LiNbO3晶体电光调制中半波电压测量方法研究

在基于一次电光效应的光学电压传感器中,电光晶体的半波电压是影响传感器输入输出特性的关键参数之一。通过对电光调制原理的深入分析,选用LiNbO_3晶体搭建半波电压测量平台,针对关键参数半波电压进行了测量。对试验所选用的LiNbO_3晶体的半波电压进行了理论计算,并与实际结果进行对比;分析影响LiNbO_3晶体半波电压的因素,并指出在实际工程应用中应考虑的问题。     

一种新型光纤电流传感器的实验研究

利用在感应线圈内加入带气隙的铁磁材料,将大电流线性地转换成感应电压。利用铌酸锂晶体(LN)在电场作用下的线性电光效应,测出感应电压的大小.实验研究表明:调整铁磁材料气隙的间隔和LN晶体的半波电压,可满足不同测量范围的要求,并具有较好的线性.     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了BGO和LN等几种不同晶体对测量灵敏度的影响.利用HP-8011A型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明LN晶体具有较高的灵敏度、线性度以及较好的频率响应.     

调制晶体光学均匀性的扫描测量法

调制晶体的性能好环,通常是由半波电压和消光比这二个量来表征的。而消光比往往与晶体的光学均匀性有关。本文介绍了一种可用于测量晶体的双折射率梯度、消光比、半波电压以及双折射率随温度变化的自动扫描装置及工作原理。该方法和其他方法相比具有测量速度快,重复性好,及误差小等优点,并可以从扫描曲线上直接定性地判别晶体的光学性能的好坏,文章最后还做了双折射率梯度及消光比的测量,并对实验结果进行了讨论。     

光调制器半波电压漂移对测频的性能影响研究

电子战系统的前端是微波频率测量装置,光辅助法微波频率测量因带宽大、抗电磁干扰能力强、损耗低而被广泛研究.然而该方法使用的电光调制器存在半波电压易漂移的问题,对微波频率测量存在影响.该文详细分析了各种电光调制器半波电压漂移对微波频率测量的性能影响.理论分析和仿真计算结果表明:偏振调制器半波电压漂移对频率测量存在微小的误差,可忽略不计;强度调制器半波电压漂移缩小微波频率测量的动态范围;双平行调制器的下臂半波电压漂移影响微波频率测量的动态范围、上臂半波电压漂移引起较大的微波频率测量误差、移相器半波电压微小的漂移即引起较大测量误差.该结论对微波光子频率测量的工程化应用具有指导意义.     

高速率电光调制器偏置电压自动控制技术

采用电光检测的方法和误差分析的方式判断和识别电光调制晶体半波电压的漂移。利用PID控制算法实现高速率电光调制系统偏置电压高精度自动调节。最后对将研究的偏置电压自动控制系统应用于电光调制晶体,进行高速率调制实验。实验结果表明:采用偏置电压自动控制技术,改变了给电光调制晶体加载一个固定偏置电压的传统方式,使电光调制器偏置电压始终位于线性区的中点,以保证不失真调制,克服了电光调制器的半波电压受环境温度等多种因素的影响变化而电光调制晶体的半波电压发生漂移的问题。     

单块晶体集成的Crossbar网络的优化设计

在文献[1]的基础上,对垂直入射和倾斜入射两种结构的Crossbar网络进行了优化设计.垂直入射结构讨论了网络尺寸与通道间距、半波电压、通道数目、晶体尺寸之间的关系,得到35°θ45°比较合适.倾斜入射结构讨论了网络尺寸与半波电压、入射o光通道和e光通道的夹角、o光通道间距、e光通道间距、通道数目、晶体尺寸之间的关系,同时考虑到菲涅耳反射损耗,得到35°θ45°,-5°αoi5°,γ≈θ比较合适.     

掺钽LN单晶生长及其含钽量测定

本文研究并确定了掺钽LN单晶的生长条件。介绍了“此重法”的原理和操作,并首次用这种不损坏晶体样品的方法测定了生长出的一系列掺钽LN 晶体中的含钽量。     

锥光干涉图、光强透过率曲线对电光调制实验的影响

基于电光效应的基本原理,讨论了铌酸锂（LiNbO3）晶体横向电光调制实验中利用锥光干涉图暗十字线图样确定起偏器和检偏器偏振方向分别平行于晶体x,y光轴的方法,及光强透过率曲线偏移对测量铌酸锂晶体半波电压的影响．     

电光调制实验系统的设计

调制是光电系统中的一个重要环节，目前普遍采用的是电光调制、声光调制等调制方法。本文设计了一种基于锂酸铌电光晶体的电光调制实验系统。该电光调制实验系统主要是验证电光调制原理，并介绍了电光调制在激光通信方面的应用。通过此系统，可以了解晶体电光调制的原理和实验方法，学会在此系统中测量晶体的半波电压，电光系数和消光比等参量。     

立方氮化硼横向电光调制半波电压的测量

宽禁带半导体材料立方氮化硼(cBN)具有闪锌矿结构和43m点群对称性,因此cBN晶体也是电光晶体。用cBN晶体进行了横向电光调制,首次观察到cBN的电光效应,并且测得了样品的半波电压．     

双45°LN调Q激光器调试方法探讨

用双45°LiNbO_3晶体做电光开关的激光器现在用得很普遍。为了获得较窄的单脉冲,常采用脉冲加压式线偏光输出的YAG激光器。在调试这种器件时,利用He—Ne激光束是方便的。但是,由于色差,6328A与1.06μ的光路在LN晶体前后不一致。从图1可见,当O光沿y轴入射,而晶体x方向加半波电压,则光到第二个45°斜面时变为e光,反射时遵守非均匀介质的反射定律:     

基于行波调制器的光量化器

介绍了一种基于行波调制器的光量化器.调制器的量化工作是建立在Pockels效应原理之上.当极化光通过加有电压的电光晶体时,光的极化方向发生偏转,偏转的角度正比于电压.用多个不同半波电压的行波调制器并联.这些调制器对同一输入射频电压,使用序列光脉冲分别进行量化,并构成二进制多bit位输出的光数字信号.依据这种结构原理,可以制成8-bit,12-bit等高精度量化器.量化速率可达100 GS/s.量化噪声不随bit位增加而增加.给出了4-bitA/D量化器的计算机仿真结果.     

高准确度标准电能表不同测量方式的测量误差

分析了采用标准电能表对三相三线电能表进行检验时，不同测量方式的优缺点。三表法测量无间断点，校验过程中需改变电流元件接线；矢量法采样精度高，校验时需标准表与系统电压中性点连接；两表法测量有间断点，校验时需改变电压元件接线。实验结果表明，三表法和矢量法比两表法相对误差较小。     

用DSC法测量晶体的比热容

本文报道了用差示扫描量热法测量KTP和NdPP两种晶体的比热容结果。     

紫外折射率精密测量

基于自准直法，利用一套高精度测量系统对ＣａＦ＿２晶体的紫外折射率进行了测量研究，并给出了较高精度的测量结果。     

电容传感器法测量钢丝的杨氏模量的应用研究

研究了利用电容传感器法测量钢丝的杨氏模量的新方法，该法利用电容传感器的输出电压随极板间的距离的变化关系式来测量杨氏模量。将电容传感法和光杠杆法测量钢丝的杨氏模量的结果进行了对比，结果表明，两的测量结果十分相符。电容传感器法具有快速、简便、易于掌握的优点。     

无源光纤脉冲电压电场传感器的研究

研究了一种利用电光晶体的一次电光效应测量脉冲电压和电场的方法,给出了光纤电压电场传感器的基本结构和测量原理,计算和对比了ＢＧＯ和ＬＮ等几种不同晶体对测量灵敏度的影响,利用ＨＰ－８０１１Ａ型脉冲信号发生器做为信号源,进行了初步的设计和测试,实验结果表明：ＬＮ晶体具有较高的灵敏度,线性度以及较好的频率响应。     

全固态皮秒THz波参量振荡器的优化设计

针对全固态皮秒THz波参量振荡器,设计了一种蝴蝶型腔结构.并采取优化设计MgO:LiNbO3(MgO:LN)晶体掺杂浓度、耦合输出方式和最佳晶体长度及提高THz波的转化效率等措施,实现全固态皮秒THz波参量振荡器的高性能运转.计算结果为全固态皮秒THz波参量振荡器基于MgO:LN晶体差频产生可调谐THz波辐射的实验研究提供进一步深入的理论基础.     

铌酸锂晶体的暗电导研究

通过对不同组分比(Li/Nb)纯铌酸锂(LiNbO3)晶体电压和电流的测量,发现不同组分比晶体的电导率随温度变化而变化的程度不同.提出小极化子对电导率的作用机制,并分析了LiNbO3晶体中双极化子和小极化子对电导率的影响.最后对所测量的电导率进行拟合,得到了不同组分比晶体的激活能.