分立器件

去年,由于材料加工和生产的某些技术采用了类似大规模集成工艺的方法,使元件能做到更密集,更小,速度更快。这些元件有:高频电源开关器件,微波通讯器件,固态继电器,以及隔离放大器变压器。 在高功率领域中,现在有了大于10兆瓦的固态器件。在实验室里.砷化镓场效应晶     

首批商品化砷化镓集成电路问世

哈里斯微波半导体公司声称,它已生产出采用砷化镓工艺的世界首批商品化数字集成电路。器件的速度高达目前最快的硅基集成电路的五倍。 这些新产品是由哈里斯公司发展的大批量砷化镓集成电路系列中的第一批。他们断     

模拟信号处理技术的新发展——模拟信号处理能经得起超高速集成电路的挑战吗?

目前,各种发展着的信号处理方法间的竞争仅仅开始,预计超大规模集成电路(VLSI)、表面声波器件(SAW)、电荷耦合器件(CCD)与砷化镓集成电路(GaAsIC)间会有激烈竞争,斗争的结果,系统设计师将得到最大的益处。     

砷化镓微处理机

德克萨斯仪器公司期望在1989年初零批生产32位砷化镓微处理机,这种处理机每秒可处理2亿条指令,速度接近超高速计算机。 为了给砷化镓器件和单片微波集成电路分系统开辟广阔的市场,该公司进行了新的研制工作,这种新型微处理机只是其中之一。目前,该公司正在零批生产两种单片微波集成电路(反馈放大器和功率放大器),计划在今年年底推出其它两种集成电路。     

固态调频提高了电子对抗和雷达系统的元件性能

固态器件在电子对抗和雷达系统中继续发挥越来越大的作用。由于研究人员不断提高元件的性能,所以现在越来越多的军事应用可以得到可靠的和廉价的半导体器件。砷化镓场效应晶体管(GaAs FET)的噪声、功率和带宽等性能的继续改善,使得这种通用的晶体管成为今后各种各样的系统应用所选择的主要固态器件。要在10千兆赫以上的情况下产生C类功率,那么IMPATT二极管     

L波段低噪声放大器的研制

目前,在雷达研制中广泛采用砷化镓场效应管放大器作为雷达前端器件。特别是在对雷达灵敏度有较高要求时,前置放大器一定要具有低噪声、高增益、低驻波等特点。这样就要求采用计算机辅助设计技术进行放大器的设计。本文介绍了作者为警戒雷     

数字式射频存贮器要求革新技术

Honeywell公司做了很大的努力,用它的先进的数字系统结构和高速微电子技术,去完成一种有竟争力的、性能优良的数字式射频存贮器(DRFM)。本文简要地介绍了从系统方面对DRFM性能提出的要求,并讨论其结构问题和实现的途径,以便DRFM设计者考虑如何满足系统性能、价格和可靠性方面的要求。 讨论的项目包括相位和幅度采样、模块结构、热损耗、高速的硅和砷化镓微电子学和封装。还讨论Honeywell公司正在研制的DRFM器件、系统的性能数据和规格。最后,对于DRFM技术和应用的未来进展和趋向也做了预测。     

砷化镓正在改变机载雷达的现状

砷化镓(GaAs)对未来的雷达系统和电子战将起关键作用。由于GaAs的电子活动度高,用它做成的集成电路(IC)具有较高的输出功率和射频增益,带宽2～100千兆赫。GaAs将改变普通干扰雷达的现状,并打开通向新器件的道路。 地面普通雷达采用高功率行波管产生兆瓦级的射频脉冲。这种功率通过管线传输到天线面上的缝隙或辐射器。对典型的机载雷达来说,每个辐射器发射0.5～10瓦的功     

砷化镓集成电路登上电子器件舞台

以砷化镓材料制造的数字集成电路产品系列(产品系列名称为PicoLogic)最近由一家在三年前成立的专搞砷化镓技术的GigaBit Logic公司研制成功。该产品系列的发表,将使电路设计者在采用工作于千兆     

四代光纤系统

目前广泛使用的第一代光纤系统是数字系统,它采用的是多模纤维和光发射二极管或用二元材料砷化镓(GaAs)或三元材料铝砷化镓(AlGaAs)制成的激光二极管。这种系统的工作波长为0.8或0.9微米,因而     

砷化镓集成电路发展现状

市场增长尚未达到预期前景,但是随着砷化镓集成电路生产在质量和数量上的提高,这种情形可望改观。     

日本积极发展超越硅材料的电子器件

为了在高速计算机和光通信方面夺取领先地位,日本的研究机构积极研究砷化镓系列的新型电子材料     

微型机电系统的军事应用

微型机电系统的军事应用微型机电系统（ＭＥＭＳ）是体积非常小、重量非常轻的完全功能化器件。它以微米为度量单位，肉眼一般是看不到的。例如微型齿轮比蚂蚁的眼球还要小，微型电机可能比头发丝还要细。微型机电系统与微电子器件不同。后者只能被动地接收和处理数据，只...     

虚词分析法实用例文(下)

这一句的谓语动词是动介词组lies in,所以这是句型2a的句子。 本句大意是:雷达技术中这个突破的关键在于砷化镓电路。     

砷化镓在电子战系统中的应用前景

砷化镓(GaAs)技术,在诸如雷达、相控阵和灵巧武器等电子战系统的许多军事应用中有着广阔的前景。对于这些系统,工作的高速度和高频率是极为重要的。 GaAs单片标准部件的成熟性和实用性     

美国防部加速开发数字式砷化镓微电路

最近美国国防高级研究计划局(DARPA)倡导了一个砷化镓微电路开发计划,其主旨在于推进这项技术在军事方面的应用。由于国防工业在这领域里稍迟了一步,DARPA希望通过此计划加以促进。     

PicoLogic产品系列

由GigaBit Logic公司最初推出的砷化镓逻辑集成电路有: ·四心线组三输入端或非门——典型传播迟延为150微微秒,并带有线或功能; ·一至四输出端双重缓冲器——50微微     

难以预测的砷化镓单片微波集成电路市场

砷化镓单片微波集成电路(GaAs MM-IC)技术在过去五年获得了迅猛发展。各种各样的芯片已经走出实验室,被用于新的产品设计和翻修计划中。与早期的技术相比,GaAs MMIC具有一系列独特的优点。世界上有30多家著名的实验室都对GaAs M-     

美研制空间雷达

美国国防部高级研究计划局正在研究一种旨在消除与空间相控阵雷达有关的技术冒险的工艺方法。关键技术的研制工作自1979年以来一直在进行。 他们目前的计划是完善硅元件和砷化镓元件的生产工艺以及考虑主要分系统的研制     

多处理机的体系结构及应用

在计算机体系结构中,多处理并非什么新概念,而是一个老概念。而今它又引起人们的兴趣,其原因是:一方面,靠半导体技术将顺序处理机的性能提高一个量级越来越困难;而另一方面,高性能32位微处理机越来越多。32位微处理机(可用协处理机加以扩充)支持这样一种设计方法,即用大体积的低价器件取代小体积的高价器件来构造高性能系统。关于“计算单位”,今天是以VAX 11/780的最高性能为标准,大约是每秒钟执行 1个 MIP(百万条指令)。主机支