微乳液法制备CdSe纳米线

利用CTAB/环己烷/异丁醇/水作为反应介质,在微乳液体系中制备了CdSe纳米线。利用X射线衍射、透射电子显微镜、扫描电镜表征了CdSe纳米线的形貌和粒径尺寸,进一步研究了CdSe纳米线的生成过程,讨论了水含量、表面活性剂浓度对CdSe纳米线的影响。     

CdSe纳米材料化学制备方法的研究

作者通过对CdSe纳米材料化学制备方法的综合评述 ,对CdSe纳米线阵列的制备和性质进行了初步研究 .     

低温液相合成纳米材料

介绍一些低温液相合成纳米材料的方法：室温合成、波辅助合成（γ射线辐照法和超声化学法）、直接加热法、水热／溶剂热法．在各种合成方法中,结合使用一些辅助手段用于控制纳米材料的形状、尺寸和颗粒的分散：以乙二胺和正丁胺为溶剂制得了半导体纳米棒;水热处理可以使非晶晶化,如水热处理非晶胶体得到了Bi2S3,纳米棒和Se纳米线;在高分子聚合物聚丙烯酰胺（PAA）的辅助下得到了CdS超长纳米线;用液晶为模板合成了ZnS纳米线;管状聚合物聚乙烯醋酸酯（PVAc）在CdSe纳米线的形成中起到了微反应器和模板的双重作用;在表面活性剂十二烷基苯磺酸钠（SDBS）的辅助下得到了Ni纳米带．另外,在不使用任何添加剂和模板的作用下,也合成了Ag纳米线、Te纳米管和ZnO纳米棒阵列等．     

高荧光CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的水相合成与表征

以巯基丙酸（MPA）为稳定剂,CdSe量子点为核,在水相中合成了具有较高荧光量子效率和化学稳定性的Ⅱ型核壳半导体量子点．通过荧光光谱、紫外-可见光吸收光谱和X-射线衍射方法对该CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的光谱性质和结构进行了表征,证明：CdSe／ZnTeⅡ型核壳量子点的荧光发射光谱在500—573nm连续可调,半峰宽为40～50nm,荧光量子产率高达6．8％;粒型为球形,粒径约3．2nm,且粒径分布均匀;晶体结构为立方晶型．     

钛酸钠纳米线的合成和结构

利用TiO2粉末和NaOH水溶液在175~240℃水热反应得到了具有层状结构的钛酸钠纳米线。研究了原料比例和反应温度的影响。利用X射线粉末衍射、电子显微术和X射线能量色散谱等结构分析手段研究了纳米线的微观结构。观察到纳米线内部存在大量畴界和缺陷。发现上述钛酸钠纳米线的结构与任何已知结构都不相同,初步标定为单斜结构,单胞参数为a=2.15nm,b=0.377nm,c=1.28nm,β=103.5°。进一步用上述纳米线和KOH溶液水热反应合成了钛酸钾(K2Ti8O17)纳米线。     

钛酸钠纳米线的合成和结构

利用TiO₂粉末和NaOH水溶液在175℃～240℃水热反应得到了具有层状结构的钛酸钠纳米线。研究了原料比例和反应温度的影响。利用X射线粉末衍射、电子显微术和X射线能量色散谱等结构分析手段研究了纳米线的微观结构。观察到纳米线内部存在大量畴界和缺陷。发现上述钛酸钠纳米线的结构与任何已知结构都不相同,初步标定为单斜结构,单胞参数为a=2.15nm, b=0.377nm, c=1.28nm, β=103.5°。进一步用上述纳米线和KOH溶液水热反应合成了钛酸钾(K₂Ti₈O₁₇)纳米线。     

物理热蒸发法制备CdS/SiO2纳米线阵列和CdS纳米带

利用物理热蒸发法蒸发CdS和CdO的混合粉末，Si衬底表面发生了选择性刻蚀，并由此制备出CdS／SiO2纳米线阵列和CdS纳米带．研究了CdS／SiO2纳米线阵列的形成原因和CdS纳米带的生长过程，结果表明：CdS枝晶的生长对CdS／SiO2纳米线阵列的形成起到了非常重要的作用；CdS／SiO2纳米线阵列的形成符合“纳米电化学自组织机制”；CdS纳米带的生长过程为气一目过程．     

核壳柱型ZnS/CdSe量子点的三阶非线性光学极化的参量相关特征

从理论上计算了在导带子带间跃迁时ZnS／CdSe柱型核壳结构量子点的三阶极化率。在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型,导出了柱型量子点的三阶非线性光学极化率的解析表达式,解三维薛定谔方程可得到电子的本征能量和波函数。通过数值计算,分析了ZnS／CdSe柱型核壳结构量子点的三阶极化率与量子点尺寸和入射光频率之间的关系。     

通过静电作用组装CdSe/PDDA纳米复合膜

以巯基丙酸为稳定剂,用水相法合成了表面带负电荷的CASe半导体纳米晶．通过CASe纳米晶与阳离子聚电解质（聚二烯丙基二甲基氯化铵,PDDA）之间的静电相互作用,在经过预处理的带负电的石英基片表面组装多层CdSe／PDDA纳米复合膜．透射电镜（TEM）、紫外-可见光谱和荧光光谱研究结果表明,所得CdSe纳米晶粒径分布比较均匀,平均粒径约为5nm,且具有很高的荧光光致发光性．CdSe／PDDA纳米复合膜的紫外-可见吸收光谱中波长260nm和400nm处薄膜的吸光度与组装层数之间呈现良好的线性关系,表明所得的多层CdSe／PDDA纳米复合薄膜的成膜质量和稳定性良好．     

一种制备CdSe纳米晶体的方法

CdSe纳米晶体因其独特的新颖性质具有广阔应用前景，但常用的非水相方法所用的原料，如三正辛基氧化膦等，价格昂贵且毒性大．为此，引入了价格便宜、环境友好的新溶剂A，在其中合成了CdSe纳米晶体，并利用紫外可见光谱、荧光发射光谱、透射电镜、能量分散X射线谱和X射线衍射对得到的纳米晶体进行了表征．结果表明，在新溶剂中合成的CdSe纳米晶体粒度均匀，粒径可控，具有高的结晶度和良好的光学性质．新溶剂A降低了合成成本，使合成更加符合绿色化学的原则．