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相似文献
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1.
室温条件下测定了Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱、光声振幅谱和光声相位谱.由于高浓度掺杂使得Ce3+与Ce3+之间发生有效能量传递,从而导致Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)的漫反射吸收光谱强度依次降低,光声光谱强度依次增大.利用光声振幅谱结合相位谱的方法研究发光效率随掺杂浓度的变化,发现Ba(Y1-xCex)2Si3O10(x=0.05,0.07,0.09)3种不同掺杂浓度试样的发光效率依次降低.  相似文献   

2.
采用sol-gel法制备了不同摩尔比例的Er3+/Y3+/Yb3+共掺杂Al2O3粉末.X射线衍射(XRD)结果表明各样品均以δ-Al2O3为主相.利用荧光光谱仪测试各样品的光致发光(PL)谱,结果表明Y3+的共掺杂明显的提高了Er3+的PL强度.Er3+/Y3+/Yb3+共掺杂Al2O3粉末的PL强度随着Yb3+浓度呈先增大后减小的变化,Er3+∶Y3+∶Yb3+的摩尔比例为1∶20∶10时,样品的PL强度在Y3+共掺杂的Er3+∶Al2O3粉末的PL强度提高了7倍的基础上进一步提高了近4倍,说明Er3+/Y3+/Yb3+的共掺杂能够更有效地提高Er3+的PL强度.  相似文献   

3.
采用溶胶-凝胶法制备固体电解质Ce0.8Pr0.2-xSmxO2-δ(x=0.02,0.05,0.10).XRD结果表明:800℃煅烧后的全部样品皆为单一的立方萤石型结构,平均晶粒尺寸为19~28 nm;Raman光谱结果表明:立方萤石结构的Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 固溶体中存在氧空位,在Ce0.8 Pr0.2-x Smx O2-δ 中掺入钐可提高氧空位浓度;阻抗谱测试表明:稀土双掺杂Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ 的电导率高于单一稀土掺杂Ce0.83 Sm0.17 O2-δ 的电导率,且Ce0.8 Pr0.15 Sm0.05 O2-δ的电导率最大,σ600℃为1.2×10-2 S/cm,这归因于样品Ce0.8Pr0.15Sm0.05O2-δ 中较高的氧空位浓度和小极化子的跃迁.  相似文献   

4.
合成了Tb(Trp) 3Cl3·H2 O、Dy(Trp) 3Cl3·H2 O和Ho(Trp) 3Cl3·H2 O固态配合物 ,在30 0~ 80 0nm测定并解释了配合物的光声光谱 ,从无辐射跃迁角度研究色氨酸固态配合物的能级状况和分子内能量传递过程 ,结合荧光光谱研究了色氨酸固态配合物的发光特性 ,结果表明固态配合物中色氨酸配体可有效敏化Tb3+离子的发光 ,而由于热去几率速率增大导致配体向Dy3+的能量传递效率降低 .首次将相位分辨光声分析法用于Ho(Trp) 3Cl3·H2 O配合物的谱峰解析 ,通过光声谱同相和正交相信号可以计算配体光声吸收的位相为 10 6° ,位相改变 90°后就得到仅与Ho3+相关的光声光谱 .相位分辨光声光谱法不受谱峰的形状和重叠程度的限制 ,仅与不同吸收中心产生的位相有关  相似文献   

5.
用固相反应法制备A9Ln0.95Eu0.05(VO4)7(A=Mg2+,Ca2+,Sr2+,Ba2+;Ln=Y3+,La3+,Gd3+)样品,研究它们的光致发光性质.所有Eu3+掺杂的样品能被310 nm的近紫外光激发,它的特征发射峰是由于Eu3+的5D0-7F j(j=1,2,3,4)跃迁引起的.然而,对于Mg9Gd0.95Eu0.05(VO4)7样品,在450~800 nm波长范围内呈现出很宽的发射谱.Mg9Gd0.95Eu0.05(VO4)7的宽发射谱是VO43-的本质发射,源于Mg9Gd0.95Eu0.05(VO4)7样品中VO4四面体的严重晶格畸变.Mg9Gd0.95Eu0.05(VO4)7很宽的发射谱表明其在发光器件中有潜在应用价值.  相似文献   

6.
采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416nm光激发下,观察到包括595nm(5 D0→7F1),619nm(5D0→7F2),652nm(5D0→7F3),以及700nm(50D→7F4)Eu3+的50D→7FJ发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr2.4Y0.2Eu0.2V2O8发光粉的发光强度.  相似文献   

7.
采用固相法制备系列Ba2+掺杂的Sr24Y0.2 Eu0.2V2O8粉末样品,其中掺杂浓度x分别为0,0.05,0.10,0.15,0.18,0.20.在416 nm光激发下,观察到包括595 nm(5D0→7 F1),619 nm(5D0-→7F2),652 nm (5D0→7F3),以及700 nm(05D→7F4) Eu3+的;D→7 Ff发射谱.随着Ba含量的增加,发光强度先增大而后降低,在x=0.15取得最大值.结果表明:Ba作为一个敏化剂,可以有效提高Sr24Y02Eu02v2Q发光粉的发光强度.  相似文献   

8.
通过对NaAlSi3O8熔体的玻璃进行Raman光谱研究,发现随着压力升高(105Pa~2.0GPa),(1)低频区(50~650cm-1)不断变窄并向高频方向移动;(2)高频区(850~1300cm-1)不断变窄且向低频区方向移动;(3)580cm-1谱峰强度不断减弱,并在(0.8~1.0)GPa时最为显著.这是因为随着压力升高T-O-T(T=Si,Al)键角(θ)不断减小,并且分布范围变窄;而580cm-1谱峰的变化则由于在(0.8~1.0)GPa时包含Si,Al的平面三元环结构的"垮塌”造成的.钠长石熔体结构随压力升高的这种变化特征为其粘度变化所证实.  相似文献   

9.
采用高温固相法制备掺杂Dy3+、La3+的Ce0.67Tb0.33MgAl11O19,利用X-射线衍射分析(XRD)、FLS920型瞬态/稳态荧光分光光度计以及色坐标软件比较Dy3+、La3+分别取代Ce3+、Tb3+后对Ce0.67Tb0.33MgAl11O19物相、发光性能以及色坐标的影响.结果表明:在Ce0.67Tb0.33MgAl11O19中,用La3+分别取代Ce3+、Tb3+后其发光性能有较大的提高,而用Dy3+分别取代Ce3+、Tb3+后其发光性能也有所变化,但变化效果没有La3+取代明显.  相似文献   

10.
以介孔二氧化硅MCM-48为硅源,采用水热处理与固相反应相结合的方法合成Ce3+掺杂的Y2SiO5(Y2SiO5:Ce3+)荧光粉。使用X线衍射、扫描电镜和荧光光谱等测试手段对样品结构、形貌和发光性能进行研究。研究结果表明:煅烧温度为1 200℃时,样品为X1和X2构型的Y2SiO5混合相,1 300℃时样品为X2构型的Y2SiO5单相。煅烧温度升高使激发和发射光谱中峰强度显著增加,发射谱明显红移。将发射宽带高斯拟合成4个峰,分别归属于Y2SiO5基质中2个不同格位(B1和B2)Ce3+的5d→4f(2F5/2和2F7/2)跃迁双峰。  相似文献   

11.
利用溶胶 -凝胶法合成了 Ba Ce1 - x REx O3-δ( RE:稀土 )系列固体电解质 ,结果证明纯 Ba Ce O3 导电性较差 ,RE3+ 的引入 ,取代了晶格中的 Ce4+ ,增加了氧空位 ,大大提高了体系的导电性。文章还研究了掺杂的 Ba Ce O3体系的导电机理 ,讨论了不同稀土离子掺杂对电导率的影响 ,以 Ba Ce1 - x REx O3-δ为固体电解质组装了 H2 /O2 燃料电池 ,电池的开路电压接近 1V,短路电流密度超过 10 0 m A/cm2 ,以 Ba Ce0 .8Gd0 .2 O2 .9为 SOFC电解质 ,80 0℃时最大输出功率密度达 30 m W/cm2 。  相似文献   

12.
采用溶胶-凝胶法制备了AlO1.5掺杂浓度为0.5%,1.0%,2.0%的AlO1.5/Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ固体电解质材料,利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和交流阻抗谱研究了Al2O3掺杂对Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ微观结构及电性能的影响,结果表明:800℃焙烧的所有粉末样品均为单相立方萤石结构,在所有样品中,AlO1.5掺杂量为0.5%的样品晶粒均匀,较致密,交流阻抗谱测试表明掺杂AlO1.5(x=0.5%)使Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ晶界电阻减小,晶界电导率增高;当AlO1.5掺杂量x≥1%时,Al2O3对晶界的阻塞作用使晶界电导率降低,在所有样品中Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ/0.5%AlO1.5晶界电导率最高(σ700℃=8.12×10-3S/cm),说明在Ce0.8Gd0.15Y0.05O2-δ少量掺杂AlO1.5(x=0.5%)具有烧结助剂和晶界清除剂的作用.  相似文献   

13.
为了开发具有高发光效率和高测温灵敏度的光学温度传感材料,采用高温固相法合成了一系列Cr3+掺杂Y3Al5O12-xAl2O3(x=0,0.5,1.25,2,2.75,3.5)固熔体。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱、稳态激发和发射光谱表征,详细研究了Y3Al5O12中Al2O3的掺杂浓度对其结构和发光性能的影响。研究表明,提高Al2O3掺杂量可以增加固熔体中的八面体配位,同时削弱了晶体场强度,有利于Cr3+的发光。在303~773 K温度范围内,利用该材料中Cr3+荧光寿命以及热耦合能级荧光强度比的温度依赖特性进行测温研究,两种方法的相对测温灵敏度分别在500 K时达到最大值0.802%K-1,在303 K时达到最大值0.97...  相似文献   

14.
基于Na2Mg5Si12O30结构体系制备了一种新型的发光材料,即Eu2+掺杂的Na2Mg5(1-x)Eu5xSi12O30,其中Eu2+的掺杂浓度x=0.001~0.06.观察x值不同对于材料发光性能的影响,并在某一特定掺杂浓度的材料中,深入探究Eu2+在该基质材料结构中的占位情况.研究过程中,主要采用X射线粉末衍射...  相似文献   

15.
用高温固相法制备了Ce3+掺杂的红色荧光材料——Ba3Eu(BO3)3∶Ce3+.用X-射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计对所得样品的物相、表面形貌、激发光谱和发射光谱进行表征.结果表明,用程序升温法合成,稀土离子Ce3+的最佳掺杂量w=10%、最佳焙烧温度T=750℃.在最佳工艺条件下制备出的荧光材料的发光性能较好.  相似文献   

16.
采用溶胶-凝胶/燃烧合成法制备不同掺杂浓度的Dy:Y3Al5O12(YAG)发光粉体。分析基质晶体结构、Dy3+掺量对Dy3+光致发光性能的影响,并探讨Dy3+在Y3Al5O12基质中的自身浓度猝灭机制。根据激发光谱,Dy:YAG的主激发峰位置在353 nm,对应Dy3+的6H15/2→6P7/2跃迁。在Dy:YAG晶体结构中,Dy3+取代Y3+的位置具有D2对称性,故Dy:YAG的蓝光发射强度要高于黄光发射强度,且Dy3+最佳摩尔分数为0.02;Dy3+的4F9/2→6H15/2、6H13/2跃迁发射的浓度猝灭机制均为相邻中心的电偶极-电偶极相互作用引起的交叉弛豫(4F9/2+6H15/2→6H9/2+6F3/2)所造成的。  相似文献   

17.
采用高温固相反应法制备了Ce3 掺杂的BaBrCl材料.研究了样品的荧光光谱,经X射线辐照前后的吸收光谱及差吸收谱(DAS).首次在BaBrCl:Ce3 中发现光激励发光.发射峰及光激励发光峰均位于~390 nm;DAS为500~750 nm的宽带谱,与BaFX:Eu2 (X=Cl,Br)相比,该吸收带与He-Ne激光器(633 nm),或廉价、小巧、使用方便的半导体激光器的波长更为匹配.表明BaBrCl:Ce3 有望成为一类新型的X射线存储材料.  相似文献   

18.
研究了碲酸盐玻璃中Eu3+离子掺杂浓度对其发光性质的影响.分别用TU-1901UV-VIS紫外可见光谱仪和F-2500荧光光谱仪测量样品的吸收光谱和发射光谱与激发光谱.结果表明:Eu-O电荷迁移带的强度与Eu3+离子掺杂浓度密切相关;相对于基质吸收,Eu3+离子的本征吸收强度随掺杂离子浓度的提高而增强;在394nm光的激发下,Eu3+离子发光主要位于594nm和615nm左右,相对于5 D0→7F1,5 D0→7F2跃迁发射受Eu3+离子掺杂浓度的影响;样品的声子边带与掺杂浓度有关.  相似文献   

19.
采用水热法制备了NaSm(MoO4)2-x(WO4)x微晶.通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光分析(FL)等技术对微晶的晶相结构、形貌和发光性能进行了表征.探究了x变化对微晶的微结构和光学性能的影响.结果表明:制备的Na Sm(MoO4)2-x(WO4)x微晶皆为白钨矿结构;随着x的增大,微晶由近似块状逐渐变成规整的纺锤体,微晶颗粒先增大后减小.在450 nm光激发下,微晶在568和664nm处呈现Sm3+的特征发射峰,前者的强度远大于后者,表明Na Sm(MoO4)2-x(WO4)x微晶样品中Sm3+处在一个对称环境.当x=0.5时,获得的NaSm(MoO4)2-x(WO4)x微晶在568 nm处的发射峰强度最大.  相似文献   

20.
采用高温固相法制备了Na+掺杂的荧光粉Li1-xNaxNbO3∶Pr3+. 在不改变晶体结构的条件下,掺杂Na+提高了荧光粉Li1-xNaxNbO3∶Pr3+蓝色光激发的发射强度,其最佳掺杂计量比x=0.05. 将荧光粉负载到铝合金板上,对金属板施加拉力时,LiNbO3∶Pr3+的光致发光强度随应力的增大发生骤增现象. 随着x的增加,骤增现象逐渐消失,因为Na+的掺杂改变了Pr3+周围的不对称性,影响了LiNbO3∶Pr3+的力诱导发光特性.  相似文献   

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