金属微粒-介质复合薄膜(Ag-BaO)的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒-介质复合薄膜,会存在各种不同的微观结构缺陷。为研究它的这种缺陷,制备了Ag微粒-介质(BaO)复合薄膜,并在不同温度下退火,对这些样品做了正电子湮没寿命实验,结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少,这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷经退火而得到改善。     

溅射含纳米锗氧化硅复合薄膜的光致发光和拉曼特性

采用射频磁控溅射法制备了含纳米锗的氧化硅复合薄膜，在室温下对不同温度退火的样品测量了光致发光谱，其发光峰位均位于580nm，通过对样品所作的拉曼散射光谱的拟合，确定出了样品中纳米锗的尺寸，并发现纳米锗的平均尺寸随温度退火的升高在增大。     

退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响

针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO -TFT电特性的影响.结果表明:ZnO- TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移...     

金属微粒—介质复合薄膜（Ag—BaO）的正电子湮没寿命实验

以真空蒸发方式制备的金属微粒－介质复合薄膜，会存在各种不同的微观结构缺陷，为研究它的这种缺陷，制备了Ａｇ微粒－介质（ＢａＯ）复合薄膜，并在不同温度下退火，对这些样品做了正电子湮没有寿命实验，结果发现随退火温度升高正电子湮没平均寿命减少，这是因为表征金属微粒与介质之间界面状况的缺陷退火而得到改善。     

热处理非晶态FeSiB粉末的穆斯堡尔谱

把不同温度退火后非晶态Fe76.6Si4.9B18.5粉末的穆斯堡尔谱与未退火时的谱及制备粉末用原料的谱进行对比,发现随退火温度的提高,粉末颗粒的平均内场有些增大,α－Fe晶相也少许增加,即出现偏析现象,。在晶化温度以上退火时,非晶态结构转变为晶态结构,而且α－Fe偏析明显增多,与制备粉末用的合金原料晶态相的各相比较明显不同,这些性质类似于非晶态FeSiB合金薄带样品。     

退火处理对Dy4(Co21Cu79)96颗粒膜结构和巨磁电阻效应的影响

采用磁控溅射法制备Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆颗粒膜,研究薄膜的巨磁电阻（GMR）效应及磁性能.应用X射线衍射仪（XRD）对薄膜微观结构随退火温度的变化进行分析,采用四探针及振动样品磁强计（VSM）测量薄膜的磁电阻和磁性能.X射线衍射实验结果表明:制备态的薄膜形成了单相亚稳态面心合金结构,退火处理将促进Cu和Co的相分离.磁电阻测试发现:所有不同成分的Dy_x(Co₂₁Cu₇₉)_100-x（x=0,4,8,9,12,14）薄膜样品均随着退火温度的升高,颗粒膜巨磁电阻（GMR）效应不断增大,当达到最佳退火温度之后,GMR值又随退火温度的升高而降低.当退火温度为425℃时,Dy₄(Co₂₁Cu₇₉)₉₆薄膜的巨磁电阻效应达到最大,GMR值为-4.68%.退火前后样品磁滞回线的变化表明薄膜中发生了从超顺磁性到铁磁性的转变,矫顽力H_c随退火温度的升高逐渐增大.     

MgB2制备过程中退火效应和热稳定性的实验研究

报道了关于 MgB₂ 超导体制备过程中的退火效应和热稳定性的实验研究。把硼片在不同的温度 Mg 气氛中退火不同时间得到 MgB₂,制备样品的测量结果显示制备 MgB₂ 的合适温度范围是 700～1000℃,并且较高的制备温度下只需要相对短的退火时间内就能得到较高转变温度的样品。热稳定性实验的结果显示在没有 Mg 的气氛中 MgB₂ 在 700℃ 下是稳定的,从 800℃ 开始分解,直到完全失去超导电性。实验还观测到利用 MgB₂ 混合物薄膜前驱代替硼片制备 MgB₂ 时,在 600℃ 退火时样品就显示超导电性。     

退火温度对FePt薄膜物性的影响

用直流磁控溅射方法和原位退火工艺在玻璃基片上制备了Fe48Pt52纳米薄膜.研究发现,退火温度对FePt膜的微结构和磁特性有很大的影响,退火可以减小颗粒间的磁相互作用,矫顽力随退火温度的升高先急剧增大后减小,600℃退火处理的FePt样品平行膜面方向的矫顽力略大于垂直方向,分别达到了684.4,580.9 kA/m;650℃退火处理的FePt样品在2个方向上都获得了巨大的矫顽力,最大值达到了986.8 kA/m.     

P型碲化镉中1.41eV发光峰的研究

本文采用生长中控制不同的Cd和Te的比例的样品,在不同条件下热退火后,测量其光致发光谱。实验发现CdTe晶体中出现的1.41eV发光峰强度随样品中Te量的增加而增强。比较不同热退火条件处理后的样品的光致发光谱得到600℃真空热退火1小时后1.41eV发光峰的强度比有Cd气氛存在的同样温度热退火后要强得多。同一种样品1.41eV峰强度随退火温度增加而增强。实验结果表明1.41eV发光峰对应的发光中心可能是V_(cd)或T_(ei)的复合物。     

Co-Fe-Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Co10Fe5Cu85样品在室温至800℃范围进行了一系列的等时退火.采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化.研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在450℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关.     

Co—Fe—Cu合金颗粒膜的穆斯堡尔谱研究

对利用熔甩法制备的Ｃｏ１０Ｆｅ５Ｃｕ８５样品在室温至８００℃范围进行了一系列的等时退火,采用室温穆斯堡尔谱测量,研究了制备态和不同温度退火样品的结构和相分布变化,研究表明,随着退火温度的升高,合金的超顺磁相先增加而后又减少,并在４５０℃达到峰值,说明巨磁阻效应与超细微颗粒的含量密切相关。     

Mg和Mn共掺的ZnO纳米薄膜的光学性质和磁性

采用溶胶-凝胶法制备了Mg和Mn共同掺杂的ZnO纳米薄膜,并对其结构、光学和磁学性质进行了表征.结果表明:样品具有六角纤锌矿结构,退火过程中出现了尖晶石结构的Mn3O4和MgMn2O4.随退火温度的升高,样品的光学质量有所提高;样品的磁性可能来源于MgMnZnO.     

a—Si_(1-X)C_X∶H 钝化膜热稳定性的研究

采用外耦合电容式射频辉光放电等离子体 CVD 系统,在低于300℃的衬底温度下,制备出了 a—Si(1-x)C_x∶H 钝化膜.对含碳量不同的3种样品作了热稳定性实验(即高温存放、温度循环和退火).另外,还对同一号样品做了在不同温度下退火30min 的实验.结果表明,此钝化膜的释氢温度高于600℃.具有很好的热稳定性.     

纳米ZnO的制备及退火温度对结晶的影响

通过液相法中直接沉淀法制备了纳米ZnO粉末,对制备的样品形状和尺寸进行了表征,重点分析了退火温度等实验制备参数对纳米ZnO的结晶情况的影响.表明退火温度对制备纳米ZnO粉末非常重要,当退火温度为550°C时可以制备高纯度、结晶情况良好的纳米ZnO粉末.     

CdCl2处理退火CdS多晶薄膜的电学性质研究

对ＣｄＳ薄膜用不同浓度的ＣｄＣｌ２溶液处理后在不同温度下退火,发现其暗电导率σｄ和电导激活能Ｅａ随ＣｄＣｌ２溶液的浓度和退火温度的不同而不同,而且用ＣｄＣｌ２处理再退火的样品,暗电导率σｄ随温度Ｔ变化的关系（ｌｎσｄ１０００／Ｔ）为分段直线,对应于不同的Ｅａ．本文就上述结果进行了讨论,并用Ｃｌ－的扩散进行了解释．     

溶胶-凝胶法制备具有室温铁磁性的Ti_(0.975)Co_(0.025)O_2纳米颗粒

采用溶胶-凝胶工艺制备了磁性Co掺杂TiO2基稀磁半导体的纳米颗粒,在空气氛围中以不同温度对样品进行退火处理.通过差热/热重综合热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)、透射电镜(TEM)分析了纳米颗粒的结构和相变温度.使用振动样品磁场计(VSM)测试样品磁性能.研究发现:退火温度较低时样品为锐钛矿结构,在823K时出现少量金红石相,当退火温度为873K时,样品基本转变成金红石结构,同时析出少量CoTiO3.退火温度同时对样品的磁性有较大影响.随着退火温度的升高,样品室温下的M-H曲线由顺磁形式向铁磁形式转变.退火温度为873K时,我们得到了具有室温铁磁性的Ti0.975Co0.025O2纳米颗粒.     

退火对非晶态碲镉汞薄膜稳定态光电导的影响

利用射频磁控溅射方法,在宝石衬底上制备了非晶态碲镉汞(a-HgCdTe)薄膜。对原生a-HgCdTe薄膜进行了不同退火时间和不同退火温度的热退火,在80～300K温度范围内,分别测量了原生和退火处理后的a-HgCdTe薄膜样品的稳定态光电导,研究了退火时间和退火温度对非晶态HgCdTe薄膜的稳定态光电导和激活能的影响。结果表明,原生和退火a-HgCdTe薄膜的稳定态光电导具有热激活特性;随着退火时间增加或退火温度升高,a-HgCdTe薄膜的晶化程度提高,导致光电导增大,光电导激活能降低。利用非晶-多晶转变机制讨论了实验结果。     

退火温度对CoCrPt/Ag纳米颗粒膜的影响

在室温下,应用磁控溅射法制备了CoCrPt(25 nm)/Ag(40 nm)纳米颗粒薄膜,随后进行了退火.CoCrPt靶和Ag靶分别采用射频溅射和直流对靶溅射模式.用振动样品磁强计(VSM)研究了Ag衬底层对CoCrPt磁特性的影响,发现650℃退火后的样品,矫顽力达到最大.扫描探针显微镜(SPM)观测显示颗粒的尺寸随退火温度的升高而增加;X射线衍射(XRD)图样表明,样品具有六角密积结构.     

非晶合金Zr70Cu20Ni10电阻率的研究

采用4端法研究了非晶合金薄带Zr70Cu20Ni10的铸态样品和晶化样品的电阻率随温度变化关系.结果表明:铸态样品具有很高的电阻率和负的电阻温度系数;晶化样品的室温电阻率随退火温度的升高逐渐降低;第二晶化放热峰对应的温度为该样品电阻温度系数转变的特征温度.利用自由体积模型分析了不同晶化程度非晶合金中电子的散射机理.     

溶胶-凝胶法制备的Co0.7Fe2.3O4纳米晶薄膜结构与磁性

采用柠檬酸溶胶-凝胶法在玻璃衬底上制备了钴铁氧体Co0.7Fe2.3O4纳米晶薄膜.用X射线衍射仪、振动样品磁强计对不同热处理温度样品的结构及磁性进行了测量与分析.测量结果表明,退火400℃时样品已生成单一的尖晶石结构,晶粒尺寸变化范围在15~33 nm之间,样品的磁性能强烈地依赖于退火温度的变化;550℃时退火样品获得最大矫顽力1475 Oe.Co0.7Fe2.3O4薄膜还具有平行膜面方向的择优取向.