以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的零场电阻率

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(d A)/Ni82Fe18(t A)/Ta(30 A)纳米级坡莫合金系列膜,并对部分样品进行了中温退火.测量了样品的磁电阻曲线和微结构.从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化.结果表明,NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ;一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5%,d约为27.5 A;不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布,从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同,再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化.     

以NiFeNb为新种子层的纳米级坡莫合金薄膜的各向异性磁电阻

以三元合金NiFeNb作新种子层,采用直流磁控多靶设备制备了具有不同Nb含量(x)、NiFeNb厚度(t)和坡莫合金厚 度(d)的纳米级(Ni82Fe18)1-xNbx(tnm)/Ni82Fe18(dnm)/Ta(3nm)坡莫合金系列膜.测量了样品的各向异性磁电阻和微结 构.从实验角度详细研究了AMR随x,t,d和退火等工艺条件的变化.结果表明:①作为x或t的函数,AMR在x=23.8% 或x=2.75nm处分别最大;②NiFeNb作为种子层在提高坡莫合金薄膜各向异性磁电阻方面优于Ta;③在通过中高温退 火来改善坡莫合金薄膜AMR方面,NiFeNb种子层明显好于Ta和NiFeCr.     

NiFeNb种子层对坡莫合金磁滞回线的影响

采用NiFeNb为种子层,制备(Ni82Fe18)1-xNbx(35 )/(Ni82Fe18)(150 )/Ta(30 )系列膜,并对其颗粒大小和磁滞回线等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果表明:以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构.种子层厚度为20 ,Nb含量为24 4%时,磁滞回线有最小的回线面积、矫顽力和较小的不对称性.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构.     

Nb含量对纳米级NiFe薄膜ρ和磁电阻的影响

以NiFeNb为新种子层,采用直流磁控溅射法制备了(Ni82 Fe18)(1-x)Nbx(35A)/Ni82Fe18(150A)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜.测量了样品的零场电阻率(ρ),磁电阻(△R/R)和微结构.研究了ρ、△R/R随Nb含量的变化.探讨了Nb含量对坡莫合金薄膜微结构从而对其ρ和△R/R影响的微观机制.     

亚微米级坡莫合金栅格研制

本文提出用激光干涉法制作亚微米级坡莫合金耦合栅格掩模,然后用FeCl_3溶液、等离子体两种刻蚀方法得到坡莫合金耦合栅格。文中对两种刻蚀方法进行了比较,讨论了得到高质量图形的工艺条件。     

(Ni0.79Fe0.21)1-xNbx种子层对Ni0.79Fe0.21 合金磁电阻的影响

采用磁控溅射的方法．在诱导磁场下制备了[(Nio．79Feo．21)1-xNbx]／NiFe／Ta系列膜，测量了种子层中Nb原子的百分含量、膜的微结构和膜的MR(Magnetoresistance)．研究了种子层的厚度和种子层中Nb原子的百分含量对NiFe的MR的影响．实验表明：以NiFeNb为种子层可较明显的改善Ni0．79Feo．21膜的微结构，提高其磁电阻性能。     

坡莫合金纳米盘中交换偏置的涡旋动力学行为

提出铁磁反铁磁界面交换作用模型,并采用数值计算方法对在交换偏置场作用下坡莫合金纳米盘中涡旋的动力学行为进行研究.计算表明,在这种涡旋形钉扎场的作用下,涡旋核的螺旋运动频率会增大,而且随着铁磁/反铁磁之间界面交换作用的增加而线性增加;同时涡旋核向平衡位置的弛豫时间缩短,交换偏置作用起到了阻尼的效果.当有外磁场作用时,交换偏置使得铁磁层涡旋核运动轨迹不再是简单的螺旋曲线,核到盘中心的距离振荡增加直到达到一个稳定值.     

电沉积坡莫合金薄膜的结构和纵向磁阻抗效应(英)

采用电沉积法制备了厚度为1.1μm到6.9μm的坡莫合金薄膜.经X-射线衍射分析，其结构为fcc 结构，其中NiFe(111)衍射峰的强度明显增强.该薄膜的磁滞回线测量结果表明：其矫顽力随着薄膜厚度的增加而减小.在交流I_rms=6mA,频率范围在0.05kHz 到 600kHz 的条件下，纵向磁阻抗比随着薄膜厚度的增加而增加，其最小值可达-52%.     

(Ni_(0.79)Fe_(0.21))_(1-x)Nb_x种子层对Ni_(0.79)Fe_(0.21)合金磁电阻的影响

采用磁控溅射的方法, 在诱导磁场下制备了[(Ni0 79Fe0 21)1-xNbx]/NiFe/Ta 系列膜, 测量了种子层中Nb原子的百分含量、膜的微结构和膜的MR( Magnetoresistance), 研究了种子层的厚度和种子层中Nb原子的百分含量对NiFe的MR的影响. 实验表明: 以NiFeNb为种子层可较明显的改善Ni0 79Fe0 21膜的微结构, 提高其磁电阻性能.     

伴生高阻层电阻率的估算

报道一种隐埋条形半导体激光器伴生高阻层电阻率的估算方法,解决了该电阻率不能用常规手段直接测量的问题;在给定的实验条件下,算得电阻率约为４１２Ω·ｃｍ;这种方法也适于其他类似情况下材料电阻率的估算．     

声场作用下纳米颗粒的流化行为

在56 mm的玻璃流化床中,对纳米SiO2和TiO2颗粒在不同频率和声压级声场辅助下的流化行为进行了研究。实验表明,在低频（40-60 Hz）和高声压级（高于100 dB）的声场条件下,沟流和节涌得到有效抑制,纳米颗粒形成均一稳定的聚团,实现平稳流化。随声压级升高,颗粒的最小流化速度减小,流化行为类似Geldart A类颗粒。在声场的其他条件下,纳米颗粒的流化行为与不加声场相似,无法实现稳定流化。     

纳米流体应用于电场强化传热的试验研究

通过在电场强化换热技术基础上应用纳米颗粒技术,向换热工质纯变压器油中添加不同浓度的纳米颗粒,在同一热流密度、不同电场电压下进行试验,发现在试验范围内,当施加电压达到44kV时,达到最大换热系数270．3w／（m^2·K）,与纯变压器油电场强化自然对流换热相比,其最大强化系数为2．49．强化机理归结于颗粒受电场力作用在流体中产生的扰动所致．     

纳米生物领域对光纤探针技术的要求

扫描近场光学显微镜由于其超过常规光学显微镜的光学分辨能力及特殊功能,正在受到生命科学研究人员越来越多的关注。用时域有限差分法对三维光纤探针的Maxwell方程直接进行求解,获得了光纤探针的光强分布。计算结果表明,光纤探针中的光强分布呈固定的花样图形,其图形形状与光的偏振及针尖的结构有关,故对腐蚀锥和熔拉锥的传输特性进行分析比较,提出了在纳米生物领域对光纤探针的技术要求。     

静电场剂量对绿豆种子萌发性状影响研究

通过实验,研究了静电场强度和作用时间对绿豆种子萌发性状的影响.结果表明,静电场不同剂量对种子萌发性状的影响不同.在合适的剂量范围内,种子的发芽率、发芽指数及活力指数可明显提高.实验发现促进绿豆种子萌发性状的静电场最佳剂量为40kV/cm·min.