极性晶体膜中的杂质态

本文采用LLP变分法,在同时计及LO声子及SO声子的作用下,得到了束缚极化子的自能及有效质量与膜厚N的关系.     

气相色谱-质谱法测定杀虫剂敌敌畏原油中的杂质

用气相色谱-质谱法测定杀虫剂敌敌畏原油中的杂质，并研究了敌敌畏及主要杂质的质谱特性，为提高产品质量、出口合格产品提供了可靠的依据．     

MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP/InP量子阱

报导了LP-MOVPE InGaAsP/InP体材料和量子阱的生长.生长的与InP匹配的1.55μm波长的InGaAsP材料,在77K时光荧光半峰宽达18.7meV,InGaAsP/InP量子阱的半峰宽为18.0meV.     

运用等离子质谱分析毒品中有效杂质研究

海洛因从天然物中提炼、加工、合成到贩卖、运输过程中，都会有意无意地伴生许多固定的具有特殊意义的微量物质，通过掌握这些特殊微量物质，对于我们具有重要意义。     

四探针测半导体材料杂质分布

设计一个新的近代物理实验题目,利用阳极氧化法对半导体材料逐次去层,采用四探针法测量其每层的电阻率及相应杂质浓度,可得出半导体材料的杂质分布N(x）,实验设备简单,测量方便,结果准确,并提供了自制四探针测量仪的方法。     

苯丁锡原药杂质的GC-MS分析

采用甲醇做溶剂萃取苯丁锡原药中杂质，进行GC-MS分析，采用NIST谱库检索和人工解谱方法共鉴定出其中10个杂质，包括二(2-甲基-2-苯基丙基)锡等。     

X射线荧光光谱法测定氢氧化镁中杂质含量

为测定氢氧化镁中杂质元素含量,采用X射线荧光光谱(XRF)法进行重复性和准确性试验.结果表明,XRF法具有快速、无损、多元素同时测定、检测元素范围广等特点,重复性较好.XRF法测量结果与化学方法和电感耦合等离子体发射光谱(ICP)法的测量结果接近,准确性较好.     

ICP-AES法测定硅铁材料中杂质元素

用电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)测定硅铁中Al、Ca,对试样溶解方法、元素干扰、分析谱线进行了试验研究,操作简单,效率高,回收率为91.6%-94%,RSD为1%-2%。     

有机-无机烧结“合金型”材料中的碳含量及碳和杂质晶体的形态与结构

文中提出了有机-无机烧结“合金型”材料,1700℃烧结样品的碳含量,碳和孔的形态,以及结构小的非主晶杂质晶体。测试和观察表明,材料中的碳含量与聚合物的性质关系较大。材料的常温耐压性能与碳含量没有对应关系,而碳的形态对性能影响较大,碳成网状分布有利提高材料的强度。高聚物对材料中杂质晶体的十成和分布有重要的影响。     

无杂质空位诱导InGaAs／InP量子阱结构的光荧光研究

用光荧光谱（PL）方法研究了无杂质空位诱导（IFV）InGaAs/InP多量子阱（MQWs）结构的带隙蓝移，实验中选用Si3N4作为电介质层，用以产生空位，并经快速热退火处理，产生扩散，实验结果表明，带隙蓝移同退火温度和退火时间有关，最佳退火条件的800℃，10s。同时二次离子质谱（SIMS）的分析表明，电介质盖层Si3N4和快速热退火（RTA）导致量子阱中阱和垒之间元素互扩，这种互扩是导致带隙蓝移的主要原因。     

极性膜内的偏心杂质

本文用变分微扰法即论了极性膜中杂质位于偏心处束缚极化子,同时计及电子一体纵光学声子作用以及电子一面光学声子作用,导出了由电子一体(面)光学声子作用所产生的诱生势及束缚能与膜厚的关系,并讨论了变分参数随杂质位置变化而变化的物理意义。     

6-氨基青霉烷酸晶体生长过程中杂质对晶习的影响

考察了青霉素G,丙酮和苯乙酸(PAA)杂质在6 氨基青霉烷酸(6 APA)结晶过程中对晶习的影响及其在乙醇溶液中的生长过程。发现6 氨基青霉烷酸在乙醇溶液的生长过程中存在由菱形晶体向六面体晶体的晶习转变;6 APA晶体在青霉素G存在时趋向于破碎;在丙酮存在时变厚;在苯乙酸存在时易于形成六面形晶体。     

异质结构液相外延中杂质的扩散行为

本文导出了异质结构液相外延中杂质扩散分布函数的一般形式,指出扩散PN结位置存在“退缩”效应,讨论了外延生长参数对PN结位置的影响,并与Zn在InGaAsP/InP液相外延中扩散PN结位置的实验结果做了比较。     

富马酸比索洛尔合成中的杂质分析及控制

在富马酸比索洛尔的制备中, 发现了1 种从未被报道的、含量较高的杂质,通过1H-NMR、13C-NMR、MS和HPLC对其进行了溯源分析和结构确证,并定向合成了该杂质,根据其产生根源,优化醚化反应工艺条件。结果表明,当n(对异丙氧基乙氧基甲基苯酚) : n(环氧氯丙烷)= 1 : 1.2,以蒸馏水为溶剂,NaOH为催化剂,反应温度70 ℃,反应时间4 h时,该杂质的含量得到了有效控制,并通过精制使最终产品富马酸比索洛尔中的该杂质去除掉,其它杂质含量不超过0.1%。     

托卡马克等离子体中杂质模的研究

利用数值积分方法求解色散方程,研究托卡马克等离子体中杂质模的不稳定效应,分别模拟了不同杂质离子所激发的杂质模在不同参数下的变化情况.结果表明,杂质模驱动的等离子体不稳定性通常随杂质离子的质量和电荷数增大而增大,但也有反常的情况,质量很大的杂质离子可能导致更小的不稳定性.杂质模的激发必须使杂质离子浓度超过一定的阈值,杂质离子越轻,电荷数越低,阈值越大.更强或更弱的磁剪切效应都有利于抑制杂质模的不稳定性.在k_(θρ_s)谱图中,钨(W~(+8))杂质模有更小的谱宽度.     

Shallow Impurity States in Ternary Mixed Crystals

利用微扰－变分法研究了极性三元混晶中束缚在浅库仑杂质中心的极化子．采用改进的无序元胞独立位移模型和有效声子模近似，计及电子和两支光学声子的相互作用，导出了极化子基态能量和束缚能量随组分变化的解析解，分析了声子屏蔽、质量重整化和自陷效应．对若干三元混晶的数值计算结果表明：声子屏蔽效应占主要作用；电子声子的相互作用减小了束缚极化子的束缚能．发现声子对束缚能的贡献随组分的变化是非单调的．讨论了有效声子模方法的有效性和适用范围     

半导体结构束缚下各向异性施主杂质中的混沌

研究了各向异性施主杂质态和半导体结构束缚下,各向异性施主杂质态中电子运动的经典行为.研究发现:由于对称性发生了破缺,电子在原子附近的运动呈现了混沌特性.在半导体结构的作用下,原子附近的轨道在很短时间看有近似的规律,但长时间观察,运动仍是混沌的.如果体系的能量很大,电子逃离到离原子很远处,此时半导体结构开始起主导作用,混沌行为逐渐消失.根据计算结果和量子混沌理论可以定性地了解该模型高激发态的一些性质.     

纤锌矿氮化物半导体椭球形量子点杂质态

考虑纤锌矿结构氮化物半导体材料的单轴异性后,在有效质量近似下,利用变分法研究了无限高势垒近似下GaN,AlN和InN椭球形量子点中的杂质态,导出了杂质态结合能随量子点半径和椭球率变化的关系.数值计算结果发现,杂质态结合能随着量子点半径和椭球率的增加而减小.