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金霉素链霉菌废菌丝体吸附金(Au~(3+))特性的表征 总被引:1,自引:0,他引:1
以金霉素发酵生产中的金霉素链霉菌废菌丝体为生物吸附剂,研究了该菌体吸附金离子的特性.结果表明,该菌体吸附金离子的最适pH值为3.5,其吸附作用是一种快速而非依赖温度的过程.在起始Au3+浓度(100 mg·L-1)与菌体浓度(2g·L-1)之比为50mg/g,pH 3.5和 30℃条件下,吸附 45min,菌体对Au3+的吸附量为45.6 mg·g-1,吸附率达 91.2%.菌体所吸附的金可被解吸附.透射电子显微镜观察结果表明,该菌体能将Au3+还原成金颗粒,并形成不同形状和大小的金晶体.X射线光电子能谱分析证明,Au3+能被菌体还原成Au0. 相似文献
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纤溶酶原激活因子和抑制因子在早期胎盘中的表达及其功能 总被引:5,自引:1,他引:4
用原位杂交方法研究了人早期胎盘中组织型(t)和尿激酶型(u)纤溶酶原激活因子(PA)与其相应的抑制因子1型(PAI-1)和2型(PAI-2)mRNA的分布。结果表明:(1)在绒毛和蜕膜的血管壁,Rohrs和Nitabuch纹间的蜕膜中的大部分外细胞滋养层细胞沿绒毛盘、基底盘、绒毛叶间隔和绒毛膜的细胞滋养层细胞以及蜕膜的腺体细胞中都检测到tPA、uPA、PAI-1和PAI-2mRNA;(2)在基底绒 相似文献
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提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN 双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN 刻蚀成纳米阵列结构. 我们使用Ni 退火形成微结构掩模, 通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN 刻蚀纳米阵列结构. 同时, 提出了两步刻蚀n-GaN 台面的制作工艺, 以此在形成p-GaN 纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN 层表面, 以此改善后续金属电极的沉积. 经测试, 含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%, 比常规p-GaN 膜层基InGaN/GaN 太阳能电池的外量子效率提高了10%. 相似文献
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提出了一种测定材料湿法刻蚀启动时长的红外热成像新方法. 该方法的实质是利用反应启动时必然有化学热吸收或释放, 从而引起材料表面液膜温度变化这一特点, 通过红外热成像实时监测系统, 采集液膜温度变化过程的红外热像, 从而判断反应启动时长. 实验发现, 2 mm宽线形液膜是较为理想的监测对象, 因其同时具备温度变化信息和空间分布信息, 可以将线形液膜中心作为理想的观测特征点; 由滑动液滴形成残留线形液膜可以得到超浅液膜, 温度变化灵敏度高, GaAs竖直放置, 可以避免液膜重力对启动时长的影响, 获得更为准确的监测数据. 在本实验条件下, 由线形液膜的横向剖面灰度变化得到GaAs材料与H2SO4:H2O2:H2O(= 5:1:50和15:3:50)腐蚀液的反应启动时长分别约为0.2 s和0.3~0.4 s之间. 该方法的提出, 对于快速刻蚀技术以及固-液吸附等性能研究均具有重要价值. 相似文献
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纤溶酶原激活因子和抑制因子在生殖中的作用 总被引:5,自引:1,他引:4
综述了由纤溶酶原激活因子(PA)和抑制因子(PAI)所调控的局部定向纤蛋白水解在生殖作用研究中的最新进展。组织型(t)PA(tPA)和I型PAI(PAI-1)在卵巢不同细胞中的协同表达参与排卵和黄体(CL)萎缩调控过程,在早期黄体组织中尿激酶型(u)PA(uPA)和PAI-1活性明显增高,uPA和PAI-1的协同表达可能与黄体形成过程中组织重建和血管发生密切相关。实验证明,PA系统在精子发生和成熟 相似文献
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通过在金纳米通道阵列膜上修饰聚N-异丙基丙烯酰胺(PNIPAm)分子, 发展了一种温度敏感的纳米通道阵列膜. 以荧光素钠和水溶性量子点为探针, 考察了这种膜在不同温度下的渗透性. 结果表明, 该PNIPAm分子修饰的膜能够可逆地响应外界温度的变化, 使纳米通道的孔径大小被改变, 进而影响膜的渗透性. 当温度为25℃(<低临界溶液温度, LCST)时, 荧光探针的渗透较慢, 甚至基本上被阻止, 这是因为PNIPAm分子呈现膨胀构象使通道尺寸变小所致; 而当温度为40℃(>LCST)时, 荧光探针的渗透明显加快, 这是因为PNIPAm分子呈现紧缩构象使通道尺寸变大所致. 这种温度敏感的金纳米通道阵列膜的渗透性可以被可逆地调控, 有望用于纳米级阀门等装置. 相似文献
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在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150~300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN~2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值. 相似文献
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B2结构纳米晶Ru40Al60和Ru的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
纳米晶材料由于其物理特性显著不同于常规粗晶材料而引起人们的极大兴趣和受到广泛重视。近年来,人们发现机械合金化是制备纳米晶的最有效方法之一,通过强烈的机械形变和破碎,可以容易地得到极细的晶粒。最近,一种结合机械合金化与化学浸出法的技术 相似文献