单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

彩色光敏玻璃的微观结构分析

本文用透射电子显微镜,采取复型与离子减薄制样方法,配合选区电子衍射花样,分析了彩色光敏玻璃中晶体形貌、结构及成份。证明在含有F、Br、Ag的Na_2O-ZnO—Al_2O_3-SiO_2系统的彩色光敏玻璃中存在立方体或球形晶体NaF和立方基型的锥状晶体NaBr。彩色光敏玻璃的颜色是由于非球形的各向异性银颗粒选择光吸收造成的,这种银颗粒可在锥体的顶端形成,也可在球形NaF表面上不对称地排列成椭球状。随第一次UV-曝光时间的加长,玻璃中析出晶体尺寸由大变小,晶体密度由小变大。     

五卤化磷分子的键能和成键特性的研究

对五卤化磷（ＰＸ５，Ｘ＝Ｆ，Ｃｌ）分子的键能进行了量子化学计算，并对其成键特性进行了讨论。     

循环伏安法测定光敏染料的半波电位

用循环伏安法测定了几种若丹菁和份菁的半波电位．计算了染料的最低空位能级和最高占有能级．结果表明该法灵敏度高，重现性好，速度快．     

纳米结构硅研究的发展动态*

本文综合归类了目前制备纳米结构硅的主要方法：等离子体化学气相沉积．激光诱导化学气相沉积和热蒸发法（制纳米晶硅）及电化学腐蚀法（制多孔硅）,给出各种方法的典型参数及其对纳米硅结构的影响,分析了纳米硅结构特征,比较分析了各种方法制备的纳米硅的光学性能,如光学能隙Ｅｏｐｔｇ,光致／电致发光谱峰位波长、半高宽及影响因素等,并对纳米硅研究的发展前景进行展望．     

光敏电阻特性的研究

通过对用光电转换测量仪所测出的光敏电阻特性的一些数据、图像的研究 ,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性和光谱特性。     

硅片力学行为与表面损伤

研究了硅片力学行为与表面损伤的关系．结果表明，Ｍ２０金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹，研磨硅片在常温工艺中容易破碎，机械强度较低；在高温工艺中容易弯曲或翘曲，抗形变能力差．研磨后化腐３０μｍ左右可使强度提高１倍多，达到材质固有强度，高温弯曲度变化降到磨片的１／４～１／３．研磨片表面７～８μｍ的微腐也可使强度提高到材质强度的７０％～８０％，弯曲度变化降到磨片的１／２～２／３．     

露天矿开采程序选优分析方法初探

作者针对某露天矿开采程序选择问题，采用双基点法对其综合排序，同时通过灵敏度分析找出影响排序的敏感指标，为矿山设计时合理选择开采程序提供了一种有效、实用的分析方法。     

原子势(Z/r)与化学键性质的关系

本文导出了一个计算化学键键长的公式:公式计算所得键长与实验值相当吻合。     

用光反射测试方法检测的硅抛光片和外延片表面的图谱

利用检测半导体硅抛光片及硅外延片表面缺陷的光反射法（魔镜法）［1］,观测到了二十余种硅抛光片及硅外延片表面缺陷的图样．本文报道了部份图样．     

基于阳极腐蚀的多孔硅成长速度研究

提出基于阳极腐蚀的多孔硅的形成同时包含多孔硅的形成和电抛光体硅两部分组成 .把电抛光体硅的电流密度Je 与总的腐蚀电流密度J的比值定义为抛光因子α .推导出了多孔硅的成长速度与腐蚀电流密度、多孔度和抛光因子α之间的关系式 .在实验误差的范围内 ,三组文献提供的实验数据验证了本文结论的正确性 .     

多孔硅发光特性的研究

在以氢氟酸为基本组份的腐蚀液中,以单晶硅为阳极采用横向阳极氧化方法,制备了具有光致发光特性的多孔硅,系统地研究了多孔硅薄膜的光学性质;x光衍射分析表明样品具有良好的晶体质量;测量了样品的变波长激光喇曼光谱,光致发光峰值波长和半峰高宽度对电解液组份、电解电流密度及电解时间等量的依赖关系;利用二维量子尺寸效应对上述物理现象作了定性的解释.     

葡萄叶温的研究

本文对葡萄叶温的一般状况、葡萄叶温的影响因子、叶温的昼夜变化概况进行了简要分析,并对叶温在葡萄生产上的应用提出了初步思索。     

伸缩振动频率,基团电负性和硅烷基中硅的原子势

计算了硅烷基(-SiABC)的基团电负性(x)和硅烷基中硅原子的原子势(n/r),并研究了Si-H和Si-D键的振动频率(v)与硅烷基的基团电负性(x)及硅烷基中硅原子的原子势(n/r)的关系。获得如下关系式γ·μ~(1/2)=235 x_(-SiABC)+1600 γ·μ~(1/2)=80 (n/r)_(-SiABC)+1758 其中,γ、μ、x_(-SiABC)、n和r分别为振动频率(cm~(-1))、约化质量、基团电负性、硅原子的有效电子个数及有效原子半径。     

P型高阻硅单晶材料的寿命初探

高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型商阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验，其中每组2个样品，共为6个样品。在实验的基础上，分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究结果表明，P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度，而且还与原材料和成晶工艺有密切关系，同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议。     

45~#钢激光表面合金的研究

本文采用输出功率为2瓧的HGL-81型横流电激励CO_2激光器对45~#钢进行了钼及钼铬激光表面合金化研究,用扫描电镜、电子探针和x-射线衍射仪对样品表面进行的分析表明在钢表面形成了合金层,提高了表面硬度,改善了表面性质。     

非晶与单晶硅电解掺氢的研究

用电解方法在非晶硅中掺入了原子氢，使非晶硅中悬挂键的ＥＳＲ信号明显下降，相应悬键密度由２．５×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）下降为８×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）．并发现以Ｈ＿３ＰＯ＿４为电解液时，对作为阴极的非晶硅和Ｐ型单晶硅均有轻度的腐蚀作用，在Ｈ＿２ＳＯ＿４中电解，温度高达２２０℃，对硅也无腐蚀作用．     

等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅

利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性，结果表明ＰＥＣＶＤＳｉＯ２－ＳｉＮ双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。