应用于微结构制造自治系统的流程自动生成

本文介绍计算机自动生成微结构制造流程的技术。微结构器件的种类繁多,不同器件的加工特点都不相同,即以中等复杂程度的CMOS结构而言,其制造流程就达到了几百个步骤之多,因此流程的生成技术是极具挑战性的。一个适用流程可按由简入繁的过程逐步形成。本文首先介绍了根据器件结构的特点,确定单元加工顺序的优先级方案;在单元加工顺序确定后,参照本文所定义的一个原型工艺库,可以将对单元的加工处理展开成局部的工艺步骤串;工艺步骤串连缀而成的初始工艺流程,经过一定的优化与适配工艺条件的之后,产生出在实践中能够直接使用的、详细的工艺流程卡。     

纳米CMOS工艺下集成电路可制造性设计技术

简要讨论纳米CMOS工艺下集成电路的可制造性设计（DFM）技术.首先讨论纳米CMOS中与制造性有关的工艺和器件问题,然后探讨DFM需要的工艺和器件建模工作.最后对包括有可制造性设计技术的集成电路设计流程和能较好地在大规模集成电路设计环境中开发设计/制造交互界面的有关EDA做简单介绍.     

《世界科技研究与发展》2006年总目录

第一期院士论坛发展循环经济,建设有中国特色的生态工业园区……………………………………………程会强左铁镛(1)专题:生物工程血红素蛋白结构及功能的相互转换……………………………………………………………林英武黄仲贤(8)以DNA为模板构筑纳米材料与分子器件………………………………姜辉李洪祥杨贤金胡文平等(14)基于DNA分子的逻辑门与计算机……………………………………………………俞洋宋世平樊春海(23)科技前沿与学术评论应用于微结构制造自治系统的流程自动生成……………………………………………………………严利人(27)串珠…     

纳米光刻技术现状与进展

随着纳米加工技术的发展，纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础。纳米光刻技术是制作纳米结构的基础，具有重要的应用前景。文章介绍了几种极有潜力的下一代纳米光刻技术，包括极紫外光刻技术、电子束光刻技术、纳米压印光刻技术的新途径、发展现状和关键问题，最后讨论了纳米光刻技术的应用前景。     

平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管

首次提出并制作了一种全新的平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管，该器件垂直于沟道方向的电场Ez为一非均匀场。理论计算，TCAD三维器件仿真以及实验结果均表明，通过改变该器件其中任何一个栅极偏置电压，能够得到可以调节的输出特性（增益系数）及转移特性曲线，可以很方便地调节器件的阈值电压及亚阈值摆幅，并具备低功耗特点。这为电路的设计及器件制作提供了更多的灵活性，既可以简化电路的设计，又可以降低MOS集成电路制造工艺的复杂程度。平面分离双栅金属氧化物半导体场效应晶体管制作工艺与目前常规的CMOS工艺完全兼容。     

应用于微结构制造自治系统的流水线作业调度

在微结构制造自治系统中,作业调度起到至关重要的作用。当前大多数的IC作业调度都是基于组合优化技术的,与以往这些工作不同,本文提出了一种新的基于流水线的调度方案。流水线对于串行作业来说能够达到最佳的运行效率,因此获取最优调度方案问题的关键即在于对IC制造设施进行配置,使之成为流水线。本文对于流水线调度的基本算法进行了讨论。对一个实例进行了基于流水线技术的调度,结果表明多数机器都能够达到100%的最高运行效率。本文所开发的一个调度模拟程序,除了对流水线运行的情况进行模拟外,还能够用作实际的调度器,进行最优化作业调度。     

纳米科学和技术的二次浪潮

在过去的十年里纳米科学的首次浪潮澎湃而过。在此期间，国际、国内以及香港的学者已向世人证实他们可以采用“build-up”或“build-down”的办法制造大量的纳米管，纳米线以及纳米团簇，这些努力已经表明，如果纳米结构能够低廉地制造，那我们就会有更丰硕的收获。尺度小于20纳米的结构会展现非经典的性质，这提供给我们一个用全新的想法来制造功能器件的基础。在半导体工业，制造结构尺寸小于70纳米器件的能力允许器件的持续微型化。在下一个10年中，纳米科学和技术的另一次浪潮将可能来临，在这个新时期，科学家和工程师需要展示人们对纳米结构的期待功能以及证实他们的进一步的潜力，拥有在纳米结构实际器件的尺寸、组份，有序和纯度上的良好控制能力将实现人们期望的功能，在本文中，我们将讨论纳米科学和技术在新时期里发展所面对的困难和挑战。一系列新的方法将被讨论。我们还将讨论倘若这些困难能够被克服我们可能会有的收获。     

增材制造技术及其在微波无源器件设计与制备中的研究现况与展望

滤波器、天线等微波无源器件是现代微波通信系统中必不可少的组成部分.但是,随着无线通信技术的飞速发展,微波无源器件不断小型化、复杂化,器件对尺寸精度要求愈加严格,传统加工工艺在制备小型化复杂结构微波元器件上出现了制约.而增材制造技术(3D打印)是一种快速、绿色、高精度的新兴制造技术,具有不需要模具、人工成本低、材料利用率高、成型精度高、可制备复杂结构的优点,为企业和个人的生产与设计带来革命性的变化.对于成型精度要求高、结构设计较为灵活的微波无源器件而言,增材制造的出现使其摆脱了传统制造工艺的束缚,进而更多结构复杂、性能优异的器件得以实现,因此增材制造技术对于微波无源器件的生产与设计具有重要意义.本文主要介绍了增材制造特点、增材制造原材料的研究现况,并论述了增材制造技术在微波无源器件设计和制备过程中的应用,最后阐述了增材制造微波无源器件面临的挑战与机遇,为今后微波无源器件的增材制造科学研究及工程应用提供了一定的参考作用.     

基于约束构造算法的密码协议安全性分析

基于形式化方法开发自动分析工具是密码协议安全性分析的一种有效的方法，然而，由于密码协议参与主体的任意性、消息运算复杂性和运行的并发性，密码协议的安全性分析是高度计算复杂性的难题。基于最近提出的密码协议代数（CPA）模型，采用代数方法描述密码协议活动，精简密码协议描述，提出一个高效的密码协议安全性自动分析算法。该算法通过泛多项式方程求解技术，减少密码协议安全性分析过程中产生的冗余状态数量，并可提供在无限状态空间运行的协议安全性分析。根据该算法，实现了一个密码协议自动分析系统ACT-SPA，应用该系统分析了二十多个密码协议，结果显示系统显著提高了运行效率，并发现了新的密码协议攻击。     

基于反射式软件中间件的运行时软件体系结构

提出一种基于软件体系结构(SA)的软件维护与演化方法. 通过运行时软件体系结构(RSA), 系统的运行状态与行为以SA的形式展现, 且操纵该SA视图能导致运行系统进行相应改变, 这种因果关联通过反射式软件中间件实现. 作为一个准确、实时、语义丰富、可操作的SA视图, RSA视构件与连接子为“白盒”实体, 以精确、完整地描述运行系统. 同时, 通过扩展传统的SA描述语言, 以形式化描述RSA, 并使之具备继承设计阶段SA所富含语义的天然能力. 本方法在反射式J2EE应用服务器PKUAS中得到实现, 并通过性能测试考察了RSA对运行系统整体性能的影响.     

应用于微结构制造自治系统的第I类工艺缺陷诊断

在集成电路制造中,通常采用各电学参数的测试值来衡量和评价工艺效果。一种可能的工艺后果是,出现了测量结果偏离预定目标的第I类工艺缺陷。传统上的基于SPC的工艺控制技术,不含工艺诊断的内容,在寻找造成工艺失效的原因时,存在着巨大的困难。本文对集成电路制造过程中所涉及到的几类重要参数间的关系,进行了详细的分析,由此确定造成诊断问题困难的根本原因,在于测试现象与工艺故障因素之间是多对多的关系。通过正交化的方法,可以将测试参数转化成为一组广义参数。广义参数与故障因素之间存在着一对一的联系。这样就找到了一种有效的,从异常的广义参数值确定失效原因的工艺诊断方法。本文对第I类工艺诊断的技术进行了讨论。在集成电路制造自自治系统中,对于I类工艺缺陷的纠正过程,也就是工艺结果不断向工艺目标趋近的过程。     

基于PLC的隧道窑控制系统设计

针对某企业的一条180米隧道窑控制系统给出了整体设计方案及控制方法。在经过对隧道窑烧成过程以及隧道窑自动控制系统发展状况进行分析以后,设计了一种基于PLC的自动化集成控制系统。设计的系统在实际生产过程中运行良好。该系统不仅降低了工人的工作强度,还提高了产品质量、减少了能源消耗,并且为实现自动控制打下了基础。     

分散网络化制造系统体系结构及关键技术研究

首先介绍了分散网络化制造产生的背景,以分散网络化制造的总体设想为基础,详述了其功能和组成部分,并分析了新型分散网络化制造与传统企业的区别。同时,讨论了在实际实施推广过程中如何建立分散网络化制造的指导思想,指出了网络化制造的主要类型和关键技术。最后,以实例说明了分散网络化制造在中国的应用及前景。     

SONOS自持半导体存储器:记忆时间可靠性与低编程电压

降低编程电压，同时仍保持十年的数据记忆时间，一直是多晶硅－氧化硅－硅（SONOS）研究人员面临的一个巨大挑战。本文介绍SONOS可自持存储器器件设计和降低编程电压方面的进展，硅－氧化硅界面态的退化损害SONOS自持半导体存储器记忆时间和长期可靠性。首次应用在SONOS器件制作工艺上的双步高温氘退火技术，与传统的氢退火相比，显著提高了器件的耐久性能和记忆时间可靠性。我们研制成功－9伏／＋10伏（1毫秒）可编程SONOS存储器，在摄氏85度，一千万个擦除／写入操作后，仍能确保十年的记忆时间，本文介绍编程电压降低方面的设计考虑，制作工艺的优化，描述实验过程和SONOS器件的测试，以及用于SONOS自持存储器动态性能测试的基于可编程门阵列的测量系统。     

基于Web服务的制造网格

文章首先介绍了网格的概念、分类及应用,然后在Web Services技术、OGSA的体系结构等已有研究的基础上,分析了制造网格的概念和特征,研究了制造网格孕育和生长的特点,并提出了制造网格的生长模型和制造网格母体系统的构建内容和方法。     

数字电视条件接收系统的加扰算法芯片设计

简要介绍了DVB数字视频广播条件接收系统中通用加扰算法的原理。基于Altera公司StratixⅡ系列的FPGA,底层各模块采用硬件描述语言(Verilog HDL)进行描述,顶层采用原理图设计的方式,设计出采用DVB通用加扰算法的加扰器。利用Quar-tus Ⅱ7.2进行编译、仿真,从对编译及各模块的仿真结果分析,块加密模块与流加密模块的最高时钟频率分别达到229.89MHz与331.27MHz,达到了设计要求。最后在FPGA上测试表明:本设计可以应用于实际TS流的加扰。     

压电陶瓷变压器的研究进展

压电陶瓷变压器是一种新型固态电子器件,具有高转换效率、高能量密度、结构简单、体积小、无电磁噪声的特点,在电子产品微型化的过程中起到了十分重要的作用。本文回顾了压电陶瓷变压器的发展历史,阐述了压电陶瓷变压器的基本工作原理,介绍了压电陶瓷变压器所用的新型压电材料、振动模式和几何结构、外围电路三大方面的最新研究进展。通过对比国内外在压电变压器领域的研究和应用现状,指出了我国发展压电变压器的优势和前景,并提出了压电变压器产业的发展方向。     

应用于微结构制造自治系统的第Ⅱ类工艺缺陷诊断

集成电路制造过程结束后,对所关心的电特性参数进行测试,测试结果不可避免地存在着或大或小的波动起伏。电学参数方面的过大波动将带来成品率极大下降,造成第II类工艺故障。本文通过一个实例,详细地介绍了一个用于第II类工艺故障诊断的通用性方法。在对诊断实例进行详细分析的基础上,对于诊断方法本身的特点进行了进一步的讨论。基于正交变换的技术,可以将PCM测试参数转化为一组统计不相关的广义参数,作者特别注意到若干广义参数,它们在所有样本点上的测试值保持为常数。本文结束于对不变参数的初步讨论。