电火花电解复合加工机理的探讨

本文从复合介质击穿的角度,探讨了电火花电解复合加工的机理.指出电火花电解复合加工脉冲电源的作用,以及在该电源作用下复合介质产生气膜击穿、钝化膜击穿的微观物理过程,从电磁场的角度对该过程进行了理论分析和探讨,并分析了金属的熔化和抛出的物理过程.     

线性电路硅单晶层电阻率最佳值与横向PNP管C—E击穿

本文经过理论分析和实验比较,提出了应当用C—E“击穿点”电压来表征横向PNP管C—E击穿特性,击穿电压设计值不能正确地反映C—E击穿电压的实际值;由这个观点引出另一个结论,即横向PNP管耐压的限制是C—E“击穿点”电压,而不是基区穿通电压。从这两个论点出发,本文提出了设计和生产线性集成电路选择硅单晶层(或外延层)电阻率最佳值的方法。     

基区调变晶体管的“交叉点击穿”

本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。     

碱卤晶体在直流及交变电压下电击穿场强与温度关系的试验研究

本文介绍了碱卤晶体电击穿场强与温度关系的研究。提及弗列里赫低温及高温晶体电击穿理论的概念。对许多国外作者的试验结果进行了综述。本文对NaCl及KBr晶体的电击穿场强与温度关系进行了试验研究,采用一面有球穴的试样,试样两面均以真空喷镀铝金属膜作电极,然后放入充有约30大气压氮气的金属压力罐中,进行击穿试验。直流下Nacl约在50℃时出现最大击穿场强,其数值约1.5×10~6 伏/厘米,而KBr则在120℃左右出现最大值,其数值约0.95×10~6伏/厘米。实验结果应用弗列里赫低温及高温晶体电击穿理论来解释。而对实验中晶体电强度在直流及交变电压下出现不一致的现象,则提出了晶体中存在两种空间电荷影响击穿的看法。     

硅整流管击穿机理的研究

本文研究了R形转折特性的转折电压U_T和10mA时的击穿电压U_(10)与环境温度T_a的关系、击穿区的V—I特性、表面空间电荷区光电流与反偏压的关系及击穿点的位置和形态的液晶显示。据此分析了上述器件的击穿机理,并从工艺上探讨了避免发生这种击穿的途径。     

二次击穿的协同学原理

本文研究PN结的二次击穿。考虑温度与电流的合作行为,写出时率方程;进行稳定性分析;应用协同学原理,得到发生二次击穿的条件和预防二次击穿的途径;对电压急剧下降现象给出了物理解释。     

浅谈数控机床电源类故障的诊断及维护

电源是电路板的能源供应部分，电源不正常，电路板的工作必然异常。而且，电源部分故障率较高，关于电源类常见的几种故障现象，现总结了几点。     

DX-200中波发射机调制编码板B＋/B-电源的工作原理及故障处理

本文从调制编码板B＋/B-电源的启动原理入手,介绍调制编码板出现电源故障时的故障现象、故障判断处理流程及应急的处理手段。     

浅析低压电源电涌保护器的安装

本文就电源电涌保护器安装中出现的一些现象,依据IEC规范标准和国家标准,结合自己的一些理解,阐述应如何正确、合理地安装电源电涌保护器。     

脉冲叠加直流激励辉光放电特性

辉光放电产生的低温等离子体具有广泛的应用前景,日益成为研究热点。本文提出了一种采用脉冲叠加直流的方式来激励辉光放电的实验装置。选取氩气作为反应气体,本实验在低气压下进行,利用参数可调的高频脉冲电源和直流电源进行激励。研究了不同激励方式下击穿电压和电流的变化规律。实验发现：直流辉光放电击穿电压最低,约为380 V,但是在放电过程中放电管发热比较严重;脉冲辉光放电所需击穿电压为450～600 V,但其存在反复击穿;而脉冲叠加直流激励辉光放电则降低了脉冲击穿电压,最低约为400 V,且改善了放电管发热严重的问题。     

棱位错引起二次击穿的机理

在半导体器件——特别是功率晶体管失效问题上,二次击穿占据了较为重要的位置。自从1957年提出二次击穿现象后,至今进行了大量的研究,但还未有一套理论予以完全说明。本文企图从半导体晶体材料的缺陷——位错出发,提出一个由位错线形成的微电流管模型,对这种现象加以定性解释。二次击穿是指器件在高电压小电流的情况     

基于可听声波的GIS击穿点定位方法

为提高气体绝缘组合开关(GIS)击穿点定位的效率和有效性,基于空间可听声波提出了一种实施简单、定位准确的GIS击穿点二维定位方法。通过分析GIS击穿可听声波的特点,提出了确定声波信号到达不同传感器时延的峰值-阈值法。采用3个声波传感器的一形布置方式,结合空间算法搭建了无接触式的GIS击穿点数字化定位系统,并应用于330kV GIS现场试验。研究结果表明,GIS内部发生击穿时会向外辐射可听声波,声波的时域波形具有明显的高幅值脉冲,频域波形主要分布在2～8kHz,明显区别于背景噪声并为GIS击穿点的定位提供可用信息。330kV GIS的应用结果表明,定位系统的定位误差小于5%,与超声波、特高频等接触式定位方法相比降低了GIS击穿点定位的难度和成本,为GIS击穿点的现场定位提供了一种新的思路。GIS击穿点的定位结果受到声波传播衰减、传感器系统位置和遮挡物的影响,实际应用中需合理布置定位系统以提高定位结果的有效性和准确性。     

变电站10KV电压互感器O相绝缘击穿故障原因分析与探讨

本文通过对某站由于10kV电压并列装置二次回路接线错误,导致10kV电压互感器O相在10kV线路接地时出现绝缘击穿的现象进行分析,针对暴露问题提出了采取的整改和防范措施。供电力系统的同行在发生类似问题时参考。     

真空镀膜实验中仪器故障分析

本文提出了在真空镀膜实验中当底膜机的单相电源零线断开时，将出现的各种故障现象，并分析了其产生的原因。     

极化曲线法比较彩色不锈钢在硫酸介质中的耐蚀性

通过化学着色法对304HC,316,316L不锈钢进行了着金黄色及其热水固膜后处理,运用动态极化曲线扫描法测定了其点蚀击穿电位,结果表明,3种不锈钢着色后的点蚀击穿电位提高80-100mV,耐蚀性能明显提高;热水固膜处理后的彩色不锈钢。304HC不锈钢的点蚀击穿电位又提高了80mV,耐腐蚀进一步增强。     

晶体管发射结软击穿对多谐振荡器的影响

本文通过对多谐振荡器软击穿(即瞬时击穿)现象的观察与分析,提出并由实验予以证明在晶体管的基极接一保护二极管,能有效地稳定振荡频率和延长管子的寿命。     

有线电视HFC网中两种电源干扰现象及排除

在日常的有线电视网络维修过程中,电源干扰现象的排除颇为困难,本文详细记录了典型的两种电源干扰现象,并且仔细分析了产生电源干扰现象的原因,以及排除该类故障的思路和具体方法。     

聚合物的空间电荷效应与电击穿机理

本文采用电声脉冲法,实测了聚乙烯试样中空间电荷分布,在特制的试样上,显示了均匀电场中空间电荷在直流击穿和短路击穿中的极性效应.空间电荷效应、交直流叠加和升压速度的实验结果表明,均匀电场中聚乙烯的击穿规律与极不均匀电场中树枝化的特性是一致的,进一步证明了 Budenstein 的实验发现,即均匀电场中聚合物的击穿起始于界面的树枝化.最后,作者用高氏树枝化新理论,对击穿现象作出了满意的解释.     

闭合电路中有电感线圈时的探讨

由电源、电感线圈、灯泡等元件所构成的闭合电路中，当电源断开时，由于电感线圈的自感作用，可使灯泡继续放光。本文论述了什么样的电路在此情况下，灯泡继续放光，并能出现较原来“更为明亮”的现象。     

CF_4及其N_2混合物的工频击穿特性研究

SF6具有高绝缘强度和良好灭弧性能,但其温室效应指数(GWP)过高,且液化温度较高,不适合在极寒地区使用,为研究能在极寒地区使用的绝缘气体,文中针对极寒地区气体绝缘设计的要求,研究了具有低温室效应指数、低液化温度的CF_4,及其N_2混合物的工频击穿特性,实验结果表明:CF_4及其N_2混合物的工频击穿电压随气压的增加出现饱和现象;在极不均匀场中击穿电压随电极距离增大也出现饱和现象;20%的CF_4/N_2混合气体为最佳混合比,其绝缘强度为纯CF_4击穿电压80%以上,纯SF6的50%左右,并具有较低液化温度和GWP指数,可作为极寒条件下SF6的替代气体。