静电感应晶闸管（SITH）的研究

从应用角度出发，测量分析了国产静电感应晶闸管(SITH)的主要电参数，特别是在开启、关断特性上作了详细的研究。测试表明SITH器件达到较好的应用水平。并且与其它电力电子器件比较，讨论了该器件的特点。     

静电感应晶闸管(SITH)的工艺控制和参数调节

以静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的长期工艺实践为基础，总结和研究了器件结构参数对ＳＩＴＨ主要性能参数的影响，并分析了其原因，提出了改善ＳＩＴＨ器件性能的工艺和设计方法。     

静电感应晶闸管（SITH）沟道势垒的分析

首先对ＳＩＴＨ通态和阻断态的Ⅰ－Ⅴ特性给出了物理考察和解释,然后在解析方法所得沟道电势分布表达的基础上,用有限差分法和迭代法精确地求解了沟道电势,得到了马鞍状的势分布,而而研究了沟道势垒随偏压的变化。     

静电感应晶闸管负阻特性的数值模拟

运用半导体器件数值模拟中的漂移-扩散模型,对静电感应晶闸管(SITH)的负阻转折特性进行了模拟和分析.通过对器件内场和载流子分布的模拟,揭示了SITH的负阻转折特性是源于高电平下双注入的加强以及伴随的耗尽层的收缩.模拟结果与实验结果吻合较好,对器件的设计与优化具有指导意义.     

20年来对静电感应器件（SID）的开拓性研究

全面总结了本研究所２０年来独立自主完成的关于静电感应器件（ＳＩＤ）的开拓性研究成果，包括ＳＩＤ基本器件物理的理论研究，器件结构的研究，电性能的控制，关键制造技术的研究，ＳＩＤ产品的研制以及ＳＩＤ的应用研究等多方面的成果。     

SITH耐压容量的控制和调节

分析了SITH结构的掺杂电阻率、N－基区厚度、沟道尺寸以及终端结构对正向阻断电压的影响，分析了其横向自掺杂、沟道尺寸、外延层以及相关因素对栅－阴极击穿电压的影响，讨论了如何进行正向阻断电压和栅－阴极击穿电压的控制和调节。     

法拉第对静电感应现象的研究

通过研究《法拉第日记》及其它资料,详细叙述了法拉第对静电感应现象研究的实验过程,并对其该阶段的科学思想进行了分析和探讨,说明了法拉第进行静电感应现象研究的指导思想．本文指出：法拉第这一阶段的研究是以理论为先导,指导思想受到其关于电解现象研究的直接影响;法拉第在此过程中开始形成电现象统一理论,是其力线和场理论思想发展过程的关键一步．     

静电感应晶体管(SIT)电性能参数的研究

讨论了ＳＩＴ的基本电性能参数以及它们之间的关系。通过这些电参数对器件Ｉ－Ｖ－特性的影响，系统地研究了为改善器件电性能应对各参数进行怎样的调控，以便为在ＳＩＴ的制造中调整好器件的结构，工艺以及材料等制造参数提供理论依据。     

实用晶闸管状态辨识软硬件设计

针对应用于高压领域的半控型器件晶闸管容易出现短路故障的情况,根据晶闸管短路故障的特征提出了一种新型、实用的适用于高压环境的晶闸管模块击穿状态辨识原理及软硬件设计方案。本方案用光纤取得信号,隔离高压,用施密特触发器对信号处理,用单片机对晶闸管进行状态识别。文中分析了对信号的识别方法和抗干扰原理。该原理安全,有效,易于实现。对于保护半控型器件晶闸管及保障电力系统的安全运行具有重要的意义,这种原理和实现方案具有良好的灵活性和广泛的应用性。     

基于DSP的晶闸管触发电路的设计

DSP晶闸管触发电路能够根据键盘输入的触发角及同步信号通过软件延时产生相位合适的双脉冲触发信号,经功率放大驱动三相桥式整流电路的晶闸管,同时显示触发角。为此设计了硬件电路及控制软件,分析了系统控制精度,具有实用价值,并能够进行进一步开发。     

电压型感应加热电源静电感应负载匹配电路静特性分析

分析了电压型感应加热电源利用静电感应法实现负载匹配的三种拓扑电路的静态特性。在负载电阻的变换范围内,对感应线圈参数变换的灵敏度、各补偿元件承受的电量值(电压、电流)等方面进行了系统的理论分析,并在此基础上指出了不同拓扑电路的使用条件和优缺点。最后通过典型感应线圈的仿真与实验,证明了分析的合理性和实用性。     

电流源型半桥式晶闸管感应加热电源的分析与设计

为满足中低频（0．15～10kHz）大功率感应加热和熔炼的要求,该文提出了一种电流源型半桥式晶闸管逆变器。探讨了其独特的双电流源电路结构的优势,比较了不同负载电流状态下的电路工作状态,通过数学计算得出直／交流等效电阻间的关系和输出功率比与频率比的关系曲线。通过功率输出特性分析可知,电路工作于负载电流连续状态且工作频率趋向理想状态时最适合大功率输出和功率调节。给出了选取电路参数的经典方法。根据该方法设计了一台样机,通过实验验证了理论分析及参数选取方法的正确性。     

静电除尘器的结构与技术改进

简述了常用静电除尘器的结构参数和设计要求,并针对除尘器使用中存在的问题提出了改进措施。     

关于静电场中场强的突变点和发散点

文章主要是为了说明在静电场中，利用带电模型推出的电场强度公式时，一定要注意限制条件，否则就会得出静电场中电场强度存在突变点和发射点的错误结论．     

可控硅调速系统动静态参数测试仪的研制

介绍了用单片微机构成的测试仪来取代在可控硅调速系统动态、静态参数测量及调试中至今应用的慢扫描示波吞测量方法，并介绍该测试仪的功能、特点及软件和硬件设计。     

关于摩擦力的一点讨论

讨论了各种情况下静摩擦力的方向和大小,着重讨论了水平转台上物体所受台面的静摩擦力,指出静摩擦力的大小和方向都应根据具体情况视之。这些讨论可以帮助学生澄清一些错误概念,从而正确地认识静摩擦力这种力学中常见的作用力,提高教学效果。     

YBRS－4／8 315kW／1 140V电机双绕组成型线圈设计

简要介绍了YBRS-4／8 315kW／1 140V电机双绕组成型线圈的设计计算。     

浅谈静电危害与静电防护

综述了形成静电危害的基本条件、放电类型、静电测试技术、静电放电理论模型,提出了防护静电的具体措施。     

多级油缸及其设计计算

多级油缸可以做到柱塞总行程等于油缸长度的二至四倍.因此具有广阔的应用前景。本文以作者自行设计研制成功的双级油缸为例,详细提供了这种油缸的技术参数、结构及设计计算方法.为保证运动平稳性,作者在油缸内装有流量控制阀,并推导给出了其计算公式。 上述理论亦可应用于三级、四级油缸的设计计算。