热处理温度对WO_3电致变色薄膜性能的影响

采用改进溶胶-凝胶法制备WO_3薄膜,研究不同热处理温度对WO_3薄膜的物相组成、表面形貌、电化学和光学性能的影响。用原子力显微镜(AFM)考察薄膜的表面形貌,用X线衍射(XRD)表征薄膜的物相组成,循环伏安法测试薄膜的电化学性能以及紫外-可见光分光光度计对薄膜的光学性能进行表征。结果表明:在热处理温度为200℃下得到的无定形WO_3薄膜具有较好的电致变色性能、较短的响应时间及较好的循环稳定性,电致变色循环可逆性为78.04%,薄膜着色、褪色态对比度在34%左右。     

用WOCl_4制备WO_3薄膜

在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．     

阳极氧化法制备Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜

室温条件下,在碱性的Ca^2＋、Sr^2＋、Ba^2＋溶液中,通过电化学阳极氧化制备了Ba1-x-yCaxSryMoO4多晶固溶体薄膜材料.采用XRD、SEM、XPS、FA（荧光分析）等测试手段分析了薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组成及室温光致发光特性.研究表明室温阳极氧化法所制备的Ba1-x-yCaxSryMoO4固溶体薄膜具有四方晶结构,在紫外光的激发下,有较好的光致发光特性.     

具有纳米多孔结构的WO_3薄膜的制备

研究了阶跃加压阳极氧化法在金属钨基底上制备具有多层纳米孔结构形貌的WO3薄膜的工艺,主要研究了阳极氧化条件对生成纳米孔结构的影响及热处理制度对样品形貌和结构的影响.结果表明:在60 V电压和20℃反应温度条件下,在含质量分数为0.05%NH4F的电解液中阳极氧化20 min得到的样品表面,具有形貌规则的自组装纳米多层网孔结构,且排列紧密.此外,将阳极氧化制得的样品以5℃/min的速率升温至450℃并保温3 h,可使生成的无定形氧化钨薄膜在保持多孔结构形貌基本不变的条件下晶化.     

草酸阳极氧化法制备氧化铝薄膜的微观结构及性质

目的使用阳极氧化法在草酸电解液中制备出氧化铝薄膜并分析其微观形貌和结构,从而提高材料的抗腐蚀性能,使铝合金在生产生活中的应用更加广泛.方法以2024铝合金为阳极,铂丝网电极为阴极,采用阳极氧化法在草酸电解液中制备氧化铝薄膜.实验中使用了恒电流法和恒电位法条件下四种不同电化学参数,制备氧化铝薄膜.通过扫描电子显微镜观察不同实验条件下的氧化铝薄膜表面形貌,利用X射线衍射仪对氧化铝薄膜结构进行表征,采用粗糙度测量仪测量薄膜表面粗糙度.结果随实验时间和电流密度增加,样品的阳极氧化程度加深,当实验时间为4 000 s、电流密度为0.04 A/cm~2时,阳极氧化程度最深;在阳极氧化过程中采用不同的电流密度和不同的电压,产生的氧化铝薄膜形貌不同.结论采用草酸电解液阳极氧化法可以在铝合金样品表面制备出多孔氧化铝薄膜,该薄膜为晶态结构.     

温度对RTCVD法制备多晶硅薄膜生长的影响

多晶硅薄膜太阳电池是21世纪最具发展潜力的薄膜太阳电池.如何快速、大面积、高质量地沉积多晶硅薄膜一直是多晶硅薄膜太阳电池研究中的一个核心问题.文中以SiHCl3为硅源、B2H6为掺杂气,采用先进的快热化学气相沉积法(RTCVD)制备了大晶粒的多晶硅薄膜.所制备的薄膜厚度为30~40μm,沉积速率达3~7μm/min.文中还分析了沉积温度对多晶硅薄膜生长速率及晶体微观结构的影响.结果表明:当沉积温度在900~1170℃时,平均生长速率随温度近似单调递增,此时薄膜生长由表面反应阶段控制;随着温度的升高,薄膜平均晶粒尺寸也由900℃时的不足3μm增长到1170℃时的超过30μm;温度较低时,薄膜易向[220]方向生长;温度达到1170℃时,多晶硅薄膜有向[111]方向生长的趋势.     

乳液法制备微细WO_3粉末

微细氧化物的合成是研究高性能陶瓷材料的一个重要环节.微细粒子是指粒径小于1μm的微粒.这种粒子具有一般化合物粒子无可比拟的特殊性质,例如,可以提高超导材料的临界温度;提高催化剂的活性等等.微细粒子的主要制备方法是造粒法.在造粒法中液相法具有设备简单、温度低、便于工业生产等优点,尤其适用于制备微细金属氧化物粉末.近年来,美国、日本及西欧某些国家通过金属烷氧基化合物水解法合成一系列单分散的金属氧化物粉末,其优点是粒子细而均匀、纯度高,但金属烷氧基化合物价昂,而且合成过程必须控制无水条件,因此不宜于工业规模生产.     

热蒸镀法制备WO_3薄膜及其电致变色性能

采用热蒸镀法在氟掺杂的锡氧化物(fluorine-doped tin oxide,FTO)导电玻璃衬底上沉积了一层WO3薄膜,运用X线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等手段对样品进行表征,并运用紫外-可见光谱法表征了薄膜样品的电致变色性能.结果表明,该氧化钨薄膜在外加电压作用下,从褪色态(+0.9 V)到着色态(-2.0 V),颜色由淡蓝色变为不透明的深蓝色,光透过率(波长为632.8 nm)由~72%下降为~0%,光学调节幅度高达72%,光密度(optical density,OD)变化量达到3,着色/褪色响应速度分别为30/20 s,循环(-1.8 V/+0.8 V)30周期后变色性能保持良好,综合性能优于目前文献报道.由于该法制备的氧化钨薄膜电致变色综合性能突出,特别是光密度变化量大,在变色玻璃、智能窗户等环保节能领域将有广泛的应用前景.     

衬底温度对共溅射法制备BaSi_2薄膜的影响

研究衬底温度对采用Ba靶和Si靶共溅射制备BaSi_2薄膜的影响.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对在不同衬底温度条件下制备的薄膜的微观结构组分和表面形貌进行表征与分析.结果表明,衬底温度在500℃以下时Ba和Si共沉积在Si(111)衬底上生成的为非晶,结合后续的真空退火生成BaSi_2多晶薄膜.衬底温度是制备优质BaSi_2薄膜的关键因素,衬底温度高于600℃时,共溅射法能够直接生成BaSi_2薄膜.     

WO_3-NiO电致变色薄膜的制备与性能

以硫酸镍(NiSO_4)和钨酸钠(Na_2WO_4·2H_2O)为原料,采用低温化学浴沉积法在ITO导电玻璃上制备NiO和WO_3电致变色薄膜,并通过物理方法制备WO_3-NiO电致变色器件。本文探索了溶液的浓度和pH对薄膜沉积的影响。采用低温化学浴沉积法直接制备的薄膜为Ni(OH)_2。实验结果表明当溶液浓度为0.02～0.5 M,pH在9.6～11.6之间,均可以得到致密、均匀的Ni(OH)_2薄膜。其中,当硫酸镍浓度在0.05 M、pH调至11.3时能得到致密均匀且透过率高的氢氧化镍薄膜。该薄膜退火后可转化为NiO。当Na_2WO_4·2H_2O溶液浓度在0.02 M至0.06 M,pH为1.2时,能得到致密均匀的WO_3薄膜。此外,钨酸钠浓度在0.06 M且pH调至1.2时,得到致密均匀透过率高的WO_3薄膜。将NiO-WO_3薄膜组装成器件后光学调制为28%左右,能得到所需的电致变色器件。     

WO_3薄膜的溶胶-凝胶法制备及其电致变色性能研究

以钨酸钠为前驱物,乙醇和聚乙烯醇(PVA)为添加剂,采用溶胶-凝胶法在FTO导电玻璃基质上制备了WO3电致变色薄膜,讨论了退火温度对薄膜响应时间的影响。通过扫描电子显微镜及X射线衍射仪对WO3薄膜结构进行了表征,利用电化学工作站对WO3薄膜的电致变色响应时间进行了研究。结果表明:在340℃下制备的WO3薄膜具有较好的循环可逆性,该薄膜着色响应时间为4.4 s,退色响应时间为0.52 s。     

退火温度对Nb掺杂SrTiO3薄膜光电化学性能的影响

研究了Nb掺杂SrTiO3薄膜的光电化学性能及其对储氢合金薄膜的光充电性能。采用射频磁控溅射将SrTiO3薄膜沉积在镍片基体上，在300-600℃退火处理后，采用直流磁控溅射将LaNi3.9Al1．3储氢合金薄膜沉积在镍片基体的背面构成SrTiO3／Ni／储氢合金电极。随着Nb掺杂SrTiO3薄膜热处理温度的升高，阳极光电流和光充电性能先增大后减小。     

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜性能的影响

在553 K、573 K、603 K、653 K、673 K硫化温度下用两步法制备FeS2薄膜。分析了所制薄膜的结构及光电性能等,同时还研究了硫化温度对两步法制备FeS2薄膜的影响规律。     

电极材料,温度等因素对Ce^3＋阳极氧化过程的影响

用气体电量计法分解极化曲线研究了温度对ＰｂＯ２，Ｐｔ电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成过程的影响，得到了两电极上Ｃｅ＾４＋和Ｏ２的表现活化能，在Ｐｔ电极上Ｃｅ＾４＋的活化能在于Ｏ２的活化能；温度升高时使Ｃｅ＾４＋的电流效率升高，但ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋的活化能小于Ｏ２的活化能，温度升高时Ｃｅ＾４＋的是流效率降低，研究了不同Ｃｅ＾３＋浓度对Ｔｉ／Ｐｔ基ＭｎＯ２电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成过程的影响，得到出该反应     

超声化学法制备纳米WO_3及其光催化氧化性能研究

文章以钨酸钠和盐酸为原料,十六烷基三甲基溴化铵/正丁醇/环己烷为分散剂,在超声振荡条件下,得到钨酸纳米粒子,500℃恒温3 h,最终产物WO3粒径主要分布在50-80 nm。采用XRD、TEM对粉体进行了系统的表征。同时研究了WO3纳米粒子的光催化氧化性能。结果表明,纳米WO3具有较好的光催化活性和良好的稳定性。     

阳极氧化法制备多孔氧化铝膜的研究

阳极化多孔氧化铝是典型的自组织的纳米结构材料,我们用认阳极氧化法制备了多孔氧化铝膜,从得到的ＡＦＭ图象及ＦＦＴ变换,证明了在适当的电解条件下,多孔氧化铝膜具有序的六角分布的纳米孔道。     

WO_3/BiVO_4薄膜光电极构建及光电转化性能

分别用聚合物辅助沉积法和金属有机物分解法制备了WO_3和BiVO_4半导体薄膜电极。利用固体紫外-可见漫反射光谱、电化学阻抗和线性扫描伏安法,对WO_3和BiVO_4半导体薄膜电极的能带结构进行了表征。制备了WO_3/BiVO_4异质结复合光电极,并通过扫描电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子能谱,对该复合光电极的断面形貌、晶型结构和物质组成进行了分析。最后,对WO_3/BiVO_4复合光电极的光电转化性能进行了研究。研究结果表明:均为单斜晶型的WO_3和BiVO_4之间形成了膜厚约为450 nm的II型异质结;在施加相对于可逆氢电极1.23 V的电势时,WO_3/BiVO_4光电极的光电流密度可以达到1.926 m A/cm~2,表现出了良好的光电转化性能。     

沉积温度影响有机太阳能电池阳极薄膜结晶性能

采用射频磁控溅射工艺,以氧化锌铝（AZO）陶瓷靶作为靶材,通过优化工艺参数在玻璃基板上制备了具有c轴择优取向的AZO透明导电薄膜.基于X射线衍射（XRD）测试表征,研究了沉积温度对薄膜结晶性能的影响.实验结果表明：AZO薄膜的结晶性能与沉积温度密切相关,较低温度时,随着沉积温度的升高,薄膜的结晶性能得到提高,但是沉积温度进一步升高时却有所变差.当沉积温度为400℃时,AZO薄膜的结晶性能最佳,c轴取向良好,晶粒尺寸接近40 nm.     

阳极氧化法制备纳米二氧化钛管阵列研究

文章通过对乙二醇体系与丙三醇体系中相同条件下制得的样品进行扫描电镜图像及X射线衍射仪分析比较,研究了二氧化钛纳米管阵列的形貌和纳米管管径。从来得出以下结论:1)在乙二醇电解液体系中,制得的二氧化钛纳米管的管径更大,纳米管阵列排列的更加整齐;2)使用乙二醇含氟电解液体系时,阳极氧化反应60分钟时、阳极氧化电压低于40V时得到的二氧化钛纳米管阵列比较好。