聚苯胺膜对抗坏血酸的电催化反应的研究(Ⅰ)

本文初步研究了聚苯胺莫电极在酸性水溶液中对抗坏血酸的电催化氧化反应 循环伏安结果表明,抗坏血酸在聚苯胺/铂电极的峰电位比光洁铂电极上 电位负移约200mV 讨论了pH值、扫描速率、莫厚度对其催化性能的影响     

聚苯胺膜电极的电催化性及其催化过程动力学的研究

通过循环伏安法合成聚苯胺膜电极。聚苯胺膜电极对儿茶酚、抗坏血酸、氯化亚锑有电催化作用，与光亮铂电极相比它们在膜电极上的峰电位差减小，峰电流增大。通过旋转圆盘电极研究其催化动力过程动力学。     

离子掺杂聚苯胺电极对抗坏血酸电催化氧化的促进作用

利用循环伏安法研究硫酸锰在聚苯胺电极上对抗坏血酸的电催化氧化．结果表明，聚苯胺电极掺杂Mn^2 以后对抗坏血酸有更强的电催化氧化作用．     

掺杂磺酸聚苯胺/碳纳米管复合膜电极制备及其应用

采用共聚法制备了掺杂磺酸的聚苯胺/多壁碳纳米管复合薄膜,并用其对铂电极进行表面修饰而制备出复合膜电极;通过扫描电子显微镜和红外光谱仪对复合膜电极表面的形态和组分进行表征,并采用电化学方法对其导电性和电催化活性进行测试.结果表明:与聚苯胺电极相比,掺杂磺酸的聚苯胺/多壁碳纳米管复合膜电极的表面形态更均匀致密,导电性能显著提高,响应峰电流从145μA增加到1.61mA,表面电荷密度提高了12.1倍,且稳定性也相应提高;复合膜电极具有较高电催化活性,在草酸环境中对抗坏血酸(AA)的线性响应不受干扰,其线性相关系数为0.996 0,灵敏度为9.09A/(mol·cm2),氧化峰的电位差达到340mV,能够明显区分其混合物.     

基于石墨烯复合材料的5-羟色胺电化学传感器

以水热法制备了聚苯胺/还原氧化石墨烯复合材料,将其超声分散于乙醇溶液中,滴涂在聚对氨基苯磺酸修饰玻碳电极表面,得到聚苯胺/还原氧化石墨烯/聚对氨基苯磺酸修饰玻碳电极.采用循环伏安法考察了5-羟色胺(5-HT)在修饰电极上的电化学行为.实验结果表明该电极对5-HT的氧化反应过程表现出良好的催化活性.最佳条件下,氧化峰电流与5-HT的浓度在0.10~100.0μmol/L范围呈良好线性关系,其线性方程为I_p(μA)=-0.0419C(μmol/L)-0.4171(R=0.996),检出限为0.032μmol/L.当抗坏血酸和多巴胺的浓度增大到5-HT的50倍时,5-HT峰电流几乎不受影响,表明该修饰电极对5-HT检测具有良好的选择性.     

聚苯胺/聚砜复合膜电极对苯二酚及其混合体系的电催化氧化

采用循环伏安法电化学聚合制备了聚苯胺／聚砜复合膜电极，研究了复合膜电极对对苯二酚和邻苯二酚的单组分及其混合体系的电催化氧化．结果表明聚苯胺复合膜电极具有很好的电催化作用，在混合体系中对苯二酚的一对氧化还原峰和邻苯二酚的两对氧化还原峰能够清楚地区分；并且在一定的浓度范围内单组分的浓度与峰电流呈良好的线性关系，说明该电极对苯二酚的测定在定性、定量中具有潜在的应用价值.     

聚L-精氨酸修饰玻碳电极测定抗坏血酸

用循环伏安法制备了聚L-精氨酸修饰玻碳电极,并研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,建立了测定抗坏血酸的新方法.在pH7.5的磷酸盐缓冲溶液中,抗坏血酸在修饰电极上产生一氧化峰,峰电位为0.050V(对AgA/gCl电极).用线性扫描伏安法测定抗坏血酸的线性范围为5.0×10-6～5.0×10-3molL/,检出限为2.0×10-6molL/.用于药物中抗坏血酸的测定,结果满意。     

电沉积咖啡酸玻碳修饰电极对抗坏血酸的催化氧化

在pH=7.0的磷酸缓冲溶液中采用电沉积技术将咖啡酸修饰于玻碳电极表面制备了一层稳定的薄膜,该修饰电极制备简单,稳定性良好.用循环伏安法研究了抗坏血酸在修饰电极上的电化学行为,其氧化峰电流与抗坏血酸的浓度和pH值有关,当pH值达到7.7时,抗坏血酸在修饰电极上的氧化峰电流最大,氧化峰电流与抗坏血酸浓度在4.0×10-5～2.0×10-2mol/L范围成良好的线性关系,检测限为1.0×10-5mol/L,方法简单、快速、准确,可应用于抗坏血酸药片的检测.     

化学修饰电极循环伏安法测定药物和果蔬中抗坏血酸

用循环伏安法制备银掺杂聚L-精氨酸修饰玻碳电极,对抗坏血酸在此电极上的电化学行为进行研究,建立循环伏安法测定抗坏血酸的新方法,在pH 2.5的磷酸盐缓冲溶液中,扫描速率为120 mV/s时,抗坏血酸在修饰电极上,产生一灵敏的氧化峰,峰电位为0.287 v(vsAg/AgCl),峰电流与抗坏血酸的浓度在5.00×10-6～5.00×10-3 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为1.0×10-6mol/L.用于药物和7种水果蔬菜中的抗坏血酸的测定,结果满意.     

聚吡咯膜对抗坏血酸电催化氧化的作用

用循环伏安法,在酸性介质中对掺铁氰根聚吡咯电极膜催化抗坏血酸(AH2)氧化的电化学行为,阳极峰电流(iPa)与AH2的浓度关系进行研究.结果表明,该电极修饰膜可测定水果等多种样品中的抗坏血酸.     

聚2，5－二甲氧基苯胺膜电极对抗坏血酸的电催化氧化

聚２，５－二甲氧基苯胺（Ｐ２５ＤＭＡｎ）薄膜电极用电聚合的方法制得．采用循环伏安法研究了酸性溶液中抗坏血酸（ＡＨ２）在Ｐ２５ＤＭＡｎ薄膜电极上的电催化氧化．该薄膜电极对抗坏血酸的氧化有很好的电催化活性．讨论了不同种类负离子存在的情况下制成的薄膜对ＡＨ２氧化的催化特性的影响．光电子能谱图所得的结果也证明了Ｐ２５ＤＭＡｎ薄膜电极上有ＡＨ２反应的物种产生．用旋转圆盘电极研究了催化过程动力学．     

pH及电位敏感的聚苯胺膜用于药物释放

利用修饰电极及电化学控制方式对药物进行定量的负载与释放是一项具有开拓性的科学研究，概述了用电化学聚合方法制备具有ＰＨ响应的聚苯胺膜，通过电位来控制药物半胱氨酸的负载与释放。结果表明，其释放速度和释放量由还原电位及释放时间控制，最佳释放电位为－０．７Ｖ，最佳释放时间为１２ｍｉｎ，而且该聚合膜可循环负载释放，释放前后膜的ＰＨ响应特性不发生改变，这对于一些病症的诊断及防治具有一定的指导作用。     

聚苯胺修饰电极的研究

讨论了用电化学聚合法在铂、玻碳以及在p 型和n 型外延硅电极上生成聚苯胺膜的条件、膜的电活性与其变色性之间的关系。在有铂溅射薄层的n~+/p—Si光阳极上、膜的附着性较牢固、它使光阳极的稳定性得到改进。     

聚苯胺膜生长的椭圆法研究

用椭圆法研究聚苯胺膜在HClO_4、H_2SO_4、HCl溶液中的生长,聚苯胺膜的生长速度和结构形貌与酸溶液的阴离子有关,在HClO_4溶液中形成致密膜,在H_2SO_4和HCl溶液中初期形成的是致密膜,以后是多孔膜。     

导电聚苯胺自撑膜的制备及性能研究

通过对聚苯胺薄膜进行质子酸掺并,并采用溶液浇铸法,制备了力学性能和电学性能较好的聚苯胺自撑膜。研究了温度、掺杂时间、要剂浓度。成膜溶剂及质子酸种类因素对聚苯胺掺杂膜的影响。     

催化电合成聚吡咯膜对抗坏血酸的电催化反应的研究

研究了钛铁试剂催化电合成的聚吡咯膜电极(PPE/Pt)在水溶液中对抗坏血酸(AH_2)的电催化氧化反应.循环伏安结果表明,AH_2在PPE/Pt电极上的氧化峰电位负移超过400多mV.讨论了pH值,扫描速度和膜的厚度对催化性能的影响.     

聚碱性品红修饰电极对抗坏血酸与多巴胺重叠氧化峰的分离

本文介绍了一种分离抗坏血酸和多巴胺氧化峰的新方法,由于聚碱性品红修饰电极对抗坏血酸和多巴胺有不同的电化学行为,因而在修饰电极上,抗坏血酸和多巴胺在不同的电位被氧化实验表明,在聚碱性品红修饰电极上,抗坏血酸和多巴胺的氧化峰可分开约２４０ｍＶ