一种计算金属原子半径和离子半径的方法

通过探讨金属的原子半径和离子半径与原子结构之间的定量关系，提出了一种计算金属原子半径和离子半径的方法．对63种金属原子半径和87种离子半径的计算结果表明，计算值与实验值的一致性令人满意。平均误差0．004nm．     

原子边界半径的半经验方法和从头计算方法关系的探讨

根据计算原子边界半径的理论方法(半经验方法，从头计算方法)，对半经验方法与从头计算方法的关系进行了探讨。发现二具有较好的一致性，这验证了半经验方法中所采用的假设的合理性，由其计算得到的原子边界半径代表着原子的有效半径，且与其它方法所得到的原子半径有着较好的关联。     

原子结构半径与原子半径的相关性分析

通过新定义的原子结构半径与原子半径的比较，两者的相关性很好，在某些方面原子结构半径可以替代原子半径。并且具有物理意义明确，方法简单，不需要任何实验数据等优点，可以广泛的应用于QSPR研究中。     

一个计算金属半径的近似公式

本文提出一个计算金属原子半径新的近似公式，并计算了５８种金属的原子半径，其结果与实验测定值非常接近。     

原子和离子的边界半径

假设原子（离子）中一个电子所受到的作用势等于其第一电离能的值,定义了原子（离子）的边界半径,其具有内禀性、唯一性的特点,借助于MELD从头计算程序,计算了原子（离子）中一个电子受到的作用势,给出了前四周期元素的原子和离子边界半径,这种半径与传统半径之间存在很好的相关性,具有可应用性和预测性。     

小波神经网络用于原子半径的研究

采用原子的第一电离能与原子的核外电子分布作为输入参数，使用已知的半径值作为训练样本，对小波神经网络进行了训练并成功地预报了８６种元素的原子半径，较完整地补充了共价半径、金属半径与范德华半径标度方法中所缺的相应值．结果表明，对于原子及分子物理的研究，小波神经网络是一种很有潜力的工具．     

纯金属单键半径R(1)的经验公式

鲍林给出晶体中原子的键长与单键半径的关系为:D(n)=2R(1)-O.6001gn 对某些金属上式可写成:2R(12)=2R(1)-O.600lgn其中R(12)是金属半径,n=u/12,v是原子价,12是配位数。 余瑞璜将鲍林公式修改成:     

类氢原子半径〈r^—α〉的计算

在分析原子体系哈密顿量H的基础上，讨论类氢原子径向函数的特性，通过数学得出关于类氢原子半径的递推关系式，从而求得类氢原子半径r的＜r^-1＞－＜r^-8＞的解析式。这弥补了一般文献资料只计算到＜r^-4＞的不足，同时对分析和计算原子实的极化效应，对原子能级的精细结构和超精细结构和超精细结构研究的影响是很有意义的。     

一种新的调剖堵水处理半径计算方法

针对非均质多储层或非均质厚油层油田,在注水开发过程中,注水井吸水剖面和产液井产液剖面的不均匀性,从调剖堵水前后地层流体渗流特性的变化出发,提出了一种新的残余阻力系数确定方法,用来计算调剖堵水时的处理半径以及最佳处理液用量。该方法对矿场调剖堵水处理具有较大的指导意义。     

确定原子轨道中电子填充先后次序的新方法

分析了现有确定填充原子轨道方法的局限性，提出了用n 0．9l代替n 0．7l来确定原子轨道中电子填充的先后次序，举例说明了n 0．9l具有更为广泛的适应性(Z≥120)。     

一种测量金属原子束密度通量及空间分布的新方法

为测量激光原子法同位素分离中密度通量 ,采用两端镀有铜电极的玻璃基片作测量探头 ,通过检测蒸镀在玻璃基片上两电极间金属薄膜电阻的变化来测量密度通量。探头输出信号经由多路 A/ D数据采集卡处理后送入微型电子计算机 ,经计算处理可实时给出密度通量的空间分布。实验结果表明 ,该方法费用低、精度高     

原子基态的简便确定方法

原子基态的简便确定方法李玉兰（西安联合大学师范学院物理学系，西安７１００６１；作者，女，５３岁，讲师）在原子物理学中，如何由实验测定元素原子基态，从而确定它的电子组态，是一个比较复杂的问题．一般可以分为４个步骤．如元素Ｃ１Ｓ２与２Ｓ２为满次壳层，所以...     

Theoretical calculations on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface

We present a theoretical calculation of the atomic and electronic structure of β-SiC and its non-polar (110) surface using the full potential linear augmented plane wave (FPLAPW) approach. The calculated lattice constant and bulk modulus of β-SiC crystal are in excellent agreement with experimental data. The atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface has been calculated by employing the slab and supercell model. It is found that the surface is characterized by a top-layer bond-length-contracting rotation relaxation in which the Si-surface atom moves closer towards the substrate while the C-surface atom moves outward. This relaxation is analogous to that of Ⅲ-Ⅴ semi-conductor surface. The driving mechanism for this atomic rearrangement is that the Si atom tends to a planar sp2-like bonding situation with its three N neighbors and the N atom tends to a p3-like bonding with its three Si neighbors. Furthermore, surface relaxation induces the change from metallic to semiconducting characterization.     

Theoretical calculations on the atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface

We present a theoretical calculation of the atomic and electronic structure of β-SiC and its non-polar (110) surface using the full potential linear augmented plane wave (FPLAPW) approach. The calculated lattice constant and bulk modulus of β-SiC crystal are in excellent agreement with experimental data. The atomic and electronic structure of β-SiC(110) surface has been calculated by employing the slab and supercell model. It is found that the surface is characterized by a top-layer bond-length-contracting rotation relaxation in which the Si-surface atom moves closer towards the substrate while the C-surface atom moves outward. This relaxation is analogous to that of Ⅲ-Ⅴ semiconductor surface. The driving mechanism for this atomic rearrangement is that the Si atom tends to a planar sp²-like bonding situation with its three N neighbors and the N atom tends to a p³-like bonding with its three Si neighbors. Furthermore, surface relaxation induces the change from metallic to semiconducting characterization.     

计算元素电离势的新方法

根据中心力场模型 ,应用数学插值原理发展了一种计算元素电离势的新方法 ,据此可根据已知元素的电离势对其它元素的电离势进行计算或预测 对 2 0 0多个数据点的计算结果表明 ,元素电离势计算值与实验值的一致性令人满意 ,平均误差 1 14eV     

激光感生荧光法测量金属原子蒸气横向速度分布

了解原子蒸气的密度、速度和温度分布对提高原子法激光分离同位素 (AVL IS)的分离效率起着重要作用。该实验采用激光感生荧光法和高灵敏度的线阵 CCD测量了线源蒸发钆金属原子蒸气的横向速度分布。通过实验证实了在线源蒸发的情况下 ,原子蒸气横向平均速度随横轴线性增加 ,横向速度分布近似服从 Maxwell分布。离蒸发对称面越远横向速度分布的半宽度越大 ,这表明离蒸发对称面越远原子热运动越激烈。而原子束横向平均速度随电子枪加热功率增加而增加 ,并且趋向于一饱和值。这是由于原子束平均速度取决于蒸发表面的温度 ,而液面温度随电子枪功率增加是有限的。     

以原子半径和电负性预测玻璃形成能力

提出了一个基于合金组元原子半径和电负性判断非晶形成能力的方法. 建立了原子半径差与电负性差之比Δd/Δe与临界冷却速度Rc的数值模型,并在所有五种不同合金系中获得一致且开口向上的抛物线关系. 在此基础上,设计并制备了四种不同成分的Zr-Al-Ni-Cu金属玻璃,并测量它们的临界尺寸Zmax、过冷液相区间ΔTx和约化玻璃转变温度Trg. 结果表明,Zr54Al13Ni15Cu18的玻璃形成能力最佳,而且用Δd/Δe模型预测的四种金属玻璃的玻璃形成能力顺序与所有实测参数(包括Zmax、ΔTx和Trg)表征的顺序基本一致. 因此,用Δd/Δe的预测方法比较同一合金系内不同合金之间玻璃形成能力的优劣是可靠的.     

Force optimization of ionic polymer metal composite actuators by an orthogonal array method

Ionic polymer metal composites (IPMCs), a new kind of electro-active polymer, can be used for micro robotic actuators, artificial muscles and dynamic sensors. However, IPMC actuators have the major drawbacks of a low generative blocking force and dependence on a humid environment, which limit their further application. Multiple process parameters for the fabrication of IPMCs were optimized to produce a maximum blocking force; the parameters included reducing agent concentration, platinum salt concentration in the initial compositing process, and tetraethyl orthosilicate (TEOS) content. An orthogonal array method was designed and a series of fabrication experiments were carried out to identify the optimum process parameters. The results show that the platinum salt concentration in the initial compositing process plays the most significant role in improving the blocking force of IPMCs, the TEOS content plays an important role, and the reducing agent concentration has no apparent effect on the blocking force. In the optimized conditions, the IPMC actuator exhibited maximum blocking force of 50 mN, and the corresponding displacement was 14 mm. Compared with normal conditions, the blocking force improved 2.4-fold without sacrificing the displacement, and the effective air-operating life was prolonged 5.8-fold for the blocking force and 5-fold for the displacement. This study lays a solid foundation for further applications of IPMCs.