尔效应133年后终于实现了反常霍尔效应的量子化,是我国科学家从实验上独立观测到的一个重要物理现象,也是世界基础研究领域的一项重要科学发现.该文将详细讲解霍尔效应的发展历史.     

浅论霍尔效应的发展及其应用

随着半导体材料和低维物理的发展,霍尔效应的理论研究不断取得进展,应用霍尔效应发展的霍尔器件不断改进、发展,在生产和科研实际中得到越来越普遍的应用.     

霍尔效应的最新发展及应用

拥有正常电子结构的材料可以在没有磁场作用下与电场发生作用并最终出现量子霍尔效应和自旋霍尔效应,本文详细介绍了这两种霍尔效应的理论原理及实验现象的最新进展。     

关于霍尔效应实验的测量分析

在霍水电压建立的同时，除会出现四种附加电压（统称为热效应电压）外，还有第五种附加电压Ｕ＿５存在．在对常用的霍尔元件的Ｕ＿５量值进行了具体测定分析，得出了Ｈｚ－３型与Ｈｚ－１型霍尔元件的质量比较．     

霍尔效应法测量磁场实验的研究

介绍了霍尔效应及其副效应;分析霍尔效应法测磁场的误差来源;给出异常数据的处理方法.     

变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度

文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77—400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为1g（｜RH｜T^3/2）-1／T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。     

单片机在霍尔效应实验中的应用

介绍了在霍尔效应实验中,利用单片机控制电流方向的切换及进行数据的采集和显示的方法.     

MOCVD生长源流量对p型GaN薄膜特性影响的研究

利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长p型GaN:Mg薄膜,对不同二茂镁(CP2Mg)流量和Ⅴ族和Ⅲ族摩尔(Ⅴ/Ⅲ)比生长的p型GaN:Mg薄膜特性进行研究。研究表明,增加Ⅴ/Ⅲ比,可以降低螺旋位错密度,提高p型GaN晶体质量。当Ⅴ/Ⅲ比为3 800时,Cp2Mg流量最高为170sccm,获得p型GaN(002)面峰值半高宽(FWHM)最窄为232"。同时研究发现,单纯提高Ⅴ/Ⅲ比对降低刃型位错影响较不明显。     

一种材料霍尔系数测试系统的设计

硅酸铋（BSO）晶体具有泡克尔斯效应和法拉第磁光效应，通过BOS晶体的偏振光将受电场和磁场的调制，利用这一特性，设计了一种基于BSO晶体传感器的材料霍尔系数测试系统。     

量子霍尔电阻的精密测量

1980年冯·克里青教授利用MOSEFT在低温强磁场中发现量子霍尔效应,其量子霍尔电阻(QHR)为:R_H=h/(ne~2),(1)式中,e为电子电荷;h为普朗克常数;n为整数.上式表明,量子霍尔电阻只与基本物理常数h/e~2有关,与材质和样品的几何尺寸无关.因此,可利用它来建立电阻的自然基准和测量精细结构常数.为了用它建立电阻自然基准,许多国家的实验室都进行了量子霍尔电阻的精密测量,最高测量不确定度已达1×10~(-8).1988年第18届国际计量大会(CGPM)及第77届国际计量委员会(CIPM)作出决议:“自1990年1月1日起,国际上将同时正式启用以约瑟夫逊常数和冯·克里青常数的国际公认值为基础的电学计量新基准复现电压单位和电阻单位.作为量子霍尔电阻的公认值——冯·克里青常数     

重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析

重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的，因无法用常规的红外光谱法测试，于是转而使用二次离子质谱法来测试，虽然二次离子发射机理复杂，基体效应明显，但通过相对灵敏度因子法，还是能够比较精确地给出定量测试结果，解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题，进而为控制硼含量提供了依据和帮助。     

用霍尔传感器测量金属线胀系数

金属线胀系数的测量是高校物理实验教学的一个重要内容,在工程设计以及设备制造等领域也具有重要的应用价值.传统的光杠杆法存在一些不足,比如引入误差的因素较多、误差偏大、稳定性不够高等.本文提出了利用霍尔传感器法测量金属线胀系数的新思路,先对传感器定标,得到传感器位移与输出电压的对应关系,然后利用传感器测量铜管随温度变化引起的微小长度变化,进而得到铜管的线胀系数的测量结果.该方法具有良好的稳定性和较高的测量精度.     

双交流法霍耳效应测量仪的研制

介绍双交流法霍耳效应测量的原理，并说明制作的仪器的结构和样品架制作技术。电磁铁截面积为８．０ｃｍ×５．５ｃｍ，间隙为１．３ｃｍ，磁感应强度Ｂ可达０．１５Ｔ，如缩小间隙，Ｂｍａｘ可达１．５Ｔ。样品电流从５ｍＡ到２ｕＡ分６个量程。测试表明，仪器的灵敏度、稳定度优于ＦＳ－５型锁相放大器的指标。最后分别对砷化镓材料条形样品和方形样品做了２种方法的测量。     

评霍耳效应的物理模型

本文从理论上证明了传统的霍耳效应物理模型中霍耳电荷分布和电流线的分布是不正确的。     

霍尔角位移传感器的磁路设计

霍尔角位移传感器主要结构由霍尔元件、永磁体、屏蔽罩、塑料壳体等组成,其核心是霍尔元件和磁路。根据霍尔元件要求设计磁路,从永磁体表中查找出适合的永磁体,再测试出永磁体的退磁曲线、负载线斜率和工作点,和计算数字对比,得出结论。最后通过实际检验,确定磁路设计的最佳方案。     

再评霍耳效应的物理模型

本从理论上证明了在动态平衡条件下霍耳片内电流线具有Y轴方向分量不会导致霍耳电荷的无限堆积。