Zn1—xCdxSe／ZnSe应变层超晶格光学特性

分析了用分子束外延法生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的Ｚｎ１－ｘＣｄｘＳｅ／ＺｎＳｅ应变层超晶格光学特性,对光致发光谱的温度地详细的研究,光致发光谱的峰位和线形温度效应的结果与理论分析相一致,从光致发光谱的发光强度得出了该样品的激活能     

（ZnSe）n／（ZnS）m应变层超晶格的光吸收系数

用Ｌ－Ｋ有效质量理论研究方向生长的（ＺｎＳｅ）ｎ／ＺｎＳ）ｍ应变层超晶格的电子结构和光吸收系数。结果表明,光吸收系数与阱宽和垒厚有关。     

LP—MOVPE生长InGaAs应变超晶格

本文探讨了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ法在ＧａＡｓ和ＩｎＰ衬底上生长２１个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ和２０个周期的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ两种应变超晶格的条件，并用Ｘ射线衍射分析了这两种应变超晶格，分析观察到三级卫星峰和六级卫星峰。     

Cu／TiO2超晶格的拉曼光谱

用拉曼光谱对Ｃｕ／ＴｉＯ２超晶格微结构进行研究。     

计及电子自旋与磁场耦合的超晶格共振劈裂

研究了零电场和正弦电场作用下的磁量子结构中自旋电子的隧穿输运特性，结果表明，自旋耦合使得共振劈裂区展宽或压缩，且沿能量轴移动，考虑自旋耦合和正弦电场作用后，不改变周期结构的n-1重劈裂和Fibonacci准周期结构的自相似的特性，磁量子结构的调制磁场方向改变也会引起弹道电导的改变。     

Ising—Heisenberg铁磁超晶格的的自旋波

在格林函数理论的框架内，我们研究了由两个不同的模型共同描写的超晶格的性质，即用Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ各向同性模型描述α种原子层，而用带有Ｉｓｉｎｇ型各向异性的Ｈｅｉｓｅｎｂｅｒｇ模型（当各向异性参数为适当值时，即为Ｉｓｉｎｇ模型）描述种原子层，我们解析的求解了子格磁化的高低温行为，同时还数值计算了０＜Ｔ＜Ｔｃ温区的子格磁化曲线。     

AlGaAs／GaAs超晶格价带的自旋劈裂

对由ＡｌｙＧａ１－ｙＡｓ，ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ和ＧａＡｓ三种材料构成的超晶格价带的自旋劈裂进行了研究。通过改变材料组分和层厚，发现当超晶格单胞对其中心点是不对称结构时，对应的自旋向上和自旋向下的子带产生劈裂，而且劈裂主要发生在重空穴带和轻空穴带相互作用较强的地方。     

(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定

用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.     

InxGa1-xAs/GaAs超晶格的X射线衍射研究

超晶格材料是用现代薄膜生长技术制成的一种新型材料。自从1970年美国首次在GaAs半导体上制成了超晶格结构后^[1],又研制出GaAs和各种Ⅲ-Ⅴ族化合物超晶格材料,而后Ⅳ-Ⅳ族、Ⅱ-Ⅵ族,以及非晶态半导体超晶格等也相继出现,有一些已经获得实用,制成了重要的微电子和光电子器件。     

层间有反铁磁交换相互作用的磁性超晶格的推迟模式

我们用等效介质理论计算了层间有反铁磁交换的侧向晶格。当外场垂直于磁性或非磁性层时,在这种超晶格中存在两种磁序：反转自旋（flop)和平行自旋磁序。我们发现,这两种磁序的表面模的频率随外场和层间耦合的变化情况很不同。前一种磁序中,模式的频率对层间耦合非常敏感,我们还发现使表面模存在的两个外场临界值。     

Ising自旋(s=1)一种反铁磁超晶格的基态

本文使用文献的方法,计算了Ising模型、(s=1)一种反铁磁超晶格的基态能,并给出了几种典型情况下的相图。     

（112）面CdTe／Cd1—yZnyTe,Hg1—xCdxTe／CdTe和CdTe／GaAs异质结的方向倾斜

用 X射线双晶衍射 ( XDCD)法测得分子束外延 ( MBE)法生长的 Cd Te/ Cd0 .959Zn0 .0 4 1 Te( 112 ) B异质结的倾斜角为 0 .2 185°,而且朝 [1- 1- 1]晶体学方向倾斜 .为了获得较精确的倾斜角值 ,绘制了外延层和衬底衍射角的差值Δθ与绕样品表面法线旋转的角度 之间的准正弦函数 .为高分辨率透射电子显微镜 ( HRTEM)分析制备了 MBE法生长的 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As( 1- 12 ) B多层异质结的横截面薄膜 .Cd Te/ Ga As异质结的 HRTEM明场象表明 Cd Te( 1- 12 )缓冲层相对于 Ga As( 1- 12 )衬底朝 [1- 11- ]方向倾斜约 3°,并且在 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te异质结 ,Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te( 1- 12 )外延膜相对于 Cd Te( 1- 12 )缓冲层在 [11- 1]方向 ,即 [1- 11- ]的反方向倾斜约 1°.也分析了 Hg0 .535Cd0 .4 6 5Te/ Cd Te/ Ga As多层膜之间的倾斜角关系 .