双掺铌酸锂晶体的光散射光强阀值效应及其应用

用多波耦合理论分析了铌酸锂晶体中的扇形噪音形成机制,结合单载流子两级系统解释了双掺铌酸锂晶体的光致光散射光强阈值效应,进一步分析了掺杂铌酸锂晶体中信号光和噪音光之间在光放大上的竞争,并理论预言了双掺铌酸锂晶体在进行双光束耦合时存在最佳泵浦光强和最佳光生伏特场。     

质子交换在铌酸锂和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成光波导

报道了用质子交换法在铌酸锂晶体和同化学剂量比铌酸锂晶体中形成了光波导,在633和1539nm波长下,用棱镜耦合法测量了波导的暗模特性;端面耦合得到波导的近场光强分布,与普通铌酸锂质子交换形成光波导的近场输出相比,输出光强均匀而且比较亮,说明在同化学剂量比的铌酸锂中形成的光波导质量要好些．对普通铌酸锂晶体质子交换光波导,研究了波导退火特性,经过退火,折射率分布由阶跃型转变成渐变型的,退火的时间越长,折射率分布变化的趋势越缓慢;并给出了不同交换时间下样品的RBS／Channeling谱,与未进行交换的样品相比,质子交换铌酸锂的沟道谱的产额有增高,而且交换时间的越长,产额增高的越多．     

关于掺钠的铌酸锂晶体的生长

通过选择合适的原料配比(L i2O占48.6%,Nb2O5占51.4%,并掺入3%的钠),控制固液界面处的温度梯度,选择合适的晶体生长速度,采用提拉法成功地生长出了具有良好光学均匀性的掺钠L iNbO3晶体,用X射线粉末衍射获得了晶体的晶胞常数,结果表明掺钠后晶体常数a增大c减少,并讨论了掺钠L iNbO3晶体生长存在的主要问题、发展前景及今后的研究方向.     

铌酸锂晶体的暗电导研究

通过对不同组分比(Li/Nb)纯铌酸锂(LiNbO3)晶体电压和电流的测量,发现不同组分比晶体的电导率随温度变化而变化的程度不同.提出小极化子对电导率的作用机制,并分析了LiNbO3晶体中双极化子和小极化子对电导率的影响.最后对所测量的电导率进行拟合,得到了不同组分比晶体的激活能.     

掺杂铌酸锂晶体体全息存储的研究

用提拉法生长的Ce（0.09%）,Cu（0.01%）,LiNbO3晶体和Zn（3%）,Fe（0.09%）,LiNbO3晶体,切割后分别对晶体极化氧化处理,对晶体的抗光致散射能力和衍射效率测试后,分别进行单幅图像存储和多幅图像的复用存储。实验表明,晶体的抗光致散射能力和衍射效率直接影响体全息存储的效果。     

Raman散射线的强度

根据量子电动力学理论,给出了线性 Raman 效应中,相应的 Raman 散射强度公式;讨论了在激光辐射扬激励下,一般受激 Raman 散射的一些特点.     

掺杂铌酸锶钡单晶的喇曼散射

本文测定了不同掺杂(Cd)浓度的Sr_(0.61) Ba_(0.39) Nb_2O_6单晶在不同几何配置、不同温度下的偏振喇曼光谱.实验证明,随着温度的升高和掺杂浓度的增加,总的趋势是光谱加宽,谱峰红移,峰强度减小,但基本峰形不变.说明铌酸锶钡单晶的喇曼散射中NbO_6氧八面体内模起重要作用.     

半导体表面吸附分子的表面增强喇曼散射

本文介绍了半导体材料表面吸附分子的表面增强喇曼散射(SERS)研究工作.至今,人们主要在二类半导体材料表面进行了SERS 实验:一类是半导体材料表面吸附分子的SERS 实验;另一类是被银修饰了的(silver-modified)半导体材料表面吸附分子的SERS 实验.文章还简单介绍了对半导体材料表面SERS效应所作的理论解释.最后对半导体材料表面SERS 研究的发展和应用前景作了展望.     

掺杂对铌酸锶钡钾钠晶体性能的影响

各种不同掺杂的 KNSBN(铌酸锶钡钾钠)晶体分别呈现收缩的、稳定的和扩张的三种不同类型的电滞回线,随之在热电性及其稳定性等方面产生差异。     

四氢吡咯吸附在银膜表面上的激光喇曼散射效应实验研究

本文研究了0.05mol/L四氢吡咯/0.10mol/LKCl体系吸附在化学沉积银膜上的表面增强喇曼散射(SERS)光谱。通过与正常喇曼谱比较,发现四氢吡咯吸附在化学沉积银膜上存在较强的SERS增强效应,并且一些谱带的位置发生了漂移。实验结果表明,四氢吡咯和银膜之间存在着强烈的相互作用。     

逆Raman效应理论

在研究和分析逆Raman吸收的实验规律的基础上,对逆Raman效应的微观过程进行了详细地讨论;定性地解释了巨脉冲激光强度增加时,吸收强度的变化规律;给出了一种可能实验条件下的近似吸收强度。     

TSCZC单晶的简正振动和一级喇曼散射

对金属有机络合物Zn(NH_2CSNHNH_2)Cl_2(简称TSCZC)的晶格振动进行了群论对称性分类,在各种不同的几何配置下获得其偏振喇曼散射;对其中主要峰的归属进行了分析认定;与Ca(NH_2CSNHNH_2)Cl_2单晶的喇曼谱进行了对照,分析了二者存在较大差异的原因。