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1.
基于三阶切触法刀具包络曲面的局部重建原理,提出了刀具可行空间约束下平底刀加工自由曲面的无干涉刀位规划方法. 通过工件表面到刀具轴线的距离来分析刀具与工件的局部和整体干涉,并解析求解二阶切触刀具姿态,进而建立二阶切触无干涉刀具可行空间. 在此基础上,通过计算设计曲面与包络曲面沿进给垂直方向的诱导法曲率导数,在可行空间内优化搜索最接近三阶切触的刀位. 拉伸曲面和螺旋曲面的刀位规划和切削带宽的计算结果表明,该方法可以有效地避免刀具干涉,并显著提高加工效率. 相似文献
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针对用端铣刀在自由曲面上进行3轴数控加工,提出了一种系统的刀具干涉检测方法.加工自由曲面时,刀具干涉可能出现在包括刀具驱动面在内的刀具周围任何区域.提出用检测线代替检测面来寻找加工自由曲面时可能出现刀具干涉的方法,可极大地加快检测过程,改善加工精度和可靠性,而且有利于产品的几何设计和指导影响加工效率的刀具选择.研究表明,所提的方法和算法合理有效. 相似文献
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刘鹄然 《应用基础与工程科学学报》1999,7(3):326-330
提出用展成法的根切曲面来形成铣刀刀齿齿廓,首次提出对根切的应用,并分别阐述了其在盘状铣刀、直齿锥铣刀和螺旋锥铣刀中的应用 相似文献
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用切触线近似表示满足正则条件的曲线,将切触线沿法向偏移刀具半径大小位置,以计算得到曲线轮廓数控铣削的刀位轨迹,简化了常用的隐式方程或参数方程形式计算刀位数据的过程。分析了误差影响的因素并提出了控制方法;以摆线的轮廓加工为例,阐述了该算法的正确性与高效性。该方法可移植到运算能力较强的数控系统中,并可作为乘积型曲面刀位点数据计算的基础。 相似文献
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6.
张则增 《山东师范大学学报(自然科学版)》2000,15(4):387-390
研究了切触Bochncr-Kenmotsu流形的CR子流形,得到了关于这类子流形的微分几何中曲率方面的一些有意义的结果。 相似文献
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8.
蒋翠云 《合肥工业大学学报(自然科学版)》1999,(2)
Graves-Moris从1983年起在实用背景下比较系统研究了一元向量有理插值问题,建立了一些插值理论与方法。文章利用Samelson逆变换,构造了一种新的向量有理插值方法,给出了有理插值的连分式表达式。 相似文献
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用球面坐标建立了圆柱滚子球面凸轮的轮廓曲面解析方程,为此种凸轮的设计计算和数控加工提供了理论依据。 相似文献
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利用凸组合方法构造出二元切触有理插值,且可以降低插值函数分母或分子次数,其构造方法简单、过程公式化,比常用的有条件限制的连分式方法更具有一般性,更便于实际应用. 相似文献
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用CMM检测自由曲面时检测点和路径的规划方法研究 总被引:7,自引:2,他引:7
讨论了自由曲面计算机辅助检测的有关问题,提出了按加工能力及规定的公差范围确定检测点数量的方法,按曲率及预报的加工误差确定自由曲面上检测点的分布,使检测点的分布更为合理在检测路径仿真时引入了虚形体的概念,为检测路径的仿真奠定了数学基础在检测结果分析时提出了一种新的面轮廓度评定的方法 相似文献
12.
冯涛 《西安工程科技学院学报》2013,(4):492-494,500
多轴数控砂带磨削刀具轨迹优化是复杂曲面加工领域的难点之一.本文以复杂曲面多轴数控砂带模削刀具轨迹优化为对象,建立了以刀具效率、刀具路径长度和加工时间为目标的优化目标函数.通过分析砂带模削宽行和弹性加工特点对加工精度的影响,提出了考虑磨削过程中的刀具变形与砂带磨损,建立误差补偿机制,保持磨削量稳定的自适应优化算法模型,设计了算法步骤. 相似文献
13.
自由曲面数控加工刀具路径的自适应算法 总被引:7,自引:0,他引:7
基于NURBS曲面造型理论,以加工质量和效率为目标,提出了确定参数方向经济步长的方法,并构造了生成自由曲面数控加工等参数平行扫描路径的自适应算法。 相似文献
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本文根据对机加工电极表面轮廓的测量,提出一个新的表面粗糙度模型.这一模型具有三个独立参数,因而比以往的模型更为合理.用模拟电荷法和流注击穿判据可以方便地算得机加工形成的表面粗糙度对SF_6气体放电的影响.本文的两种试样电极的实验结果与模型计算曲线吻合良好,这说明在工程气压范围内,机加工形成的表面粗糙度对SF_6气体介质强度的影响,可以通过模型计算预测. 相似文献
16.
提出一种实现刀具扫描体与曲面矢量求交的有效算法.将扫描体与复杂曲面法矢的求交问题,转化为三角网格与有向线段之间的求交计算.建立此两者求交计算的求交子集.减少以往算法中不必要的求交计算.提高算法的效率.文中同时给出.基于该算法的整体叶轮叶片复杂曲面加工的应用实例. 相似文献
17.
建立了斜齿圆柱齿轮侧面及齿根面的直角坐标方程式,应用矢量法确定盘形铣刀齿刃与轮齿侧面及齿根面接触线上各点的参数值。并编制设计程序框图,从而实现了加工斜齿圆柱齿轮盘形铣刀与齿形的计算机设计。 相似文献
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张瑞勤 《山东大学学报(理学版)》1991,(4)
本文分别用Si_(16)H_(21)模拟Si(113),Si_(35)H_(30)模拟Si(112)高密勒指数表面,用Si_(37)H_(39)模拟Si(111)及Si_(19)H_(18)模拟Si(100)表面.通过SCF-LCAC-CNDO理论计算,研究了各种表面上的净电荷分布.发现,各种表面上存在不同程度且不同分布的净电荷,表面原子sp~3轨道中的电荷做了重新分布,净电荷较多地局域在悬键方向上.表面上台阶的存在强烈地影响着表面净电荷转移的性质.此现象在Si(112)面上尤其突出.本文据此解释了不同晶面上附加表面电偶极子及态密度等实验结果. 相似文献