局部环上n阶矩阵的{1}-逆作成的群

研究了有单位元的可换局部环上n阶可对角化的矩阵A的{1}-逆集中的子群及其构造问题,运用矩阵和群方法,给出了这个矩阵A的{1}-逆集AP{1}-中元素的乘法封闭的条件,获得了矩阵A的{1}-逆集AP{1}中的子集作成群的充要条件,以及这些子群的结构定理及相关结果.     

矩阵的Γ-(i,…,j)逆

对于矩阵的Γ逆,国内外许多专家和学者进行了大量的的研究,特别是关于约束线性方程组,矩阵Γ逆的研究和应用有着非常重要的意义.主要利用的是文献[1]中矩阵的广义奇异值分解,给出了复数域上矩阵A的关于P,Q的一个Γ{1}逆,Γ{1,2}逆,Γ{1,3}逆,Γ{1,4}逆,Γ{1,2,3}逆,Γ{1,2,4}逆存在的充分必要条件和表达的显公式,并且给出了矩阵A的关于P,Q的Γ{2}逆,Γ{2,3}逆,Γ{2,4}逆,Γ{2,3,4}逆存在的显公式,推广了以往文献的结果.     

矩阵广义逆偏序的新定义

从矩阵的偏序定义出发,提出了在集合意义下新的矩阵广义逆偏序的定义.$\boldsymbol{A}\leqslant^{\{1\}}\boldsymbol{B}\Leftrightarrow\boldsymbol{A}\boldsymbol{A}\{1\}=\boldsymbol{B}\boldsymbol{A}\{1\},\boldsymbol{A}\{1\}\boldsymbol{A}=\boldsymbol{A}\{1\}\boldsymbol{B}$以及$\boldsymbol{A}\leqslant^{\{1,2\}}\boldsymbol{B}\Leftrightarrow\boldsymbol{A}\boldsymbol{A}\{1,2\}=\boldsymbol{B}\boldsymbol{A}\{1,2\},\boldsymbol{A}\{1,2\}\boldsymbol{A}=\boldsymbol{A}\{1,2\}\boldsymbol{B} $.并分别讨论了四种情况下, 矩阵$\boldsymbol{A},\boldsymbol{B}$的形式.最后得到了相应的广义逆偏序的充要条件.     

广义逆矩阵A{1},A{1,3}A{1,4}通式的分块表示

在很多情况下要求给出奇异矩阵或长方矩阵的某种类型的逆矩阵。在不同的目下,它们有不同的逆矩阵,即广义逆矩阵。为了方便以后的计算,主要研究了广义逆矩阵A{1},A{1,3},A{1,4}通式的分块表达形式并给予了证明,然后推出了广义逆矩阵A{1,2,3}的分块表达及特殊情况。     

局部环上n阶矩阵的{1}-逆作成的集合及其特征性质简

运用有单位元的可换局部环上的矩阵广义逆理论和矩阵方法,研究了该局部环上一个可相似对角化的n阶矩阵A的某些{1}-逆构成的集合AP{1}及其扩集AP{1}∪{I},得到了集合AP{1}中元素的逆元存在的条件及扩集AP{1}∪{I}的子集作成子半群的条件.进一步地,还得到了集合AP{1}中元素的线性组合仍为{1}-逆的特征性质.?更多还原     

局部环上n阶矩阵的{1}-逆作成的集合及其特征性质

运用有单位元的可换局部环上的矩阵广义逆理论和矩阵方法,研究了该局部环上一个可相似对角化的n阶矩阵A的某些{1}-逆构成的集合AP{1}及其扩集AP{1}∪{I},得到了集合AP{1}中元素的逆元存在的条件及扩集AP{1}∪{I}的子集作成子半群的条件.进一步地,还得到了集合AP{1}中元素的线性组合仍为{1}-逆的特征性质.     

复矩阵Am×n的{1}-逆的有效通式研究

利用幂等矩阵、满秩分解以及{1} 逆的性质,得到{1} 逆的集合A{1}的表征新结论。此结论优点是具有较少的任意参数,从而能够使{1} 逆的应用更为有效,广泛。     

两个矩阵和的｛1,3｝-逆与｛1,4｝-逆

利用矩阵的秩方法与广义Schur补的最大秩与最小秩,研究两个矩阵和的{1,3}-逆与{1,4}-逆分别与各个矩阵的{1,3}-逆与{1,4}-逆的和之间的关系.得到{A(1,3)+B(1,3)}={(A+B)(1,3)}以及{A(1,4)+B(1,4)}={(A+B)(1,4)}成立的充要条件.     

环上矩阵的加权Moore-Penrose逆

在正则环上将加权Moore-Penrose逆的权数矩阵M,N推广到任意矩阵,得到了M,N为任意矩阵时,加权Moore-Penrose逆存在的充要条件,并构造出矩阵A的{1,3M}、{1,4N}、{1,2,3M}、{1,3M,4N}和{1,2,3M,4N}的全部元素。     

矩阵范数||A||_(α,β)

本文论证了m×n实矩阵A的范数的一些性质:1°||A||α,β可以取任意实数R>0.2°若矩阵叙列{A_n}收敛于A,则{A_n}按任意范数||·||α,β也收敛于A,即3°对于一切m×n矩阵A,Ec_1,c_2>0,使得从而若{A_n}按||·||α,β收敛于A,则{A_n}亦按||·||α,r收敛于A.     

BC型量子GIM代数及其Lusztig对称

对$\ell$阶BC型Cartan矩阵的2-仿射矩阵$\tilde{A}_{\ell+2}\times\ell+2}$,定义了相应的量子广义相交矩阵(GIM)代数$U_{q}$,对每个$1\leq i\leq\ell+2$,证明了$U_{q}$有自同构$T_{i}$,讨论了它们的基本性质. 所得到的结果推广了经典量子群和ADE型量子广义相交代数的Lusztig对称理论.     

特征空间的扰动

使用矩阵等式等价变换的方法,~结合~$2$-范数和~$F$-范数的性质及它们与特征值的关系,~研究了可对角化非奇异矩阵特征空间的扰动上界.~得到了在~$\eta_{2}=\|{\bm A}^{-\frac{1}{2}}{\bm E}{\bmA}^{-\frac{1}{2}}\|_{2}<1$~的条件下,~这类矩阵特征 空间~$\|{\rmsin}\Theta\|_{F}$~的上界表达式.~对比发现,~所得到的结果是文献[2]定理~$4.1$~的推广.     

超分子配合物{［Cd(phen)3］·NDC·8(H2O)}的合成、 晶体结构和性质

利用水热合成反应制备了超分子配合物{［Cd(phen)₃］·NDC·8(H₂O)}(1) （phen： 邻菲啰啉； H₂NDC： 2,6-萘二酸），通过元素分析和单晶X射线衍射对配合 物表征. 单晶X射线衍射分析表明， 配合物1属于三斜晶系, P1空间群, a=1.201　0(2) nm, b=1.286　4(3) nm, c=1.709　7(3) nm, α=74.21(3)°, β=69.92(3)°, γ=71.40(3)°, V= 2.311　7(8) nm³, Z=2, R₁=0.066　0, wR₂=0.204　3.荧光光谱分析结果表明， 配合物1在紫外光的激发下有光致发光特性.     

随机向量中的分量负相依变点问题的统计推断

论文讨论了独立随机向量序列X     

von Neumann 代数上保持混合三重η-*-积的非线性映射

设M和N是两个von Neumann代数， 其中至少有一个无中心交换投影， η∈�,1}， 非线性双射：M→N 满足对所有A，B，C∈M， 有([A，B]*(η)·ηC)＝[(A)，(B)]*(η)·η(C).若η＝－1，则(I)是线性*-同构和共轭线性*-同构之和， 其中(I)是N中自伴中心元且(I)2＝I； 若η≠－1， 满足(I)＝I， (iI)*＝－(iI)， 则下列结论成立： 1)若|η|＝1， 则是线性*-同构； 2)若|η|≠1，则是线性*-同构和共轭线性*-同构之和.     

不确定分数阶广义系统的滑模控制器设计与仿真

针对一类含有外部扰动的分数阶广义系统进行滑模控制研究，提出了一种改进的指数趋近律从理论上消除了抖振.通过构造分数阶反馈控制器的方法将分数阶广义系统正常化.采用积分滑模面以消除滑模运动的趋近阶段.分数阶次α分0<α<1和1<α<2两种情况讨论，运用Kronecker积与LMI方法，分别设计增益矩阵使得滑动模态方程稳定.在滑模控制器的设计中，对指数趋近律进行了性能的改进，以所设计的连续函数代替符号函数，使得当状态趋近滑动模态时可以与滑动模态实现光滑过渡.最后，通过Simulink建立滑模控制仿真实验，验证了0<α<1和1<α<2两种情况下算法的有效性.     

矩阵半张量积在求解四元数线性系统中的应用

近年来，矩阵半张量积被广泛应用于布尔网络、混合值逻辑网络、电力系统非线性鲁棒稳定控制代数问题等的分析与控制.该文提出了它在四元数线性系统中的一种新的应用.利用矩阵半张量积、四元数矩阵的实向量表示和四元数三对角Hermitian(反Hermitian)矩阵的特殊结构，得到了四元数矩阵方程(AXB，CXD)＝(E，F)的最小二乘三对角Hermitian(反Hermitian)解的表达式.给出了四元数矩阵方程相容的充要条件以及在相容条件下的通解表达式.还给出了数值算法，并通过实验验证了该方法的有效性.     

地下污水渗滤系统基质层ORP扰动特征及其影响因素

以往研究认为基质氧化还原电位分区呈垂直线性变化， 且即使存在微区穿透现象，也未能获得充分的实验证实.为揭示氧化还原微区变化规律及其影响因素， 采用土柱模拟方法探究了水力负荷与湿干比对氧化还原微区的扰动规律.结果表明: 在中等水力负荷(0.1m³/(m²·d))下， 湿干比变化可诱导氧化还原电位分区纵向移动，硝化区随湿干比增大而缩小， 反硝化区反之;湿干比过大可导致硝化与反硝化微区互穿透， 产生非线性分区; 水力负荷变化对氧化还原微环境扰动显著，负荷增大对中下层影响更明显;湿干比为4h∶8h时， 氧化还原电位分区随水力负荷变化呈明显线性波动.