氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究

绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.     

N/P硅外延片的少子扩散长度测量

本文提出了用N/P硅外延片的结光电压光谱响应确定N/P硅外延片中少子扩散长度的方法.导出了入射光强1和结光电压V、光吸收系数a的理论关系,其中包含了外延层和衬底少子扩散长度的信息.     

散斑干涉测量镀膜透明介质平板厚度的实验研究

对应用散射干涉法测量镀膜介质平板厚度进行了实验研究，给出了条纹级数和测量距离影响实验结果的关系曲线．     

双膜片的硅-蓝宝石高温压力传感器

介绍了用硅-蓝宝石材料制作的通过采用双膜片结构及真空高温烧结工艺制成的高温压力传感器,并利用电路温度补偿来提高传感器高温压力的测量精度.350℃下测得传感器的准确度为0.1%.     

夹层全息干涉法与其它全息干涉法的比较

<正> 一、引言夹层全息干涉法首先是由Nils Abra-mson 授教提出的,同时,他研究了受集中力作用的悬臂梁的离面位移,以及面内刚体位移情况。接着,他又对铣床平台作了模拟实验。著者曾对夹层全息干涉法做了进一步的研究,从平板平动实验开始,做了大量的基本实验,推导出了受力物体的离面位移、面内位移的一般计算公式,同时,又将这一方法应用于焊件、铸件的残余应力测试,得到     

用激光测量玻璃瓶壁的厚度

本文利用光的折射和全反射现象,讨论了一种测量玻璃瓶壁厚的光学方法.它可用于学生课堂演示实验,也可用于实际测量工作.     

激光干涉测量较小位移的实验研究

应用迈克耳逊干涉仪原理，采用光电转换技术及条纹计数技术．实现了对较小位移的测量，结果表明，在一定的测量范围内，大大地提高了测量的精度．     

磁性／非磁性多层膜的反射透射性质

本文用变换矩阵方法了磁性层和非磁性层交替排列的有限层超晶格,垂直入射电磁波的反射射性质。     

硅光伏测量电池的设计原理

讨论了硅光伏测量电池的设计原理.还讨论了掺杂浓度、结深和表面复合速度对光伏电池主要参数(如开路电压、短路电流、反向暗电流和光谱响应)的影响.为了应用的需要,分析了串联电阻和傍漏电阻对线性的影响.最后给出了温度效应的数学模型和典型电路设计与R_(sA)的关系.     

一种提高SOS膜结晶质量的新途径

这是一种提高SOS膜结晶质量的新方法.这种方法包括三步:1)在蓝宝石衬底上先用电子束蒸发薄无定形硅保护层.2)然后在氢气中进行退火处理.3)再用通常CVD方法在带薄硅层上外延生长所需厚度(0.6~0.8μm)的SOS膜.对所得SOS膜进行电子衍射、Nomarski相衬干涉显微镜表面观察、载流子浓度测量和光吸收研究表明:SOS膜质量完好,光吸收因子F_A ≤ 140×10⁶cm^-2,抑制了自掺杂,载流子浓度不超过1×10¹³cm^-3.     

Ising反铁磁薄膜表面自旋再构

在具有近邻和再次近邻交换积分下,本文就在外磁场中的体心立方结构(bcc)的任意厚度反铁磁Ising薄膜讨论了由于表面的存在对自旋结构的影响,然后精确求解了该模型的基态.     

用Z—scan法研究推拉型偶氮化合物的非线性光学性质

利用Ｚ－ｓｃａｎ法，对掺有以偶氮苯作为母体的一个系列推拉型偶氮化合物的有机聚合物薄膜的非线性光学系数进行了测量，实验结果的分析表明，材料的非线性折射率来源于共轭π电子效应。     

测光纤预制棒折率射分布的光束偏折法的改进

本文报道了一种改进的光束偏折法(非破坏性测量光纤预制棒折射率分布的方法).从准确匹配浸油改为近似匹配浸油,同时减小了入射光束的直径.实验表明此法结果可靠,节省时间,分辨率亦有所提高.     

PE薄膜电导非线性回归分析

该文对ＰＥ薄膜的电导特性的实测数据进行了非线性回归分析，得出了三种模型。分析三种模型后可得有关项的物理意义，并可得到欧姆传导、空间电荷限制电流、隧道电流及其相互间的制约作用的物理实质。     

SOS膜载流子迁移率的纵向分布

对于MOS器件,由于器件的跨导正比于载流子迁移率,因而迁移率(μ)是个首要的因素.SOS膜的载流子除受一般离子散射外还受异质外延所特有的散射而使其迁移率下降.     

磁控溅射薄膜的厚度分布

论述了磁控溅射薄膜的厚度分布,从理论上分析了固定基体、基体转动和自转加公转三种状态下的膜厚分布.计算表明,膜厚分布很大程度上取决于基体高度.适当调节基体高度和靶的距离,可以得到很好的膜厚均匀性.实验证实了这个结果.     

一种测量电容的新方法

提出了一种测量电容的简单方法．该电路可以制成单层紧凑型仪表．     

测量棱镜玻璃折射率的新方法

本文介绍一种测量棱镜玻璃折射率的新方法     

测量短拍长及具有不均匀性的单模光纤双折射的新方法

本文提出了一个根据输出光偏振椭圆度随光纤扭曲率的变化曲线上中心第一个峰点及其一个相邻谷点位置来求取光纤双折射的公式,讨论了具有非均匀双折射的光纤所对应的曲线的畸变.测试中采用一种新的消光法,使测量过程简单可靠.