电化学法制备p型Cu2O半导体薄膜及其性能的表征

采用电化学沉积方法在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃上沉积出Cu2O薄膜的基础上,研究了络合剂种类、沉积电位和溶液pH值对Cu2O薄膜结构和性能的影响.结果表明:在以乳酸为络合剂的电解液中沉积出的Cu2O薄膜的晶粒尺寸比以三乙醇胺为络合剂的电解液中沉积出的薄膜晶粒尺寸大,结晶度好,致密度更高;在含有乳酸络合剂的溶液中,随沉积电位的提高,薄膜成核密度增大,晶粒尺寸减小,致密度提高;随pH值增加,制备的薄膜晶向由沿(200)取向变为沿(111)取向.经Mott-Schottky曲线和紫外-可见光透射光谱计算表明,所获得的Cu2O薄膜具有p型半导体性能,禁带宽度为1.93eV.     

退火温度对溅射氧化锌薄膜的影响

利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了高度C轴择优取向的纳米氧化锌(ZnO)薄膜,采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了退火热处理温度对ZnO薄膜形貌、结构和内应力的影响规律.结果表明:热处理可以明显改善薄膜的结晶质量,薄膜的晶粒变得致密,尺寸也变得均匀;(002)衍射面的晶面间距和内应力均低于未经热处理的样品;当温度高于450℃以后,薄膜的致密度反而下降,部分晶粒异常长大,随着退火温度的逐渐升高,ZnO薄膜(002)衍射面的晶面间距和内应力先减小,到450℃达到最小值,后又逐渐增大,可见450℃热处理后,薄膜的表面形貌、结构和内应力均得到很大的改善.     

水溶液中电沉积钐钴合金初探

利用电化学沉积方法在黄铜片上电镀了银白色的致密的 Sm-Co合金薄膜 .通过改变络合剂浓度、主盐浓度比、电流密度、镀液的 p H值等参数 ,研究了 Sm-Co合金薄膜中 Sm含量的变化规律 .研究结果表明络合剂浓度、电流密度、p H值等参数都将影响镀层中钐的含量     

退火温度对Nb掺杂SrTiO_3薄膜光电化学性能的影响(英文)

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上,在300～600℃退火处理后,采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1.3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO/Ni/储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO薄膜热处理温度的升高,阳极光电流和光充电性能先增大后减小。     

热处理对离子束溅射Ni-Cr薄膜性能和结构的影响

采用低能离子束溅射技术制备Ni-Cr合金薄膜,并对Ni-Cr合金薄膜进行快速热处理.用小角度X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜、α-台阶仪、四探针仪等测量薄膜的结构、形貌、厚度及电子学特性.研究结果表明：采用低能离子束溅射技术结合快速热处理工艺可以制备性能优良的Ni-Cr合金薄膜,薄膜的厚度与溅射时间呈正比;经过350℃及以上温度快速热处理后,溅射非晶态Ni-Cr合金薄膜发生晶化;溅射态合金薄膜方块电阻与溅射时间呈反比;薄膜方块电阻随热处理温度的升高而降低,经450℃/600 s热处理后薄膜方块电阻不发生变化.     

退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上，在300-600℃退火处理后，采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1．3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3／Ni／储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高，阳极光电流和光充电性能先增大后减小。     

关于柠檬酸电解液电镀镍钨合金的组成及镀层表面特性

研究柠檬酸电解液电镀镍钨合金的实际目的是电镀条件及镀层合金的总量和比率。所得结论如下:1.在含有硫酸镍,钨酸钠和柠檬酸的电解液中,合金的组成在比较广的范围内保持不变,镀层也保持一定,钨含量在30—40%时得到良好的镀层。2.一个优良镀层也可由柠檬酸铵作络合剂的条件下获得,然而在这种情况下槽液需用氢氧化钠调整 PH 值为9.0左右。3.添加微量的硫酸肼作还原剂,对于沉积效率的提高是有效的。4.镍钨合金镀层的硬度可达雅氏硬度500°～600°,在真空炉中加热到500～600℃时它的     

溅射氧化钛薄膜的光学性能及热处理对其结构的影响

常温下采用反应磁控溅射法在K9双面抛光玻璃基底上沉积氧化钛薄膜,通过X射线衍射仪、光栅光谱仪和椭偏仪对氧化钛薄膜样品的光学和结构参数进行测试和分析．结果表明：溅射沉积的氧化钛纳米薄膜呈非晶态;其折射率和消光系数在可见光波段随波长的增大呈指数规律迅速变小,最终趋于一常数,氧化钛薄膜消光系数的平均值很小表明它在可见光波段是透明的;根据所得光学参数计算得到薄膜的透射率在350-800nm光波范围内,与实验测量结果吻合;沉积的氧化钛薄膜样品经过450℃保温6h的退火热处理后,由非晶态转化为晶态．     

真空退火处理CoFe对薄膜结构及磁电阻特性的影响

用粉末冶金方法制备了Co90Fe10,研究了不同退火温度对电子束蒸发方法制备的CoFe薄膜磁电阻特性和微结构的影响.CoFe薄膜在优于5.5×10-4Pa的本底真空度下室温沉积在热氧化Si基片上.随后,样品在3×10-5Pa真空度下分别进行了150℃,280℃,330℃,450℃的60分钟退火处理.靶材的扫描电镜图像显示粉末冶金方法制备的靶材比较疏松.电阻率和磁电阻测量表明450℃退火处理能够明显降低CoFe薄膜电阻率和提高磁电阻变化率.X射线衍射发现沉积在热氧化Si基片上的CoFe膜(111)晶面面间距明显小于靶材相应晶面面间距,退火处理使膜(111)晶面面间距明显减小,趋向靶材面间距.     

退火对NiCr薄膜阻值的影响分析

采用磁控溅射方法在Si衬底上沉积NiCr薄膜,通过金属剥离技术制备不同膜厚的NiCr薄膜电阻.对不同膜厚样品退火前后阻值的测试表明,磁控溅射沉积NiCr薄膜的晶粒较小,退火前样品阻值较大.当退火温度超过350 ℃后,薄膜中的细小晶粒合并为较大的晶粒,晶粒间界面积减小,电阻率也相应减小;而经过450 ℃退火5 min后,晶粒尺寸趋于饱和,进一步的退火时间对阻值的变化影响不大.     

电镀Zn-Ni-Mn合金镀层的电化学还原机理

为探索Zn-Ni-Mn合金镀层共沉积的电化学还原行为及电结晶机理,采用阴极极化法、循环伏安法和恒电位阶跃法研究了镀液组分浓度、镀液温度及p H值变化对Zn-Ni-Mn合金镀层共沉积的影响及Zn-Ni-Mn合金镀层共沉积的电化学还原行为。结果表明:增大主盐浓度、减小络合剂及光亮剂浓度、升高镀液温度、减小p H值均可减小阴极极化,促进Zn-Ni-Mn合金镀层共沉积;与单一金属相比,合金镀层更易沉积,且无论是单一金属沉积还是Zn-Ni-Mn合金镀层共沉积均经历了形核过程。Zn-Ni-Mn合金镀层沉积的形核方式属于扩散控制下的三维连续形核。     

二甲亚砜中电沉积La—Co合金膜的研究

研究在非水溶剂二甲亚砜中电沉积La-Co合金膜。体系中加入柠檬酸为络合剂,聚乙醇－100为添加剂,用于改善沉积层的质量。在沉积过程中,应用了恒电位电解技术和脉冲电解技术。所得La-Co合金膜的表面是光滑,致密。粘附性好和有金属光泽。恒电位电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是22．42％－50．29％,脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜中La的质量分数是1．46％－42．63％。脉冲电解技术沉积得到的La-Co合金膜通过电镜观察发现金属粒子的大小约为100nm。     

Fabrication and characterization of anodic oxide films on a Ti-10V-2Fe-3Al titanium alloy

Anodic oxide films of the titanium alloy Ti-10V-2Fe-3Al in ammonium tartrate electrolyte without hydrofluoric acid or fluoride were fabricated. The morphology, components, and microstructure of the films were characterized by scanning electron microscopy (SEM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), and Raman spectroscopy. The results showed that the films were thick, uniform, and nontransparent. Such films exhibited sedimentary morphology, with a thickness of about 3 μm, and the pore diameters of the deposits ranged from several hundred nanometers to 1.5 μm. The films were mainly titanium dioxide. Some coke-like deposits, which may contain or be changed by OH, NH, C-C, C-O, and C=O groups, were doped in the films. The films were mainly amorphous with a small amount of anatase and rutile phase.     

火焰原子吸收法中有机络合剂对铬的增感效应的研究

本文研究了火焰原子吸收法中有机络合剂对铬的增感效应。在空气-乙炔富燃焰中,0.5%的柠檬酸钠、酒石酸钠、酒石酸钾钠使铬的吸光度增加70%,并能消除钾、钠、钙、镍、铜、锡、锰镁的干扰。探讨了增感效应的机理,认为有机络合剂存在时,气溶胶离子的收缩效应增大、侧向扩散减少是增感的主要原因。     

化学镀Ni-W-P合金层镀覆工艺的研究

研究了镀液pH值、主盐浓度比（[WO42-]／[Ni2+]）、络合剂及稳定剂浓度对化学镀Ni-W-P合金层W及P含量的影响．结果表明,络合剂对其影响受镀液中主盐钨酸钠含量的控制,欲获得具有高W和P含量的镀层,必须在提高络合剂浓度的同时,按一定比例提高钨酸钠浓度．     

化学镀Ni-Mo-P合金及其在5%NaCl溶液中的耐蚀性能

对自酒石酸盐-乳酸为络合剂体系的镀液中制得的Ni-Mo-P合金镀层的参数、结构及元素分布进行了研究。用静态浸泡失重法、中性盐雾试验、孔隙率试验和腐蚀电化学测试法等对此合金镀层在5%NaCl溶液中腐蚀性能进行了测试。结果表明,此合金镀层耐蚀性优异,镀层中Mo/P此为8时,有最佳耐蚀性。用XRD、XPS、AES及电化学法对合金耐蚀机理进行了研究。结果表明,合金结构的非晶态性和合金表面易生成耐蚀性优异的钝化膜,是分别使不同成分合金镀层耐蚀性优异的重要原因。     

偶氮苯水杨醛Schiff碱及金属配合物的合成与抗菌活性

以水杨醛与苯胺为原料合成偶氮苯水杨醛,并进一步与邻氨基苯酚反应生成了相应的Schiff碱,Schiff碱再与锌(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、铁(Ⅱ)三种金属离子络合得到三种金属配合物;采用元素分析、电导率测定、紫外光谱和红外拉曼光谱对Schiff碱及其金属配合物的结构进行表征.结果表明:合成的偶氮苯水杨醛缩邻氨基苯酚配体的结构与理论结构相符,且分别与锌(Ⅱ)、锰(Ⅱ)、铁(Ⅱ)离子配位形成了稳定的金属配合物.对配体及其配合物进行了抗菌活性测试,结果表明配合物的抗菌活性强于Schiff碱配体.     

紫杉醇产生菌的筛选与发酵条件的调控

采用稀释倒平板法分别从云南红豆杉和南方红豆杉中分离出230余株内生真菌,经薄层层析、紫外及HPLC分析初步筛选,确定有5株表现出产紫杉醇的特性,其中1株真菌产率较高,约为1 mg/L.产紫杉醇的内生真菌菌丝体生长和紫杉醇积累之间存在相反的关系.低浓度乙酸铵(＜0.01 mmol/L)有利于菌丝体生长,不利于紫杉醇积累;较高浓度的乙酸铵不利于菌丝体生长而有利于紫杉醇积累.较高浓度的苯丙氨酸和酒石酸铵(＞0.05 mmol/L)有利于菌丝体生长,不利于紫杉醇积累;较低浓度的苯丙氨酸和酒石酸铵不利于菌丝体生长而有利于紫杉醇积累.亮氨酸对菌丝体生长和紫杉醇积累的影响很小;苯甲酸钠抑制菌丝体的生长和紫杉醇的积累.     

Fe-P合金化学镀工艺及其耐蚀性研究

研究了化学镀Fe—P舍金中镀液组分和工艺变化对化学沉积速率的影响．为了确定各组分对化学沉积速率的影响程度,根据化学镀的电化学反应机制所得出的反应式,计算了各组分的反应级数．研究发现络舍剂对沉积速率的影响最大,其次是氧化剂和还原剂．通过重量法确定镀层在5％NaCl腐蚀介质中的腐蚀速率,分析施镀工艺及镀液组成对镀层耐蚀性的影响,实验发现镀液中氧化剂、还原剂和温度的变化对镀层耐蚀性的影响都较大．     

锌镍合金薄层的动电位和恒电流阳极溶出行为

采用动电位法和恒电流法研究了从含有络合剂和有机添加剂的碱性镀液中沉积出的锌镍合金薄层的阳极溶出行为。结果表明，控电位或控电流沉积的Ｚｎ－Ｎｉ合金薄层的动电位阳极溶出峰电位和恒电流阳极溶出曲线的平阶电位可用于表征合金镀层的化学组成和相结构。讨论了碱性镀液体系和酸性体系获得的合金沉积层溶出行为之间的差异。