半导体硅桥点火器的设计初探

作者从半导体硅桥点火的机理出发，得到了实现ＳＣＢ点火的基本关系式并计算了ＳＣＢ在熔化，气化过程中与温度无关的比热。作者还对实现ＳＣＢ点火有关参数的取值进行讨。经过关系式的分析及计算证明与实验观测相符，其结果为ＳＣＢ的设计，制造和应用具有实用价值。     

半导体桥火工品升温特性研究

根据半导体桥的点火特性和工作特点,基于能量守恒定律,通过分析半导体桥输入能量的近似分布,建立了低于熔化温度的桥体升温模型。通过对所建模型的数值分析,分别得到了在不同的外加电压、散热系数和比热容下的桥体温度升高曲线,以及在不同电压下的输入能量分布曲线。曲线的分布规律表明:在电容一定时,外加电压越大桥体升温越快;能量散失越多,达到桥体熔点的时间越长;比热容越大,桥体温度变化越缓慢,达到熔点的时间越长。这些曲线分布规律验证了模型建立的可行性与合理性。     

基于半导体桥的防护电路设计

半导体桥(SCB,Semiconductor Bridge)易受到外界复杂环境的干扰导致误爆,所以防护电路的设计对其应用显得尤为重要。传统的防护电路由于吸收能量小、工艺复杂等原因难与SCB集成制造。提出了一种基于CMOS工艺的保护技术,利用电容和肖特基管来完成对SCB的静电放电(ESD)防护和电磁干扰(EMI)防护,易与SCB进行集成化制造,提高SCB器件的稳定性和安全性,在Simplorer仿真中验证了所设计防护电路的性能满足要求。     

半导体点火桥的电路模拟

研究半导体桥的点火时间同输入能量以及电压的关系.通过对装有BNCP炸药的半导体点火桥的输入能量进行分析,结合其电阻特性,建立了半导体点火桥的Pspice器件模型.根据与实验结果的偏差,改进了半导体桥模型,使模型的适用范围从低能量(＜5 mJ)一直拓展到高能量(＞40 mJ).并对其在点火电路中不同发火条件下的点火时间与电压以及点火时间与能量的关系进行了模拟,得出了半导体桥存在最小点火时间的结论.     

半导体桥长宽比对其发火性能的影响

该文研究了电容放电发火条件下,半导体桥长宽比对其发火的临界电压、发火时间以及发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,借助于半导体桥的等离子体发火机理对实验结果进行了分析.结果表明:在半导体桥质量、掺杂浓度相同的条件下,长宽比对半导体桥的发火临界电压影响较小;而半导体桥的发火时间随着长宽比的增加而减小,发火所消耗的能量随着长宽比的增加降低.     

半导体桥对粒状炸药的微对流传热数值模拟

该文用气固两相流理论研究半导体桥使奥克托今炸药受热发火的微对流传热过程，建立了数值计算的数学模型，并采用ＭａｃＣｏｒｍａｃｋ差分格式进行了数值模拟计算。计算结果说明硅蒸汽冷凝释放潜热在使炸药受热时起主要作用。     

半导体的光学非线性与光学双稳

本文是对近年来光学双稳领域的进展的简介与回顾,着重介绍了解释(?)子饱和吸收和非线性色散的二能级模型,讨论了几种测量激子吸收的实验方案,并且提出了自己的实验设计方案。     

微型半导体桥临界爆发及发火电流特性研究

为获得恒流激励下微型半导体桥的临界爆发和发火电流特性,研究了微型半导体桥换能元和换能元与斯蒂芬酸铅组成的发火件.利用高速示波器测试其在不同激励电流时的电压和电流信号.利用D-最优化法测试其临界爆发电流和临界发火电流.实验现象显示微型半导体桥的固态是其稳定态,熔点可作为临界爆发点,并且发火件临界发火属于电热发火.基于傅里叶传热原理,建立了微型半导体桥的稳态导热模型,推导出临界爆发电流和临界发火电流理论计算公式.临界爆发电流与微型半导体桥电阻的平方根成反比,与面积的1/4次方近似成正比.降低电阻或者增大面积可提高发火件的临界发火电流.实验数据验证了计算公式的可行性与合理性.     

基于H桥驱动电路的半导体制冷片恒温控制系统

设计了一种以单片机HT46R47为核心,半导体制冷片为发热制冷体的智能恒温控制系统.通过H桥驱动电路控制半导体制冷片进行加热或制冷,实现了自动恒温控制.     

半导体光放大器

半导体光放大器（SOA）是光通信系统中的重要部件，它可用作在线放大器和光网路中的功能器件。从上世纪90年代开始SOAs的功能应用研究以来，它的应用方法和应用范围均在稳定地增长。     

基于半导体光放大器非线性效应的波长变换技术研究

由于半导体光放大器具有的高非线性特性,使得基于半导体光放大器的光子器件在光网络中得到了广泛的应用,本文对基于半导体光放大器的全光波长变换技术进行了讨论,并对各种波长变换技术的优缺点进行了分析。     

量子点光跃迁性质的研究

针对半导体量子点中电子的光跃迁性质进行了研究 ,建立起盘形量子点模型 ,具体分析了该模型的电子结构和电子态 .讨论了光场作用下 ,量子点中电子的跃迁几率、跃迁频率、选择定则和能级结构 ,并给出了吸收系数α的解析表达式和相应的吸收曲线 .最后 ,还讨论了量子点光跃迁性质对尺寸的依赖性以及此模型的一维、二维过渡 .结果表明 ,当束缚增强 ,能级随半径变小而增高 ,能级差变大 ;而且 ,吸收峰随尺寸减小向短波方向移动 ,即发生蓝移     

Polar Optical Vibration Modes in Semiconductor Superlattices

ＰｏｌａｒＯｐｔｉｃａｌＶｉｂｒａｔｉｏｎＭｏｄｅｓｉｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅｓＫｕｎＨｕａｎｇ,Ｂａｎｇ－ｆｅｎＺｈｕＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓＰ．...     

半导体激光器和光晶体管组合双稳的研究

利用光晶体管的饱和特性和雪崩负阻特性实现了半导体激光器和光晶体管的组合双稳,并对影响其工作状态及特性的条件进行了讨论。     

级联在线半导体激光放大器补偿光纤色散的研究

提出了一种以周期配置的级联在线半导体光放大器(SOA)同时补偿光纤的损耗和色散的新色散补偿技术.通过系统仿真分析了10Gbit/s级联在线增益饱和SOA的色散补偿效果,以及常规单模光纤通信系统中SOA饱和增益、放大器间距、脉冲占空比、脉冲阶数等参数对系统传输性能的影响,并由此给出获得最佳色散补偿效果的系统和放大器参数及配置.     

基于半导体光放大器的双端口全光光开关

提出了一种基于半导体光放大器(SOA)的双端口全光光开关.这种开关以一个平行排列3×3耦合器作为其核心元件,具有类似于非线性光学环路镜(NOLM)和T比特光学非对称解复用器(TOAD)的结构.由于这种光开关是基于SOA的,所以它结构紧凑,易于集成,而且需要很小的控制光功率(几个mW).这种光开关具有两个开关端口,满足了一些特殊应用场合的需要.论文中给出了双端口全光开关的单脉冲2.5 Gb/s开关实验结果.实验结果表明,这种开关可以实现两个端口的开关光信号同时输出,开关消光比达到了20 dB以上.     

基于SOA的四波混频型全光波长转换

利用自行研制的半导体光放大器实现了140Mbit/s和2.5Gbit/s的四波混频型全光波长转换,在频率失谐达3．75THz时仍观到了四波混频波长转换现象,研究了转换效率与频率失谐之间的关系,结果表明转换效率随频率失谐增大而急剧降低,而且相同条件下波长上转换的效率要小于下转换的。