Cu0.5Zr2(PO4)3:Cu2+中心g因子研究

由于Cu0．5Zr2(PO4)3晶体具有良好的离子传导能力、催化特性、较低的热膨胀性，对它的研究引起了广泛的关注．本文引入平均共价因子N，并结合晶体结构数据给出了3d^9离子在晶场D4h下的g因子公式，利用该公式并结合Cu0．5Zr2(PO4)3晶体的具体结构数据对Cu0．5Zr2(PO4)3晶体中CU^2 中心的EPRg因子进行了理论分析计算，所得到的结果与实验值基本吻合．     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子研究

采用3d离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu^（2＋）离子中心各向异性g因子（gx，gy，gz），其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu^（2＋）离子所处的局部结构确定。研究表明，晶体中Cu^（2＋）离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右，由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

Cu0.5Zr2（PO4）3中Cu2+离子中心各向异性g因子研究

采用3d9离子斜方对称g因子的高阶微扰公式计算了Nasico型晶体Cu0.5Zr2(PO4)3中Cu2+离子中心各向异性g因子(gx,gy,gz),其中斜方晶场参量由重叠模型并联系晶体中Cu2+离子所处的局部结构确定。研究表明,晶体中Cu2+离子中心配体八面体平面键角相比理想斜方对称的90°要小10°左右,由此所得的因子计算结果与实验符合较好。     

Al2O3晶体中Cu3+离子自旋哈密顿参量及其局域结构研究

利用自旋哈密顿理论,在建立Al2O3Cu3+晶体结构和自旋哈密顿参量之间的定量关系的基础上,采用掺杂离子位移模型,统一计算了Al2O3Cu3+晶体的自旋哈密顿参量,解决了前人工作中可调参量过多的问题.理论结果与实验数据符合很好,说明采用的模型是合理的.结果表明,Cu3+离子掺入Al2O3基质晶体后,并没有准确占据Al3+格位,而是沿C3轴移动了0.0179nm.     

CsMnCl3·2H2O:Cu2+吸收光谱的研究

CsMnCl3·2H2O是典型的准一维反铁磁体.最近V V Eremenko测定了CsMnCl3·2H2OCu2+的吸收光谱,利用晶体场理论,结合晶体结构,分别计算晶体中Mn2+在Oh下和Cu2+在D2h下的能级,研究结果表明CsMnCl3·2H2OCu2+在28000,3000,32000吸收峰是来自Cu2+的d-d跃迁.     

LaSrGaO4:Cu2+晶体电子顺磁共振参量和缺陷结构的研究

采用3d9离子在四角对称中的高阶微扰公式，计算了LaSrGaO:Cu2+晶体的电子顺磁共振（EPR）参量g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥,A⊥.计算结果与实验值较好符合.由于晶体中顺磁杂质中心的EPR参量与其缺陷结构密切相关，本计算还获得了Cu2+杂质中心缺陷结构的信息.我们对上述结果进行了讨论.     

钛酸铅晶体中3种Cu2+离子中心的电子顺磁共振研究

电子顺磁共振谱(EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等。在晶体场理论基础上, 采用高阶微扰方法, 通过分析电子顺磁共振谱参量,确定了压电铁电材料PbTiO3晶体中3种Cu2+离子中心的局域结构。目前, 对PbTiO3：Cu2+的EPR谱研究一般认为Cu2+离子在PbTiO3中只占据Ti4+位置。理论研究表明,除了传统认为的Cu2+离子占据Ti4+位置外, 杂质Cu2+离子还可同时占据Pb2+     

NH4F和Cs2ZnCl4中掺杂Cu2+离子各向异性g因子的研究

在一些四配位四面体的晶体中，过渡金属络离子(MLx)^n-往往具有较强的共价性和各向异性的EPRg因子，在晶体场理论基础上，研究了晶体NH4F以及Cs2ZnCl4中掺杂Cu^2 离子基态b2g的EPRg因子，理论计算与实验结果符合好。     

Cu2+基态b2g的g因子微扰公式及对Cs2CuCl4和T2CuBr4的应用

近年来 ,文 [1～ 4 ]报道了Ｃｕ2 +(3ｄ9)离子的光学、磁学和电子顺磁共振 (ＥＰＲ)等重要性质 ,但这些文献只研究了六配位八面体四角对称晶场中的 3ｄ9离子基态ａ1ｇ或ｂ1ｇ的性质 ,而在Ｃｕ2 +的有重要应用价值的化合物中 ,大量存在四配位四面体低对称的情况 .因此 ,我们利用晶体场理论推导出了斜方的 3ｄ9/ 3ｄ1离子四面体络离子 (ＡＸ4 ) ｎ - 基态ｂ2 ｇ的ＥＰＲ ｇ因子的三阶微扰式 ,并用该式研究了晶体Ｃｓ2 ＣｕＣｌ4 和Ｔ2 ＣｕＢｒ4 的ＥＰＲ ｇ因子 ,其理论计算与实验结果符合较好 .1　理论在晶体场中 ,考虑到自旋 轨道 (ＳＯ)…     

α-LiIO3∶Ni2+晶体中的Ni2+-VLi三角中心局域结构的研究

通过计算α LiIO3∶Ni2 晶体零场分裂D和 g因子 ,研究了掺杂Ni2 的α LiIO3晶体中Ni2 VLi三角中心的局域结构 ,估算出Ni2 离子应向Li 空位 (VLi)位移ΔZ≈ 0 .2 5 ,以及VLi附近的氧离子应位移ΔX≈ 0 .14 9 .     

Co2+离子在CsMgCl3晶体中的g因子和超精细结构常数研究

用基团模型的3d7离子在三角对称下的高阶微扰公式计算了CsMgCl3晶体中Co2+杂质中心的g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥.计算中,不仅考虑了基态和激发态间的组态相互作用效应,而且考虑了3d7离子d轨道与配体p轨道之间的共价效应,与这两种效应相关的参数可由所研究晶体的光谱和结构数据得到.在考虑了键长与键角的微弱畸变后,理论计算值与实验观测值符合较好.     

Ga2Se3:Co2+光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co~(2 )晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。     

KMgF_3∶Mn~(2 )晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下 ,建立了轴对称 (三角和四角 )晶场中 3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式 ,进而得出相应的自旋 晶格耦合系数G11和G4 4.并将上述公式应用于KMgF3 ∶Mn2 晶体 ,在不引入调节参量的情况下 ,得到的计算值G11和G4 4与实验结果符合较好 .     

Y2Ti2O7: Cr3+晶体中Cr3+杂质中心EPR参量及缺陷结构研究

本文利用强场图像中的高阶微扰公式计算了Y₂Ti₂O₇:Cr³⁺晶体的电子顺磁共振谱（EPR）参量(g因子g_//,g⊥和零场分裂D),计算中采用双旋-轨耦合参量模型,同时考虑了中心离子和配体的旋-轨耦合对EPR参量的贡献,计算结果与实验值很好地吻合.结果表明Cr³⁺掺入Y₂Ti₂O₇晶体会引起O^2-偏向[111]方向（C₃轴）2.55°,同时,杂质中心O^2--Cr³⁺键长相对于基质晶体的O^2--Ti⁴⁺键长增加0.005 A.     

ThSiO4晶体中Yb^3＋离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量，计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb^3 离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子，计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。     

KMgF3:Mn2+晶体自旋晶格-耦合系数的理论研究

在晶体场理论的强场图象下,建立了轴对称(三角和四角)晶场中3d5离子零场劈裂D因子的四阶微扰公式,进而得出相应的自旋-晶格耦合系数G11和G44.并将上述公式应用于KMgF3Mn2+晶体,在不引入调节参量的情况下,得到的计算值G11和G44与实验结果符合较好.     

Cr3+离子在SrLaAlO4中电子顺磁共振参量的理论研究

电子顺磁共振谱(electron paramagnetic resonance,EPR)参量对杂质离子局域结构极为敏感,对EPR参量的理论研究可以用来确定材料的离子占位和缺陷结构等.从晶体场理论出发,用高阶微扰公式和晶体结构数据和重叠模型获得晶场参量,计算出Cr3+离子在八面体晶体SrLaAIO4中的的自旋哈密顿参量g因子和零场分裂参量D,计算中所用到的参量由该晶体的光谱和结构数据获得,计算结果和实验数据较为符合,并对计算结果进行了分析.     

ThSiO4晶体中Yb3+离子的自旋哈密顿参量的理论研究

从晶体场理论出发，用考虑了二阶微扰贡献的理论公式和由晶体结构数据和重叠模型获得的晶场参量， 计算了ThSiO4晶体中四角对称的Yb3+离子的自旋哈密顿参量g因子和超精细结构常数A因子, 计算结果与实验很好地符合，并对结果进行了讨论。      

NH_4 Br:Cu~(2+)的EPR参量研究

用晶体场理论研究了3d9离子Cu2+在NH4Br中的EPR参量,采用半自洽波函数模型计算了NH4Br:Cu2+的二阶和三阶近似下的g因子和A因子,计算结果与实验符合;比较了NH4Br:Cu2+和NH4Cl:Cu2+的光谱实验值,发现它们的能级次序不同.     

NaCl:Cu2+的混合基态EPR g因子的研究

考虑到NaCl:Cu2 晶体中 ,络离子 (CuCl6 ) 4- 的局域结构为沿〈0 0 1〉晶轴方向的具有微弱斜方畸变的伸长四角对称 ,引进了 2 A1g态混合进基态 2 B1g 的机制 ,用双自旋 轨道耦合模型和半经验分子轨道法研究了NaCl:Cu2 的EPRg因子 ,获得了理论诠释合理以及计算结果与实验值符合好的满意结果 .