锌镍合金薄层的动电位和恒电流阳极溶出行为

采用动电位法和恒电流法研究了从含有络合剂和有机添加剂的碱性镀液中沉积出的锌镍合金薄层的阳极溶出行为。结果表明，控电位或控电流沉积的Ｚｎ－Ｎｉ合金薄层的动电位阳极溶出峰电位和恒电流阳极溶出曲线的平阶电位可用于表征合金镀层的化学组成和相结构。讨论了碱性镀液体系和酸性体系获得的合金沉积层溶出行为之间的差异。     

流动注射—电位溶出分析法的研究：理论推导和验证

本文从理论上推导流动注射－电位溶出分析法的溶出时间方程。     

同位镀汞电化学溶出多次半微分电分析法的研究

本文提出同位镀汞薄膜电极阳极溶出过程中电流的1.5次和2.5次微分对电极电位曲线的理论.推导出其相应的理论曲线和有关方程,研究了有关特性,并用实验加以验证,结果与推导相符.从而建立了测定海水中痕量重金属的1.5次微分电化学溶出法,其灵敏度和分辨率都比半微分法更佳.     

恒电流吸附计时电位法的研究I铜与水杨基荧光酮络合物微分吸附电位溶出测定铜

研究了ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ介质中,铜—水杨基荧光酮（ＳＡＦ）络合物在悬汞电极上的恒电流吸附计时电位溶出行为．讨论了恒电流大小、富集时间和富集电位等对ｄｔ／ｄＥ～Ｅ溶出曲线的影响及测定铜的最佳条件．方法的检出下限达５．０×１０－９ｍｏｌ／Ｌ．     

微分电位溶出法的理论及验证

推导了微分电位溶出法的理论曲线方程、定量分析公式、定性分析公式,并较系统地验证了这些公式。所有实验结果都与理论相符,从而证明理论的正确性。为微分电位溶出分析仪器的计算机化提化了可靠的数学模型。     

电位溶出分析和计时电位溶出分析及其应用

评述了电位溶出分析和计时电位溶出分析以及在其基础上发展产生的新方法的主要特征及其应用。     

静止拟微分电位溶出分析法的研究

本文讨论了电位溶出分析的理论,提出了静止拟微分电位溶出的概念,并导出其理论方程式。该方程式描述了静止拟微分电位溶出的峰值,峰电位和其它参数的关系。另外还通过实验验证了理论方程式,并讨论了采样电位间隔AE的选择,汞浓度的影响,静止电位溶出中电容本底产生的原因及其扣除的方法等。     

静止拟微分电位溶出分析法的研究

本文讨论了电位溶出分析的理论,提出了静止拟微分电位溶出的概念,并导出其理论方程式。该方程式描述了静止拟微分电位溶出的峰值,峰电位和其它参数的关系。另外还通过实验验证了理论方程式,并讨论了采样电位间隔AE的选择,汞浓度的影响,静止电位溶出中电容本底产生的原因及其扣除的方法等。     

回路电流法和节点电位法中特殊支路的处理

本文讨论电路分析中的回路电流法、节点电位法——列写回路电流方程及节点电位方程时,对含有恒压源、恒流源及受控源的特殊支路的处理方法,找出了其中的规律。     

试剂中铅的还原倒导数计时电位溶出分析法测定

在１．２ｍｏｌ／ＬＨＣｌＯ４底液中,将Ｐｂ＾２＋以ＰｂＯ２的形式富集于金膜电极上,然后以恒电流将其还原溶出,测定溶出过程的倒导数计时电位溶出信号。．     

镁合金新型电镀工艺研究

研究了一种镁合金表面直接电镀镍的新工艺.采用脉冲电流法预镀镍,再采用脉冲电流或恒电流方法电沉积镍,可在镁合金表面获得结合力、防护装饰性能优良的镍镀层.采用记时电位和动电位扫描方法研究了镁合金的直接电镀镍行为,采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)等方法对镀层的微观形貌和结构进行分析.结果表明:镁合金表面经脉冲电流法预镀镍后,表面形成了稳定的薄层镍镀层,可为后续电镀镍合金提供性能良好的镀层基底;后续镀液中的促进剂具有提高电流效率、促进镀层沉积的作用.镁合金直接电镀工艺所得镀层具有非晶态结构,均匀、致密,耐蚀性能优异.     

铋膜电极微分电位溶出法测定螺旋藻中铅的研究

建立了镀铋膜电极替代镀汞膜电极微分电位溶出分析(DPSA)测定铅的方法,考查了同位镀铋膜测定铅的条件.结果表明,铅可在镀铋膜电极上产生灵敏的微分电位溶出峰,并据此建立了螺旋藻中铅的同位镀铋微分电位溶出法.     

计算机控制的电位溶出分析法的研究

电位溶出分析是近年发展起来的一种新的电分析化学技术。在电位溶出分析中,痕量金属首先电解富集在汞膜电极中然后通过溶液中氧化剂氧化溶出,并记录溶出过程的电位一时间曲线,这种方法操作简便,灵敏度高,元素之间干扰小。本文介绍了利用微型计算机控制的电位溶出分析系统,讨论了仪器的硬件结构和软件设计,利用微机实现了恒电位,自动存取分析方法和数据,分析过程自动控制,自动扣除电容本底和数据平滑,采用静止拟微分电位溶出方式使其灵敏度大大提高。富集五分钟最低可检测0.08ng/ml镉。在1ng/ml的镉离子和1ng/ml铅离子浓度下,连续测定11次,其相对标准偏差分别为3.8％和4.9％。     

计算机控制的电位溶出分析法的研究

电位溶出分析是近年发展起来的一种新的电分析化学技术。在电位溶出分析中,痕量金属首先电解富集在汞膜电极中然后通过溶液中氧化剂氧化溶出,并记录溶出过程的电位-时间曲线,这种方法操作简便,灵敏度高,元素之间干扰小。本文介绍了利用微型计算机控制的电位溶出分析系统,讨论了仪器的硬件结构和软件设计,利用微机实现了恒电位,自动存取分析方法和数据,分析过程自动控制,自动扣除电容本底和数据平滑,采用静止拟微分电位溶出方式使其灵敏度大大提高。富集五分钟最低可检测0.08ng/ml镉。在1ng/ml的镉离子和1ng/ml铅离子浓度下,连续测定11次,其相对标准偏差分别为3.8%和4.9%。     

恒电流吸附计时电位法的研究Ⅲ.微分吸附计时电位溶出法测定锌

研究了锌 铬蓝黑R(EBBR)络合物在悬汞电极上的恒电流吸附计时电位溶出行为 ,讨论了恒电流大小 ,富集时间 ,溶液 pH等对dt/dE～E曲线的影响及测定锌的条件 .并进行了发样中锌的测定 .     

线性网络节点电流迭加原理及广义的节点电位方程

线性网络中,支路电流的迭加原理是众所周知的。本文介绍节点电流的迭加原理,导出广义的节点电位方程,并推论出受控源电路具有迭加性。对于仅含电压源或受控电压源为支路的线性网络,能以最少的方程数目求解。     

也谈电位溶出分析法理论

本文对电位溶出分析法理论进行探索,提出与前人不同的观点.考察了溶出形式(搅拌溶出和静止溶出)对溶出时间方程式的影响,得到了一般化的溶出时间方程式.认为电位溶出过程是由金属原子与氧化剂分别在汞膜和溶液中同时向电极/溶液界面的扩散共同控制.作者认为常数k的物理意义是氧化剂的传质系数,其表达式与溶出形式有关.     

在半导体硅上电沉积及激光诱导电沉积镍薄膜

利用激光诱导电沉积实验控制和数据采集系统考察了Ｎｉ在ｐ－Ｓｉ上沉积和阳极溶出过程。结果表明半导体表面自然氧化膜和阳极钝化膜导致阴极反应过电位大幅度增加,反应电流下降,且钝化膜导致暂态电流上升迟缓,Ｎｉ阳极溶出实验表明薄膜由活性不同的两种相结合组成,在电沉积初期可获得由平均尺寸３００～６００ｎｍ晶粒构成了光亮度层,晶粒尺寸随镀层加厚,迅速变大,薄膜表面失去光泽。     

高频单导体传输线模型及其乘积积分算法

低频情况下,可以使用经典传输线方程(电报方程)计算传输线网络沿线及负载上的电压和电流,由于采用了准TEM模近似,故经典传输线方程在处理更高频情况下的传输线问题时就不再适用.本文基于麦克斯韦方程和电磁散射理论,建立了高频单导体传输线方程,对该方程做低频近似即可得到经典方程;采用乘积积分方法对该高频方程进行数学变换,使其具有和经典方程类似的方程形式;根据边界条件和乘积积分解法最终计算出传输线沿线电流和电位分布.若干仿真算例证实,该模型及其方法可以给出和全波分析方法一致的计算结果,为精确分析高频传输线问题提供了全波分析之外的另一种途径.     

丽藻相邻细胞的相变

报导了丽藻一个节间细胞环境变化大于其阀值时,邻近节间细胞的相变现象:给第一细胞(N_1)脉冲电流刺激,相邻细胞(N_2)从静息态到兴奋态的突变;给N_1阶跃电流刺激,N_2作用电位的自持振荡;N_2原生质流的自持振荡。给出了节间细胞的R,C耦合模型,对作用电位通过节的传递做了阐释。