三角对称下d~（3，7）离子全组态EPR理论及其对激光晶体KZnF_3：Cr~（3＋）的应用

本文借助于完全能量矩阵和Ｎｅｗｍａｎ的叠加模型建立了ｄ（３，７）（Ｃ）离子的全组态ＥＰＲ理论，并应用它研究了ＫＺｎＦ３：Ｃｒ（３＋）晶体．通过各向异性ｇ—因子及ＥＰＲ零场分裂参量Ｄ的研究，预言了Ｋ＋空位最邻近的Ｆ（－１）离子分别偏离Ｃ３轴２．６６１°和—１．１４９°．     

三角对称晶体中3d^3,7离子电子顺磁共振参量的严格微观表示 …

根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性，本文导出了３ｄ＾３，７离子在三角对称四面体场中的基态＾４Ａ２（Ｆ）的电子顺磁共振参量的微观公式。利用这些公式和对角化１２０阶能量矩阵，可以统一地解释ＺｎＯ：Ｃｏ＾２＋的光吸收和电子顺磁共振谱。     

RbCdF3：Cr^3^＋的EPR 参量和Cd^2^＋空位研究

本文采用叠加模型和对角化哈密顿矩阵的方法，研究了ＲｂＣｄＦ３：Ｃｒ３＋晶体的电子顺磁共振（ＥＰＲ）参量Ｄ与Ｃｒ３＋－Ｖｃｄ中心结构参量的关系，在此基础上分析并计算了Ｃｄ２＋空位和由它产生的晶格畸变的晶体场，发现Ｃｄ２＋空位的贡献不可忽略，同时，得出（０，０，１）方向的下向中心Ｃｒ３＋离子移动△≈０．０５Ａ。     

掺杂KZnF3：Cr^3＋激光晶体K^＋空位三角晶场参量研究

用Ｎｅｗｍａｎ的叠加模型研究了ＫＺｎＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体Ｃ＾３＋－ｋ＾＋空位的三角晶场参量。研究表明，晶格畸变对晶场的贡献不可忽略，进一步证实了晶格畸变：Ｃｒ＾３＋离子上方三个Ｆ＾－离子下方三个Ｆ＾－离子分别偏离［１１１］晶轴２．６６１°和－１．１４９°。     

三角对称晶体场中3d3,7离子电子顺磁共振参量的严格微观表示式及其对半导体ZnO:Co2+的应用

根据唯象自旋哈密顿和微观相互作用之间的近似等效性，本文导出了３ｄ３，７离子在三角对称四面体场中的基态４Ａ２（Ｆ）的电子顺磁共振参量的微观公式．利用这些公式和对角化１２０阶能量矩阵，可以统一地解释ＺｎＯ：Ｃｏ２＋的光吸收和电子顺磁共振谱     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

晶体中^4A2（d^3）态离子g因子的计算

利用完全对角化方法，为晶体中＾４Ａ２态离子ｇ因子的计算提供了一条有效的途径。作为应用对红宝石激光晶体Ｃｒ＾３＋：Ａｌ２Ｏ３进行了研究。     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

Cs3ZnCl5：C0^2＋精细结构、EPR参量和磁化率研究

基于完全对角化方法和Zhao的半自洽场d轨道理论，从Cs3ZnCl5：C0^2＋的杂质局部结构对其光谱精细结构作了解释，在此基础上进一步计算了电子顺磁共振（EPR）g因子、零场分裂（ZFS）D值和顺磁磁化率，计算结果与实验值符合．     

掺有Cr~（3＋）的α－LiIO_3晶体的吸收光谱和EPR谱的推导和检验

本文在强场图象下用完全对角化的方法求得了掺有Ｃｒ３＋的α－ＬｉＩＯ３晶体的吸收光谱和ＥＰＲ谱，所得结果与实验值符合得很好     

Ni^2＋离子在CsCdCl3晶体中的占位研究

当固体中不只一个阳离子晶位时 ,金属杂质离子在这种晶体中的占位是一个很有意义的问题 ,它涉及到缺陷的形成、缺陷结构及杂质引起的材料改性 .例如 ,过渡金属离子杂质在ＬｉＮｂＯ3晶体中的占位对认识该材料光折变效应的微观机制就很有帮助 .人们通常用比较杂质离子与基质晶体离子的价态和大小 (离子半径 )来判断占位情况 .但这种方法对位于不同晶位的阳离子都具有相同的价态和类似的离子半径时 ,就难以奏效 .特别是 ,对同一种阳离子占据二个不同晶位时 ,就更困难 .例如 ,ＣｓＣｄＣｌ3晶体中的Ｃｄ2 就占有二个晶位 :Ｃｄ2 (Ⅰ )和Ｃｄ2…     

LiTaO_3∶Cr~(3+)晶体中Cr~(3+)离子占位及其EPR参量的理论研究

利用Ｒａｃａｈ不可约张量算符法和Ｗｉｎｇｅｒ定理,建立了ｄ３（Ｃ＊３υ）电子组态的能量矩阵及其全组态ＥＰＲ理论;借助Ｎｅｗｍａｎ的叠加晶场模型和自旋哈密顿理论,研究了ＥＰＲ参量与ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋晶体结构参数之间的定量关系。在此基础上,研究了ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋的ＥＰＲ参量及其电子光谱,理论与观测一致。定量研究表明：ＬｉＴａＯ３∶Ｃｒ３＋晶体中,Ｃｒ３＋离子取代了Ｔａ５＋离子而不是Ｌｉ＋离子。     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

d~3电子在立方对称下的能量矩阵和g因子四阶微扰公式及应用

本文通过引入两个共价因子Ｎ１、Ｎｅ推导了包含Ｒａｃａｈ参量Ａ的能量矩阵。并用高阶微扰方法推导了ｇ因子四阶微扰公式，在此基础上，计算了ＧａＡｓ：Ｃ２＋０的晶场光谱和顺磁ｇ因子。其理论值和实验结果吻合较好。本文结果表明，对于半导体，Ｒａｃａｈ参量Ａ对晶场光谱和ｇ因子的贡献不可忽略。     

Cr3+离子在Na3Li3In2F12石榴石中电子顺磁共振参量的理论研究

用Macfarlane的高阶微扰公式计算了Cr3+离子在氟石榴石Na3Li3In2F12中八面体晶位的电子顺磁共振(EPR)参量.计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据一致.     

Ru3+离子在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究

采用合适的模型和参量,用适于强场低自旋（S=1/2）d5组态的微扰公式计算了4d5离子Ru3+在Y3Al5O12晶体中的自旋哈密顿参量（g因子g∥, g⊥和超精细结构常数 A∥和A⊥）.通过计算,合理地解释了这些自旋哈密顿参量并获得了Ru3+杂质中心在Y3Al5O12晶体中的缺陷结构.     

四角对称V4+离子化合物光谱和电子顺磁共振谱的理论研究

用对角化完全能量矩阵方法和微扰方法计算了分别由辛基胺(R3N, TOA)和辛基磷化物(R3PO, TOPO)二种物质在盐酸溶液中萃取的四角V4+离子化合物的光谱带和电子顺磁共振(EPR)参量. 计算结果表明, 由这二种微观理论方法计算的光谱带和EPR参量不仅互相非常接近, 而且也与实验值较好的符合. 这说明人们可以用这二种方法来研究固体中3d1过渡金属离子基团的光谱和EPR谱.     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co2+杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥.计算中,不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应,而且考虑了3d7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应,与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到.在考虑了键长与键角的微弱畸变后,理论计算值与实验观测值符合较好.