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1.
利用模糊命题演绎系统BL*中公理的基本特征,研究了BR0-代数结构,给出了BR0-代数结构在有界分配格上、有界格上及一般格上的不同形式的表示定理,同时指出了其相应的不同格上R-代数结构的表达形式。 相似文献
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3.
在BR0- 代数结构中,BR0-分配性a→b∨c=(a→b)∨(a→c)具有十分重要的地位。本文证明了具有BR0-分配性的剩余格同样具备十分良好的性质。首先将BR0-分配性引入到剩余格中,并给出了BR0-分配性的等价形式。其次,在完备剩余格中将BR0-分配性进行了推广,提出了BR0-第一无限分配性和BR0-第二无限分配性。最后,分别在正则完备剩余格,单位区间[0,1]中讨论了两种BR0-无限分配性的关系及性质。 相似文献
4.
吴洪博 《吉林大学学报(理学版)》2009,47(4)
在一般集合M上(放弃格的要求)以二元算子⊕,→为基本算子给出了R0-逻辑代数的一种纯代数表示形式(M,(⊕,→)), 进一步显示了R0-逻辑代数的一般代数特征及R0-代数与其他逻辑代数的联系. 相似文献
5.
吴洪博 《吉林大学学报(理学版)》2009,(4)
在一般集合M上(放弃格的要求)以二元算子,→为基本算子给出了R0-逻辑代数的一种纯代数表示形式(M,(,→)),进一步显示了R0-逻辑代数的一般代数特征及R0-代数与其他逻辑代数的联系. 相似文献
6.
通过对正则剩余格和WBR0-代数的深入研究, 进一步明确了WBR0-代数与其他逻辑代数之间的关系。 主要结果有: (1)证明了正则剩余格与WBR0-代数是相同的代数结构;(2)通过联络图表列举了WBR0-代数与其他经典逻辑代数之间的联系,体现了WBR0-代数在逻辑代数中的地位与作用;(3)通过构造WBR0-代数的实例说明WBR0-代数与其他逻辑代数之间的区别。 相似文献
7.
在BR0-代数结构中,BR0-分配性a→b∨c=(a→b)∨(a→c)具有十分重要的地位。本文证明了具有BR0-分配性的剩余格同样具备十分良好的性质。首先将BR0-分配性引入到剩余格中,并给出了BR0-分配性的等价形式。其次,在完备剩余格中将BR0-分配性进行了推广,提出了BR0-第一无限分配性和BR0-第二无限分配性。最后,分别在正则完备剩余格,单位区间[0,1]中讨论了两种BR0-无限分配性的关系及性质。 相似文献
8.
BR0-代数定义的简化形式 总被引:3,自引:0,他引:3
作者对基础R0-代数进行了研究,从定义的形式上对BR0-代数进行了简化,使之更加符合逻辑代数的基本特征,进一步体现了BR0-代数与其它逻辑代数之间的关系. 相似文献
9.
WBR_0-代数的正则性及与其他逻辑代数的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对正则剩余格和WBR0-代数的深入研究,进一步明确了WBR0-代数与其他逻辑代数之间的关系。主要结果有:(1)证明了正则剩余格与WBR0-代数是相同的代数结构;(2)通过联络图表列举了WBR0-代数与其他经典逻辑代数之间的联系,体现了WBR0-代数在逻辑代数中的地位与作用;(3)通过构造WBR0-代数的实例说明WBR0-代数与其他逻辑代数之间的区别。 相似文献
10.
朱怡权 《宁夏大学学报(自然科学版)》2009,30(2):105-108
基于R0-代数(BR0-代数)对于模糊命题逻辑系统L*(BL*)的语义的重要性,对R0-代数和BR0-代数作更进一步的探讨,得到了它们的一些新的性质以及BR0-代数成为R0-代数的充分必要条件.这些结果将有助于对相应的形式逻辑系统与模糊推理的研究. 相似文献
11.
为了得到基础R0代数(简称BR0代数)的更多表示和性质,利用蕴涵算子给出了可换BR0代数的两种形式更为简单的刻画;证明了可换BR0代数与有界可换BCK代数之间的等价性;证明了满足Heyting性质(HP条件)的可换BR0代数与正则Heyting型FI代数(即HFI代数)等价. 相似文献
12.
用反例说明了对具有相关双格结构的代数的表现定理已有的一个结果:(S,∩,∪,∧,∨,~)与(B/B,∩,∪,∧,∨,~)同构是不完全正确的,这一点,而且用直接验证的方法证明了修改后的结论. 相似文献
13.
刘纪芹 《山东大学学报(理学版)》2006,41(1):57-61
利用数与集合套的数积这种定义形式,给出了单枝模糊集表现定理的对偶形式,即交-表现定理。分析了模糊集交-表现定理与并-表现定理的关系,并在交-表现定理基础上进一步讨论了模糊集的一些运算性质。 相似文献
14.
15.
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究贵金属Pt掺杂的正极材料Li_2Pt_(0.125)Co_(0.875)SiO_4在锂离子脱嵌过程中晶格和电子结构的变化.计算结果表明,掺杂体系在脱嵌锂离子过程中,晶格参数和体积变化不大,充放电过程中循环稳定性保持较好,脱嵌电压也基本保持不变;Li-O键长增大,Li-O间相互作用减弱,锂离子迁移率增大.与纯相Li_2CoSiO_4相比,禁带中出现了掺杂原子Pt的d轨道电子,带隙变窄,从而提高了掺杂材料Li_2Pt_(0.125)Co_(0.875)SiO_4的电子导电性. 相似文献
16.
A Ni47Ti43Hf10 high temperature shape memory alloy is fabricated. The martensitic transformation temperature (TT) is obtained by differential scanning calorimetry and four-probe electrical resistivity measurements. The effect of thermal cycling is investigated and it is found that the TT tends to be stable quickly, which is of benefit to practical applications. The martensite structure is determined to be B19' monoclinic by X-ray diffraction and transmission electron microscopy. One-way and two-way (which is seldom reported before) shape memory properties are studied by tensile and bending tests. The cycling number of two-way shape memory effect is tested for more than 20000 times. 相似文献