共查询到16条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
基于H桥驱动电路的半导体制冷片恒温控制系统 总被引:2,自引:0,他引:2
李俊涛 《北华大学学报(自然科学版)》2010,11(5):464-466
设计了一种以单片机HT46R47为核心,半导体制冷片为发热制冷体的智能恒温控制系统.通过H桥驱动电路控制半导体制冷片进行加热或制冷,实现了自动恒温控制. 相似文献
2.
本文结合飞思卡尔智能车比赛,基于N沟道MOS管设计H桥电机驱动电路,给出一种利用PWM脉宽调制的方式对直流电机进行速度调控。给出用于驱动MOS管的电压泵设计电路以及PCB板制作需要注意的相关问题。 相似文献
3.
设计了一种H桥型步进电机驱动电路,对其工作原理和功能进行了阐述。其主要特点是,使加到电机绕组上的电流信号前后沿较陡,降低了开关损耗,改善了电机的高频特性,同时具有多种保护功能.以AT89S51单片机为主控芯片,设计了基于此驱动电路的一种步进电机控制器,从硬件结构和软件编程两个方面给出了设计过程.实验证明,基于该驱动电路的控制器简单、可靠并具有优良的驱动性能. 相似文献
4.
易映萍 《湖南工程学院学报(自然科学版)》1996,(1)
本文讨论了IGBT驱动电路的特点及设计驱动电路应考虑的问题,并叙述了IGBT使用时故障产生的机理及基本的保护方法。在此基础上,给出了一些实用的驱动与保护电路。 相似文献
5.
IGBT具有开关速度快、栅极驱动电流小、驱动功率大等特点得到广泛应用。针对IGBT驱动的实际要求,介绍了IGBT工作特性。并利用M57962L设计出一种适用的IGBT驱动电路。 相似文献
6.
通过分析IGBT的短路特性,提出了驱动与保护电路、缓冲电路的设计方法,最后介绍了一种实用的死区补偿方法,提高了整机的可靠性,有效减少了因开关时滞、死区造成的逆变器输出电压畸变。 相似文献
7.
设计了运用2个N沟道VMOS管组成高电压推挽式输出电路,研制了一种绝缘栅双极型晶体管模块(IGBT)的强驱支与保护模块,为解决大功率IGBT(600A/1200V以上)的高速开关驱动问题提供了一种新的实用方法,并讨论了模块的应用问题。 相似文献
8.
9.
分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IG-BT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。 相似文献
10.
分析了 IGBT 驱动保护模块 EXBB41 的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路 IG-BT 模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行. 相似文献
11.
文章介绍了IGBT基本工作原理,重点论述了IGBT的过流保护、过压保护与过热保护的有关问题,并结合实际应用,总结出一些保护方法,有一定工程应用价值. 相似文献
12.
设计与实现了以IGBT为开关器件的PwMlkW逆变电源,同时对逆变电源的主回路、控制回路、驱动和保护电路等的工作原理做了介绍。最后给出逆变器的实测性能指标。 相似文献
13.
采用PSpice仿真分析N沟道IGBT数值模型,该数值模型体现了MOSFET和双极型PNP晶体管特征。目前的许多仿真工具都很复杂,而且不能反映工作温度变化对器件参数的影响。本文参照测量和数据手册参数,提出了一种新颖、简捷的IGBT建模方法。根据FGW50N60HD型IGBT参数,建立该型号IGBT模型,并在三电平逆变电路中验证。该模型在外部温度环境变化时,容易修改模型的内部参数。仿真与实验结果证明了在不同温度条件下该模型的正确性。 相似文献
14.
目的 研究一种新型的功率器件--绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的静态模型.方法 分析并建立IGBT的Pspice静态模型,分析模型的结构和参数的配置并对模型进行了仿真,将仿真出的转移特性和输出特性与实际器件进行了比较.结果 /结论所建立的功率器件IGBT的静态模型是正确的,在对其器件或系统的仿真中具有较高的使用价值. 相似文献
15.
在不同的应用领域,由于较大的功率和较高的频率冲击,对半导体器件的要求有很多情况下是矛盾的,因而单一器件无法解决这一矛盾。尽管过去和今后的器件类型很多,但今后的开关器件在600V以上的场合应用时,无外乎两三种:IGBT,IGCT和GTO。 相似文献
16.
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)驱动及保护电路的研究 总被引:6,自引:1,他引:6
介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的电气特性和对栅极驱动的要求,结合IGBT模块的电气特性对IGBT驱动电路和保护电路的设计进行了分析和讨论,并给出了一些典型电路以供大家参考。 相似文献